1、UCCULUDC必3，H中华人民共和国国家标准pGB 50809-2012硅集成电路芯片工厂设计规范Code for design of silicon integrated circuits wafer fabS/N:1580177-963电 :400-670-9365 网站:9365.org统一书号：1580177-963定 价:18. 00元2012-10- 11 发布2012-12-01 实施中华人民共和国住房和城乡建设部中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局耿口友伟中华人民共和国国家标准硅集成电路芯片工厂设计规范Code for design of silicon integrate
2、d circuits wafer fabGB 50809 -2012主编部门：中华人民共和国工业和信息化部批准部门：中华人民共和国住房和城乡建设部施行日期：2 0 1 2年1 2月1日中国计划出版社2012 北 京中华人民共和国住房和城乡建设部公告第1497号住房城乡建设部关于发布国家标准硅集成电路芯片工厂设计规范的公告中华人民共和国国家标准现批准硅集成电路芯片工厂设计规范为国家标准，编号为 GB 508092012,自2012年12月1日起实施。其中，第5.2.1、 5-3. 1,8. 2. 4,8. 3. 11条为强制性条文，必须严格执行。本规范由我部标准定额研究所组织中国计划出版社出版
3、发行。硅集成电路芯片工厂设计规范GB 50809-2012中国计划出版社出版网址:www. jhpress. com地址：北京市西城区木樨地北里甲11号国宏大厦C座4层邮政编码：100038电话：(010) 63906433 (发行部)新华书店北京发行所发行中华人民共和国住房和城乡建设部2012年10月11日北京世知印务有限公司印刷850mmX 1168mm 1/32 3 印张 76 千字2012年12月第1版2012年12月第1次印刷统一书号：1580177 - 963定价：18.00元版权所有侵权必究侵权举报电话：(010) 63906404如有印装质量问题，请寄本社出版部调换 本规范是根
4、据原建设部关于印发2008年工程建设标准规 范制定、修订计划的通知（第二批）（建标2008105号）的要求, 由信息产业电子第十一研究院科技工程股份有限公司会同有关单 位共同编制完成。在规范编制过程中，编写组根据我国硅集成电路芯片工厂的 设计、建造和运行的实际情况，进行了大量调查研究，同时考虑我 国目前集成电路生产的现状，对国外的有关规范进行深入的研读, 广泛征求了全国有关单位与个人的意见，并反复修改，最后经审查 定稿。本规范共分12章，主要内容包括:总则、术语、工艺设计、总体 设计、建筑与结构、防微振、冷热源、给排水及消防、电气、工艺相关 系统、空间管理、环境安全卫生等。本规范中以黑体字标志
5、的条文为强制性条文，必须严格执行。本规范由住房和城乡建设部负责管理和对强制性条文的解 释，由工业和信息化部负责日常管理，由信息产业电子第十一设计 研究院科技工程股份有限公司负责具体技术内容的解释。本规范 在执行过程中，请各单位结合工程实践,认真总结经验，如发现需 要修改和补充之处，请将意见和建议寄至信息产业电子第十一设 计研究院科技工程股份有限公司硅集成电路芯片工厂设计规范 管理组（地址：四川省成都市双林路251号，邮政编码= 610021,传 真：028-84333172），以便今后修订时参考。本规范主编单位、参编单位、主要起草人和主要审査人：主编单位:信息产业电子第十一设计研究院科技工程股
