电气工程基础A幻灯片PE_06.ppt
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1、年产煤制氢项目 可行性研究报告 煤制氢建设项目可行性研究报告 建设单位:X X能源科技开发有限公司建设日期:二零一九年 第6页目 录第一章 总 论11.1项目概要11.1.1项目名称11.1.2项目建设单位11.1.3项目建设性质11.1.4项目建设地点11.1.5项目负责人11.1.6项目投资规模11.1.7项目建设规模21.1.8项目资金来源21.1.9项目建设期限21.2项目承建单位简介31.3编制依据31.4编制原则41.5研究范围51.6主要经济技术指标5第二章 项目背景及必要性分析72.1项目提出背景72.2项目发起缘由82.3项目建设必要性分析82.3.1积极响应我国新时期绿色发
2、展理念号召的现实举措82.3.2带动我国资源循环利用产业的发展需要92.3.3顺应我国战略性新兴产业节能环保事业快速发展的需要102.3.4促进国内新材料技术及产业化发展的要求112.3.5符合中国制造2025 “三步走”实现制造强国战略目标112.3.6增加就业带动相关产业链发展的需要122.3.7促进项目建设地经济发展进程的的需要132.4项目建设可行性分析132.4.1政策可行性132.4.2技术可行性142.4.2技术可行性152.4.3管理可行性152.5分析结论15第三章 行业市场分析173.1生态文明建设发展现状及意义分析173.2我国资源综合利用行业发展状况分析203.3我国资
3、源综合利用产业发展前景分析213.4我国新材料产业发展趋势及前景分析223.5我国煤制氢市场发展前景分析233.6市场分析结论26第四章 项目建设条件274.1地理位置选择274.2区域投资环境274.2.1区域地理位置274.2.2区域生态环境条件274.2.3区域气象条件284.2.4区域区位优势条件284.2.5区域经济发展条件28第五章 总体建设方案305.1总图布置原则305.2土建方案305.2.1总体规划方案305.2.2土建工程方案315.3主要建设内容325.4工程管线布置方案325.4.1给排水325.4.2供电345.5道路设计365.6总图运输方案375.7土地利用情况
4、375.7.1项目用地规划选址375.7.2用地规模及用地类型37第六章 产品及技术方案386.1主要产品方案386.2产品标准386.3产品价格制定原则386.4产品生产规模确定386.5项目产品生产工艺396.5.1工艺设计指导思想396.5.2 产品生产工艺流程39第七章 原料供应及设备选型407.1主要原料消耗407.2主要设备选型407.2.1设备选型原则407.2.2主要设备明细41第八章 节约能源方案428.1本项目遵循的合理用能标准及节能设计规范428.2建设项目能源消耗种类和数量分析428.2.1能源消耗种类428.2.2能源消耗数量分析428.3项目所在地能源供应状况分析4
5、38.4主要能耗指标及分析438.5节能措施和节能效果分析448.5.1工业节能448.5.2节水措施448.5.3建筑节能458.5.4企业节能管理468.6结论46第九章 环境保护与消防措施489.1设计依据及原则489.1.1环境保护设计依据489.1.2设计原则489.2建设地环境条件489.3 项目建设和生产对环境的影响499.3.1 项目建设对环境的影响499.3.2 项目生产过程产生的污染物509.4 环境保护措施方案509.4.1 项目建设期环保措施509.4.2 项目运营期环保措施529.4.3环境保护措施评价539.5绿化方案539.6消防措施549.6.1设计依据549.
