氮化镓静电浪涌保护方案.pdf

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氮化镓GaN静电浪涌防护方案上海雷卯上海雷卯电电子科技有限公司子科技有限公司E-mail:FAETel:021-50828806Fax:021-TVSESDTSSPPTCGDTMOV防雷防静电专家前因：氮化镓不具有瞬态浪涌吸收能力，电路开关瞬态和雷击浪涌时，过流过压不能超过氮化镓的额定能力。方案优点：处于反激式电源变压器初级的TVS能充分吸收FET开关瞬态产生的过冲能量，反应快、低残压、可控.本方案采用：PTVS160AF单颗器件防护,功率大，体积小，节约空间.型号型号描述描述VcIppIpp 10/1000us外观外观封装封装PTVS160AF VRMW 160V200W259V0.7ASOD-123FL型号型号描述描述IppVc外观封装05D471KV1mA470VVac300V5A810V插件型号型号描述8/20us1KV/us外观封装SMD4532-600NF600V30%（100V/s）3KA1200V4.5*3.2*2.7型号型号描述If(AV)Ifsm外观封装 ABS10VrMAX1000V0.5A20AABS

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