6、份有限公司 1 信息产业部电子工程标准定额站 参编单位：中国电子工程设计院中芯国际集成电路制造有限公司上海华虹NEC微电子有限公司 1 主要起草人：王毅勃黄华敬朱琳徐小诚主要审查人：陈霖新彭力周礼誉王明云李骥肖劲戈江元升 何武夏双兵陆崎谢志雯 刘娟刘序忠高艳敏朱海英 刘姗宏薛长立 韩方俊 王天龙 刘志弘 刘峠侃 李东升 毛煜林 杨 琦1 总 则 （1 ）2 术 语 （2 ）3工艺设计（4 ）3. 1 一般规定 （4 ）3.2 技术选择 （4 ）3. 3 工艺布局 （4 ）4总体设计（7 ）4.1厂址选择（7 ）4. 2 总体规划及布局（7 ）5 建筑与结构（8 ）5. 1 建筑（8 ）5.2
7、结构（8 ）5.3 防火疏散 （9 ）6防微振（10）6. 1 一般规定 （10）6. 2 结构（10）6.3 机械（11）7 冷热源（12）8给排水及消防（14）8. 1 一般规定 （14）8.2 给排水（14）8. 3 消防（15）8. 4 灭火器（17）9 电 气 （18）1 -49.1 供配电(18)9.2 照明(18)9.3 接地(19)9.4防静电(19)9.5通信与安全保护(20)9.6电磁屏蔽(21)10 工艺相关系统 (23)10. 1净化区(23)10.2 工艺排风 (24)10. 3纯水(25)10.4 废水(27)10. 5工艺循环冷却水 (27)10. 6大宗气体(2
8、8)10.7干燥压缩空气(29)10. 8真空(30)10. 9特种气体(31 )10. 10 化学品(32)11 空间管理(35)12 环境安全卫生 (37)本规范用词说明 (38)引用标准名录(39)附:条文说明(41)Contents1 General provisions (1)2 Terms (2)3 Process design (4)3. 1General requirement (4)3.2 Technology selection (4)3. 3Process layout (4)4 Site master design (7)4. 1Site selection (7)4.
9、 2Overall planning and plan layout (7)5 Architecture and structure (8)5. 1Architecture (8)5. 2 Structure * ( 8 )5. 3Fire evacuation (9)6 Microvibration (10)6. 1 General requirement * ( 1 0 )6. 2 Structure ( 10)6. 3Machinery (1 1 )7 Utilities (12)8 Plumbing and fire protection (14)8. 1General require
10、ment (14)8. 2Water supply and drainage (1 4 )8. 3Fire protection (1 5 )8. 4 Fire hydrant (17)9 Electrical (18)9. 1Power supply and distribution ( 1 8 )9. 2Lighting ( 18)9. 3Grounding ( 19)9. 4Protection of electrostatic discharge ( 1 9 )9. 5Telecommunication and safety ( 20)9. 6Electro magnetic comp
11、atibility (21 )10 Process-related systems (23)10. 1 Clean room (23)10. 2Process exhaust ( 2 4 )10. 3Pure water ( 2 5 )10. 4 Waste water (27)10. 5 Process recirculated cooling water (27)10. 6Bulk gases (28)10. 7 Compressed dry air (29)10. 8Vacuum (30)10. 9 Specialty gases ( 3 1 )10. 10Chemicals (32)1