6、6.2防范措施549.6.3消防管理559.6.4消防措施的预期效果56第十章 劳动安全卫生5710.1 编制依据5710.2概况5710.3 劳动安全5710.3.1工程消防5710.3.2防火防爆设计5810.3.3电力5810.3.4防静电防雷措施5810.4劳动卫生5910.4.1防暑降温与冬季采暖5910.4.2照明5910.4.3防烫伤5910.4.4噪声5910.4.5个人防护5910.4.6安全教育及防护60第十一章 企业组织机构与劳动定员6111.1组织机构6111.2劳动定员6111.3人力资源管理6111.4福利待遇62第十二章 项目实施规划6312.1建设工期的规划63
7、12.2建设工期6312.3实施进度安排63第十三章 投资估算与资金筹措6413.1投资估算依据6413.2建设投资估算6413.3流动资金估算6513.4资金筹措6513.5项目投资总额6513.6资金使用和管理68第十四章 财务及经济评价6914.1总成本费用估算6914.1.1基本数据的确立6914.1.2产品成本7014.1.3平均产品利润7114.2财务评价7114.2.1项目投资回收期7114.2.2项目投资利润率7114.2.3不确定性分析7214.3经济效益评价结论74第十五章 风险分析及规避7615.1项目风险因素7615.1.1不可抗力因素风险7615.1.2技术风险761
8、5.1.3场风险7615.1.4金管理风险7715.2风险规避对策7715.2.1不可抗力因素风险规避对策7715.2.2技术风险规避对策7715.2.3市场风险规避对策7715.2.4资金管理风险规避对策78第十六章 招标方案7916.1招标管理7916.2招标依据7916.3招标范围7916.4招标方式8016.5招标程序8016.6评标程序8116.7发放中标通知书8116.8招投标书面情况报告备案8116.9合同备案81第十七章 结论与建议8317.1结论8317.2建议83附 表84附表1 销售收入预测表84附表2 总成本表85附表3 外购原材料表86附表4 外购燃料及动力费表87附
9、表5 工资及福利表88附表6 利润与利润分配表89附表7 固定资产折旧费用表90附表8 无形资产及递延资产摊销表91附表9 流动资金估算表92附表10 资产负债表93附表11 资本金现金流量表94附表12 财务计划现金流量表95附表13 项目投资现金量表97附表14 资金来源与运用表99第一章 总 论1.1项目概要1.1.1项目名称年产煤制氢项目1.1.2项目建设单位X X能源科技开发有限公司1.1.3项目建设性质新建项目1.1.4项目建设地点黑龙江省X X市工业园区1.1.5项目负责人孙X1.1.6项目投资规模项目的总投资为12000.00万元,其中,建设投资为10000.00万元(土建工程
10、为3683.00万元,设备及安装投资4490.00万元,土地费用为1500.00万元,其他费用为178.46万元,预备费148.54万元),铺底流动资金为2000.00万元。项目建成后,达产可实现年产值55000.00万元,年均销售收入为47666.67万元,年均利润总额3980.57万元,年均净利润2985.43万元,年上缴税金及附加为343.37万元,年增值税为3433.65万元;投资利润率为33.17%,投资利税率64.65%,税后财务内部收益率24.86%,税后投资回收期(含建设期)为4.17年。1.1.7项目建设规模本项目主要生产产品为:煤制氢。本次建设项目总占地面积50亩,总建筑面
11、积22880.00平方米。主要建设内容及规模如下:主要建筑物、构筑物一览表工程类别工段名称层数占地面积(m2)建筑面积(m2)1、主要生产仓储工程生产车间110000.0010000.00仓储库房15000.005000.002、配套建筑工程办公综合楼31200.003600.00职工宿舍楼31200.003600.00门卫室180.0080.00配电室1200.00200.00其他辅助设施1400.00400.00合计18080.0022880.003、公共设施道路硬化及停车场110000.0010000.00绿化工程15000.005000.00缺陷。长颈速率过 快或直径变化太大易导致未来
12、长单晶失败,即 生成多晶体的现象 生成一定长度的颈子后,降低加热器输出功率 及晶种上拉速度,以逐渐增大新生晶体的直径 ,最後达到预定的直径,进而逐步升温以补偿 融液逐渐减少,散热率增加的现象,晶棒上拉 速度尽可能保持稳定。在长晶近于尾声时,提 高加热器输出功率及拉速以逐渐收小晶棒直径 ,最后生成圆锥底部,此做法是避免晶棒快速 离开融液急速降温导致的晶格缺陷。一般坩埚 底会残留 10%15% 的融液,因为偏析现象造 成高浓度的杂质在其中,以及避免融液所剩不 多液面温度不易精确控制,造成晶棒拉离液面 (Pop-Out) ,或导致多晶体成长的失败情况 区熔法单晶生长 如果需要生长极高纯度的硅单晶,其
