首都师范大学思想政治教育考博难度流程全解析【几深教育】.pdf
《首都师范大学思想政治教育考博难度流程全解析【几深教育】.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《首都师范大学思想政治教育考博难度流程全解析【几深教育】.pdf(9页珍藏版)》请在文库网上搜索。
1、 目目 录录 第 1 章 电力电子器件 1 第 2 章 整流电路4 第 3 章 直流斩波电路 20 第 4 章 交流电力控制电路和交交变频电路26 第 5 章 逆变电路31 第 6 章 PWM 控制技术35 第 7 章 软开关技术40 第 8 章 组合变流电路 42 PDF created with pdfFactory Pro trial version 1 第第 1 章章 电力电子器件电力电子器件 1. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。 或:uAK0 且 uGK0。 2. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸
2、管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持 电流。 要使晶闸管由导通变为关断, 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 3. 图 1- 43 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为 Im,试计算各波形的电流平均值 Id1、Id2、Id3与电流有效值 I1、I2、I3。 00222 4 4 2 5 4 a) b)c) 0 图 1- 43 晶闸管导电波形 解:a) Id1= 2 1 4 )(sinttdIm= 2 m I (1 2 2
3、+)0.2717 Im I1= 4 2 )()sin( 2 1 tdtIm= 2 m I 2 1 4 3 +0.4767 Im b) Id2 = 1 4 )(sinttdIm= m I (1 2 2 +)0.5434 Im I2 = 4 2 )()sin( 1 tdtIm= 2 2 m I 2 1 4 3 +0.6741I c) Id3= 2 1 2 0 )( tdIm= 4 1 Im I3 = 2 0 2 )( 2 1 tdIm= 2 1 Im 4. 上题中如果不考虑安全裕量,问 100A 的晶闸管能送出的平均电流 Id1、Id2、Id3各为 PDF created with pdfFact
4、ory Pro trial version 2 多少?这时,相应的电流最大值 Im1、Im2、Im3各为多少? 解:额定电流 I T(AV) =100A 的晶闸管,允许的电流有效值 I =157A,由上题计算结果知 a) Im1 4767. 0 I 329.35, Id10.2717 Im189.48 b) Im2 6741. 0 I 232.90, Id20.5434 Im2126.56 c) Im3=2 I = 314, Id3= 4 1 Im3=78.5 5. GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 结构, 为什么GTO 能够自关断, 而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶闸管同为 PNP
5、N 结构,由 P1N1P2和 N1P2N2构成两个晶体管 V1、V2,分 别具有共基极电流增益 1 和 2 ,由普通晶闸管的分析可得, 1 + 2 =1 是器件临界导通 的条件。 1 + 2 1,两个等效晶体管过饱和而导通; 1 + 2 1,不能维持饱和导通而 关断。 GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为 GTO 与普通晶闸管在设计和 工艺方面有以下几点不同: 1) GTO 在设计时 2 较大,这样晶体管 V2控制灵敏,易于 GTO 关断; 2) GTO 导通时的 1 + 2 更接近于 1,普通晶闸管 1 + 2 1.15,而 GTO 则为 1 + 2 1.05,GTO 的饱和
6、程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利 条件; 3) 多元集成结构使每个 GTO 元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得 P2极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 6. 如何防止电力 MOSFET 因静电感应应起的损坏? 答:电力 MOSFET 的栅极绝缘层很薄弱,容易被击穿而损坏。MOSFET 的输入电容是低 泄漏电容,当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过20 的击穿电压,所以为防止 MOSFET 因静电感应而引起的损坏,应注意以下几点: 一般在不用时将其三个电极短接; 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地,测试时所有仪器外壳必须接地; 电路中
7、,栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。 7. IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的驱动电路各有什么特点? 答:IGBT 驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT 是电压驱动型器件, IGBT 的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 PDF created with pdfFactory Pro trial version 3 GTR 驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过 冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基 极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断
8、速度。 GTO 驱动电路的特点是: GTO 要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅 值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和 陡度要求更高, 其驱动电路通常包括开通驱动电路, 关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 电力 MOSFET 驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且 电路简单。 8. 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析 RCD 缓冲电路中各元件的作 用。 答:全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压,du/dt 或过电流和 di/dt, 减小器件的开关损耗。 RCD 缓冲电路中,各元件的作用是:开通时,
9、Cs经 Rs放电,Rs起到限制放电电流的 作用;关断时,负载电流经 VDs从 Cs分流,使 du/dt 减小,抑制过电压。 9. 试说明 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。 解:对 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表: 器 件 优 点 缺 点 IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉 冲电流冲击的能力,通态压降较低, 输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率 小 开关速度低于电力 MOSFET,电 压,电流容量不及 GTO GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流 能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流驱动,所需 驱动功率大,驱动电路复杂
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 几深教育 首都师范大学 思想政治教育 难度 流程 解析 教育