12、1 Space management (35)12 Environment, safety and health (37)Explanation of wording in this code (38)List of quoted standards (39)Addition： Explanation of provisions (41) 1.0.1为在硅集成电路芯片工厂设计中贯彻执行国家现行法律、 法规，满足硅集成电路芯片生产要求，确保人身和财产安全，做到 安全适用、技术先进、经济合理、环境友好,制定本规范。1.0.2本规范适用于新建、改建和扩建的硅集成电路芯片工厂的 工程设计。1.0.3硅
13、集成电路芯片工厂的设计应满足硅集成电路芯片生产 工艺要求，同时应为施工安装、调试检测、安全运行、维护管理提供 必要条件。1.0.4硅集成电路芯片工厂的设计，除应符合本规范外，尚应符 合国家现行有关标准的规定。2. 0. 1 硅片 wafer 从拉伸长出的高纯度单晶硅的晶锭经滚圆、切片及抛光等工 序加工后所形成的硅单晶薄片。2. 0. 2 线宽 critical dimension为所加工的集成电路电路图形中最小线条宽度，也称为特征 尺寸。2. 0. 3 洁净室 clean room 空气悬浮粒子浓度受控的房间。2. 0. 4 空气分子汚染 airborne molecular contamin
14、ant 空气中所含的对集成电路芯片制造产生有害影响的分子污 染物。2. 0. 5 标准机械接口 standard mechanical interface适用于不同生产设备的一种通用型接口装置，可将硅片自动 载入设备,并在加工结束后将硅片送出，同时保护硅片不受外界环 境污染。2. 0. 6 港湾式布置bay and chase生产工艺设备按不同的洁净等级进行布置，并以隔墙分隔生 产区和维修区。2. 0. 7 大空间式布置ball room生产工艺设备布置在同一个区域，全区釆用同一洁净等级，未划分生产区和维修区。2. 0. 8 自动物料处理系统automatic material handlin
15、g sys-tem(AMHS)在硅集成电路芯片工厂内部将硅片和掩模板在不同的工艺设 备或不同的存储区域之间进行传输、存储和分发的自动化系统。2. 0. 9 纯水 pure water 根据生产需要，去除生产所不希望保留的各种离子以及其他杂质的水。2. 0. 10 紧急应变中心emergency response center内设各种安全报警系统和救灾设备的安全值班室，为24h事 故处理中心和指挥中心。3工艺设计3.1 一般规定3.1.1硅集成电路芯片工厂的工艺设计应符合下列要求：1满足产品生产的成品率的要求；2满足工厂产能的要求；3具有工厂今后扩展的灵活性；4满足节能、环保、职业卫生与安全方面
16、的要求。3.1.2硅集成电路芯片工厂设计时应合理设置各种生产条件，在 满足硅集成电路生产要求的前提下，宜投资少、运行费用低、生产 效率高。3.2技术选择3. 2.1生产的工艺技术和配套的设备应按硅集成电路芯片工厂 的产品类型、月最大产能、生产制造周期、投资金额、长期发展进程 等因素确定。3.2.2对于线宽在0.35gn及以上工艺的硅集成电路的研发和 生产,宜釆用4英寸6英寸芯片生产设备进行加工。3. 2.3对于线宽在0. 13Mm及以上工艺的硅集成电路的研发和 生产,宜釆用8英寸芯片生产设备进行加工。3.2.4 对于线宽在20nm90nm工艺及以下的硅集成电路的研 发和生产，宜釆用12英寸芯片