13、技术选择是悬浮 区熔提炼,该项技术一般不用于 GaAs 单晶的生长。区 熔法可以得到低至 1011cm-3的载流子浓度。区熔生长技 术的基本特点是样品的熔化部分是完全由固体部分支 撑的,不需要坩埚。区熔方法的原理示于图 7 ,柱状 的高纯多晶材料固定于卡盘,一个金属线圈沿多晶长 度方向缓慢移动并通过柱状多晶,在金属线圈中通以 高功率的射频电流,射频功率激发的电磁场将在多晶 柱中引起涡流,产生焦耳热,通过调整线圈功率,可 以使得多晶柱紧邻线圈的部分熔化,线圈移过后,熔 料再结晶为单晶。另一种使晶柱局部熔化的方法是使 用聚焦电子束。整个区熔生长装置可置于真空系统中 ,或者有保护气氛的封闭腔室内 为
14、确保生长沿所要求的晶向进行,也需要使用 籽晶,采用与直拉单晶类似的方法,将一个很 细的籽晶快速插入熔融晶柱的顶部 27 ,先拉 出一个直径约 3mm ,长约 10 20mm 的细颈 ,然后放慢拉速,降低温度放肩至较大直径。 顶部安置籽晶技术的困难在于,晶柱的熔融部 分必须承受整体的重量,而直拉法则没有这个 问题,因为此时晶锭还没有形成。这就使得该 技术仅限于生产不超过几公斤的晶锭。图 8 画 出了另外一种装置,可用于区熔法生长大直径 晶体。该方法采用了底部籽晶的设置,在生长 出足够长的无位错材料后,将一个填充了许多 小球的漏斗形支承升起,使之承担晶锭的重量 。 GaAs 晶体的 LEC 生长技
15、术 从熔料中生长 GaAs 比起 Si 来要困难得多,原因之一 是两种材料的蒸气压不同。理想化学配比的 GaAs 在 12380C 时熔化,在此温度下,镓蒸气压小于 0.001atm ,而砷蒸气压比它大 104倍左右。很明显,在晶锭中维 持理想化学配比是极具挑战性的。用得最多的两种方 案:液封直拉法生长 (Liquid encapsulated Czochralski growth ,通常称为 LEC) 和 Bridgman 法生 长。 Bridgrmm 晶片的位错密度是最低的 ( 在 103cm-2 量级 ) ,通常用于制作光电子器件,比如激光二极管。 LEC 晶片可获得较大直径,易制成半绝
16、缘性材料,薄 层电阻率接近 100Mcm 。 LEC 晶片的缺点是其典 型的缺陷密度大于 104cm-2,这些缺陷中的多数归因于 60 800C cm 的纵向温度梯度而引起的热塑应力。 由于电阻率高,几乎所有的 GaAs 电子器件都使用 LEC 材料制造。 LEC 生长中,为了避免来自石英的硅掺入 GaAs 晶锭,不用石英坩埚而使用热解氮化硼 (pBN) 坩埚。为防止砷从熔料向外扩散, LEC 采用如图 9 所示的圆盘状紧配合密封,最常用 的密封剂为 B203。填料中稍许多加一些砷,可 以补充加热过程中损失的砷,直至大约 4000C 时,密封剂开始熔化并封住熔料。一旦填料开 始熔化,籽晶就可以
17、降下来,穿过 B203密封剂 ,直至与填料相接触。 Bridgman 法生长 GaAs 将固态的镓和砷原料装入一个熔融石英制的安瓿中,然 后将其密封。安瓿包括一个容纳固体砷的独立腔室,它 通过一个有限的孔径通向主腔,这个含砷的腔室可以提 供维持化学配比所需的砷过压。 安瓿安置在一个 SiC 制的炉管内,炉管则置于一个半圆 形的 SiC 制的槽上。然后炉管的加热炉体移动,并通过 填料,开始生长过程。通常采取这种反过来的移动方式 ,而不是让填料移动通过炉体,是为了减少对晶体结晶 的扰动。进行炉温的设置,使得填料完全处于炉体内时 ,能够完全熔化,这样,当炉体移过安瓿时,安瓿底部 的熔融 GaAs 填
18、料再结晶,形成一种独特的“ D” 形晶 体。如果愿意,也可以安放籽晶,使之与熔料相接触。 用这种方法生长的晶体直径一般是 12 英寸。要生长 更大的晶体,需要在轴向上精确控制化学组分,而在径 向上,需要精确控制温度梯度以获得低位错密度 ?9!”?e?=?A96? ?m?(?7?N?m?”?”? =?BH5t?!”E?6?hF”?AV? ?6?w? ?TI?=N9? ? Y?Y?Y?Y?%#? ?C*67F?CD?e?k?9”67?# ?8-?69PX?$P?C*67?67?WN? ?#?1*CD?_?1*?6? C*?6?R?u?3C*?6?67?1*? 6?67Sq?67Sq?1*?“?u
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21、GA : Ball Grid Arrag ) 芯片尺寸封装(芯片尺寸封装( CSP : Chip Scale Package) 晶圆级尺寸封装(晶圆级尺寸封装( WLP : Wafer Level CSP ) 薄型封装(薄型封装( PTP : Paper Thin Package ) 多层薄型封装(多层薄型封装( Stack PTP ) 裸芯片封装(裸芯片封装( COB , Flip chip ) 3.1 系统封装 EE141VLSI 集成电路和系统设计 DIP 封装结构形式 1965 年陶瓷双列直插式年陶瓷双列直插式 DIP 和 塑料包封结构式和 塑料包封结构式 D IP 引脚数:引脚数:
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