17、生产设备进行加工。3.3 工艺布局3. 3.1工艺布置应满足产品类型、规划和产能目标的要求。3.3.2工艺布局应根据生产工序分为包含光刻、刻蚀、清洗、 氧化/扩散、溅射、化学气相淀积、离子注入等工序在内的核心 生产区，以及包括更衣、物料净化、测试等工序在内的生产支 持区。3.3.3核心生产区的布局应围绕光刻工序为中心进行布置（图 3.3. 3）,工艺布局应缩短硅片传送距离，并应避免硅片发生工序间 交叉污染。图3. 3.3硅集成电路芯片生产工艺流程3.3.4 4英寸6英寸芯片核心生产区宜釆用港湾式布局。3.3.5 8英寸12英寸芯片核心生产区宜釆用微环境和标准机 械接口系统，并宜釆用大空间式布局
18、。3. 3.6 8英寸12英寸芯片核心生产区宜将生产辅助设备布置 在下技术夹层。3. 3. 7工艺设备的间隔应满足相邻设备的维修和操作需求。3.3.8操作人员走道的宽度应符合下列原则：1应满足设备正常操作的需要；2应满足人员通行和材料搬运的需要；3应满足材料暂存的需要。 4 5 3.3.9生产厂房宜设置参观走道，并应避免影响生产的人流和物 流路线以及应急疏散。4总体设计3.3.10 8英寸12英寸芯片生产宜根据生产规模设置自动物料 处理系统(AMHS)。 6 7 4.1厂址选择4. 1. 1厂址选择应符合国家及地方的总体规划、技术经济指标、 环境保护等要求，并应符合企业自身发展的需要，基础设施
19、优良。4.1.2厂址所在区域应大气含尘量低，并应无洪水、潮水、内涝、 飓风、雷暴威胁。4.1.3厂址场地应相对平整，距外界强振动源及强电磁干扰源 较远。4.2总体规划及布局4. 2.1工厂厂区应包括办公、生产、动力、仓储等功能区域，并应 以生产区为核心进行布置。4. 2.2厂区宜结合工厂发展情况预留发展用地。4. 2.3厂区的人流、物流出入口应分开设置。4. 2.4工厂的动力设施宜集中布置并靠近工厂的负荷中心。4. 2.5厂区内车辆停放场地应满足当地规划要求。4. 2.6动力设施主要噪声源宜集中布置，并应确保场区边界的噪 声强度分别符合现行国家标准工业企业噪声控制设计规范 GBJ 87及工业企
20、业厂界环境噪声排放标准GB 12348的限值 规定。4. 2.7厂区内应设置消防车道。4. 2.8工厂厂区内宜规划设备临时存储场地。4. 2.9厂区道路面层应选用整体性能好、发尘少的材料。4. 2. 10厂区绿化不应种植易产生花粉及飞絮的植物。5建筑与结构5.1 建 筑5.1.1硅集成电路芯片工厂的建筑平面和空间布局应适应工厂 发展及技术升级。5. 1.2硅集成电路芯片工厂应包括芯片生产厂房、动力厂房、办 公楼和仓库等建筑。生产厂房、办公楼、动力厂房之间的人流宜采 用连廊进行联系。5. 1. 3生产厂房的外墙应采用满足硅集成电路芯片生产对环境 的气密、保温、隔热、防火、防潮、防尘、耐久、易清洗
21、等要求的材料。 5.1.4生产厂房外墙应设有设备搬入的吊装口及吊装平台。5.1.5生产厂房建筑及装修应避免釆用含挥发性有机物的材料 和溶剂七5. 1.6 -生产厂房应设置与生产设备尺寸和重量匹配的货运电梯。 5.1.7生产厂房内应设有工艺设备、动力设备的运输安装通道; 搬运通道区域的高架地板应满足搬入设备荷载要求。5.1.8生产厂房中技术夹层、技术夹道的建筑设计，应满足各种 风管和各种动力管线安装、维修要求。5.1.9生产厂房外墙和室内装修材料的选择应符合现行国家标 准建筑内部装修设计防火规范GB 50222和电子工业洁净厂房 设计规范GB 50472的规定。5.2结 构5.2.1抗震设防区的
22、硅集成电路芯片工厂建筑物应按现行国家 标准建筑工程抗震设防分类标准GB 50223的规定确定抗震设 防类别及抗震设防标准。5.2.2生产厂房的主体结构宜釆用钢筋混凝土结构、钢结构或钢 筋混凝土结构和钢结构的组合，并应具有防微振、防火、密闭、防 水、控制温度变形和不均匀沉降性能。5.2.3生产厂房宜釆用大柱网大空间结构形式，柱网尺寸宜为 600mm的模数。5.2.4生产厂房变形缝不宜穿越洁净生产区。5.3防火疏散5.3.1硅集成电路芯片厂房的火灾危险性分类应为丙类，耐火等 级不应低于二级。5.3.2芯片生产厂房内防火分区的划分应满足工艺生产的要求， 并应符合现行国家标准电子工业洁净厂房设计规范G
23、B 50472 的规定。5.3.3洁净区的上技术夹层、下技术夹层和洁净生产层，当按其 构造特点和用途作为同一防火分区时，上、下技术夹层的面积可不 计入防火分区的建筑面积，但应分别釆取相应的消防措施。5.3.4每一生产层、每个防火分区或每一洁净区的安全出口设 计，应符合下列规定：1安全出口数量应符合现行国家标准洁净厂房设计规范 GB 50073的相关规定；2安全出口应分散布置，并应设有明显的疏散标志；3安全疏散距离可根据生产工艺确定，但应符合现行国家标 准电子工业洁净厂房设计规范GB 50472的规定。6防微振6.1 一般规定6.1.1硅集成电路芯片厂房应满足光刻及测试设备的防微振 要求。6.1
24、.2硅集成电路芯片厂房的选址应对场地周围的振源进行充 分的调查与评估。6.1. 3厂址选择除既有环境的振源外，尚应计及在未来可能产生 的振源对拟建厂房的影响。6.1.4振动大的动力设备和运输工具等应远离对振动敏感的净 化生产区域，动力厂房与生产厂房不宜贴近布置。6.1.5硅集成电路芯片厂房宜在下列阶段进行微振测试和评价: 1在建设前，对场地素地进行测试和评价；2生产厂房结构体完工后，对于布置光刻及测试设备的区域 进行测试；3生产厂房竣工时，对布置光刻及测试设备的区域进行 测试。6.2结 构6. 2. 1生产厂房防微振除应计及场地振动外，尚应计及动力设 备、洁净区机电系统、物料传输系统运行中产生
25、的振动，以及人员 走动的影响。6. 2.2生产厂房结构宜采用在下夹层实施小柱距柱网或在下夹 层设置防振墙或柱间支撑等有利于微振控制的措施。6. 2. 3生产厂房结构分析时应计及由于防微振需要所设的支撑 或防振墙等抗侧力构件的影响。6. 2.4生产厂房的地面宜釆用厚板型钢筋混凝土地面。布置微 振敏感设备区域的建筑地坪厚度不宜小于300mm。当钢筋混凝 土地面兼作上部结构的筏板基础时，厚度不宜小于600mm。6.3机 械6.3.1动力设备应釆取动平衡好、运行平稳、低噪声的产品。6.3.2对于易产生振动的动力设备及管道应釆取隔振、减振 措施。6.3.3对于靠近振动敏感区的管道应控制管道内介质的流速。
26、6. 3.4精密设备和仪器的防微振宜釆用专用防振基座，其基座平 台的基本频率应避开其下支承结构的共振频率和其他振源的共振 频率。 10 4 14 7冷热源7. 0. 1硅集成电路芯片厂房的冷热源设置应满足当地气候、能源 结构、技术经济指标及环保规定，并应符合下列要求：1宜采用集中设置的冷热水机组和供热、换热设备，供应应 连续可靠；2应釆用城市、区域供热和当地工厂余热；3可采用燃气锅炉、燃气热水机组供热或燃气漠化锂吸收式 冷热水机组供冷、供热；4可釆用燃煤锅炉、燃油锅炉供热，电动压缩式冷水机组供 冷和吸收式冷热水机组供冷、供热。7. 0. 2在需要同时供冷和供热的工况下，冷水机组宜根据负荷要 求
27、选用热回收机组，并应采用自动控制的方式调节机组的供热量。 7.0.3冷热源设备台数和单台容量应根据全年冷热负荷工况合 理选择，并应保证设备在高、低负荷工况下均能安全、高效运行，冷 热源设备不宜少于2台。7. 0. 4过渡季节或冬季需用一定量的供冷负荷时，可利用冷却塔 作为冷源设备。7. 0.5冷水机组的冷冻水供、回水温差不应小于5C,在满足工 艺及空调用冷冻水温度的前提下，应加大冷冻水供、回水温差和提 高冷水机组的出水温度。7.0.6非热回收水冷式冷水机组的常温冷却水的热量宜回收 利用。7. 0.7当冷负荷变化较大时，冷源系统设备宜釆用变频调速 控制。7.0.8电动压缩式制冷机组的制冷剂应符合
28、有关环保的要求，采 用过渡制冷剂时,其使用年限应符合国家禁用时间。7. 0.9燃油燃气锅炉应选用带比例调节燃烧器的全自动锅炉，且 每台锅炉宜独立设置烟囱，烟囱的高度应符合相关国家标准及当 地环保要求的规定。7. 0. 10锅炉房排放的大气污染物，应符合现行国家标准锅炉大 气污染物排放标准GB 13271和大气污染物综合排放标准 GB 16297的规定，以及所在地区有关大气污染物排放的规定。8给排水及消防8. 1 一般规定8.1.1给排水系统应满足生产、生活、消防以及环保等要求，应在 水量平衡的基础上提高节约用水和循环用水的水平，并应做到技 术先进、经济合理、节水节能、减少排污。8.1.2给排水
29、系统应在满足使用要求的同时为施工安装、操作管 理、维修检测和安全保护提供基础条件。8.1.3给排水管道穿过房间墙壁、楼板和顶棚时应设套管，管道 和套管之间应釆取密封措施。无法设置套管的部位也应釆取密封 措施。8. 1.4给排水管道在可能冻结的区域应釆取防冻措施，外表面可 能产生结露的管道应釆取防结露措施。洁净区内给排水管道绝热 结构的最外层应釆用不发尘材料。8.2给排水8.2.1给水系统应按生产、生活、消防等对水质、水压、水温的不 同要求分别设置。8. 2.2生产和生活给水系统宜利用市政给水管网的水压直接 供水。8.2.3当市政给水管网的水压、水量不足时，生产、生活给水系统 应设置贮水装置和加
30、压装置进行调节。贮水装置不得影响水质并 设有水位指示。加压装置宜釆用变频调速设备，并应设置备用泵， 备用泵供水能力不应小于供水泵中最大一台的供水能力。8. 2.4不同水源、水质的用水应分系统供水。严禁将城市自来水 管道与自备水源或回用水源的给水管道直接连接。8.2.5生产废水的排水系统应根据废水的污染因子、废水浓度、 产水流量以及废水处理的工艺确定，宜釆用重力流的方式自流至 废水处理站。8.2.6生产废水干管宜设置在地沟或生产厂房下夹层内，严寒地 区的室外管沟内的排水管应采取保温防冻措施。8. 2. 7排放腐蚀性废水的架空管道应釆用双层管道，不宜釆用法 兰连接。如必须釆用时，法兰处应釆取防渗漏
31、措施。8.2.8洁净区内工艺设备的生产排水宜采用接管排水，设备附近 宜设置事故地漏。排水干管宜设置透气系统。8. 2.9洁净区内应采用不易积存污物、易于清洗的卫生设备、管 道、管架及其附件。8. 2.10有害化学品贮存间和配送间应设置用于输送事故泄漏的 化学药剂和消防排水至安全场所的排水措施。8.2.11用于贮存事故泄漏的化学药剂及消防排水的室内地沟等 设施的贮存容积不应小于最大罐化学药剂容积。8.3消 防8.3.1硅集成电路芯片工厂除应釆取防火措施以外，还应结合我 国当前的技术、经济条件，配置必要的灭火设施。8.3.2洁净区内除应设置室内消火栓系统、自动喷水灭火系统和 灭火器系统外，还应根据
32、生产工艺或设备的具体条件和要求，有针 对性的设置其他消防设备。8.3.3消防水泵应设备用泵，消防泵房应设置备用动力源。8.3.4厂房室外消防给水可釆用高压、临时高压或低压给水系 统，并应符合现行国家标准建筑设计防火规范GB 50016的 规定。8. 3.5生产厂房洁净生产层及上、下技术夹层除不通行的技术夹 层外，应根据面积大小、设备台数等设置室内消火栓。8.3.6设置于生产厂房内的室内消火栓宜设单独隔断阀门。8.3.13工艺排风管道的消防保护应符合下列要求：1设置于厂房内，用于输送可燃气体且最大等效内径大于或 等于250mm的金属或其他非可燃材质的排风管道，应在风管内 设置喷头；2风管内自动喷
33、水灭火系统的设计喷水强度不得小于 1. 9L/min n?,风管内自动喷水灭火系统设计流量应满足最远端 5个喷头的出水量，单个喷头实际出水量不应小于76L/min,水平 风管内喷头距离不得大于6. Im,垂直风管内喷头最大间距不得大 于 3. 7m；3为风管内喷头供水的干管上应设置独立的信号控制阀；4设置喷头保护的排风管应设置避免消防喷水蓄积的排水 措施；5安装在腐蚀性气体风管内的喷头及管件应釆取防腐蚀材 16 178. 3. 7生产厂房洁净生产层及洁净区吊顶或技术夹层内，均应设 置自动喷水灭火系统，设计参数宜按表8. 3. 7规定确定。表8. 3.7自动喷水灭火系统设计参数设计区域设计喷水
34、强度设计作用面积单个喷头 保护面积喷头动作 温度灭火作用 时间洁净区域8. 0L/min m2280m213m257C77笆60min8.3.8洁净区的建筑构造材料为非可燃物且该区域内也无其他 可燃物的存在时,该区域可不设自动喷水灭火系统。8.3.9垂直单向流的洁净区和洁净区域应使用快速响应喷头。8.3. 10洁净区吊顶下喷头宜釆用不锈钢柔性接管与自动喷水灭 火系统供水管道相连接。8. 3.11存放易燃易爆的特种气体气瓶柜间内应设置自动喷水灭 火系统喷头。8. 3. 12在硅烷配送区域应设置直接作用于各气瓶的水喷雾系 统，系统的动作信号应来自火灾探测器，且火灾探测器应与气瓶上 的自动关断阀联动
35、。质或衬涂合适的防腐材料；6风管内喷头的安装应便于定期维护检修。8.4 灭火器8. 4. 1在洁净区内应设置灭火器。8.4.2洁净区内宜选用二氧化碳等对工艺设备和洁净区环境不 产生污染和腐蚀作用的灭火剂。8. 4.3在洁净区内的通道上宜设置推车式二氧化碳灭火器。8. 4.4其他灭火剂的选择应计及配置场所的火灾类型、灭火能 力、污损程度、使用的环境温度以及与可燃物的相容性。9电 气9.1供配电9.1.1硅集成电路芯片工厂应根据当地电网结构以及工厂负荷 容量确定合理的供电电压。9.1.2硅集成电路芯片工厂用电负荷等级应为一级，其供电品质 应满足芯片生产工艺及设备的要求，并应符合现行国家标准供配 电
36、系统设计规范GB 500524爆炸和火灾危险环境电力装置设计 规范GB 50058及电子工业洁净厂房设计规范GB 50472的 规定。9.1.3硅集成电路芯片厂房配电电压等级应符合生产工艺设备 及动力设备的要求。9.1.4硅集成电路芯片厂房的供电系统应将生产工艺设备与动力 设备的供电分设,生产工艺设备宜釆用独立的变压器供电并釆取抑 制浪涌的措施。带电导体系统的形式宜釆用单相二线制、三相三线 制、三相四线制，系统接地型式宜釆用TNS或TN-C-S系统。9.1.5对于有特殊要求的工艺设备，应设不间断电源（UPS）或备 用发电装置。9.2照 明9.2.1硅集成电路芯片工厂生产区域照明的照度值应根据工
37、艺 生产的要求确定。9.2.2生产厂房技术夹层内宜设置检修照明。9. 2. 3生产厂房内应设置供人员疏散用应急照明，其照度不应低 于5.0 lx。在安全出入口、疏散通道或疏散通道转角处应设置疏 散标志。在专用消防口应设置红色应急照明指示灯。9.2.4生产厂房洁净区宜选用吸顶明装、不易积尘、便于清洁的 灯具。当釆用嵌入式灯具时，其安装缝隙应釆取密封措施。9.2.5生产厂房的光刻区应釆用黄色光源，黄光的波长应根据生 产工艺要求确定。9. 2.6生产厂房备用照明的设置应符合下列规定：1洁净区内应设计备用照明；2备用照明宜作为正常照明的一部分，且不应低于该场所一 般照明照度值的20%。9.3接 地9.
38、3. 1生产设备的功能性接地应小于1。，有特殊接地要求的设 备，应按设备要求的电阻值设计接地系统。9.3.2功能性接地、保护性接地、电磁兼容性接地、建筑防雷接 地，宜釆用共用接地系统,接地电阻值应按其中最小值确定。9. 3. 3生产设备的功能性接地与其他接地分开设置时，应釆取防 止雷电反击措施。分开设置的接地系统接地极宜与共用接地系统 接地极保持20m以上的间距。9.4防静电9.4.1硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区。9. 4.2防静电工作区的地面和墙面、柱面应釆用导静电型材料。 导静电型地面、墙面、柱面的表面电阻、对地电阻应为2. 5X10,。 ixio6n,摩擦起电电压不应大于
39、ioov,静电半衰期不应大于o. iso9. 4.3防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品，并应根 据生产工艺的需要设置静电消除器、防静电安全工作台。9. 4.4防静电环境的门窗选择应符合下列要求：1应选用静电耗散材料制作门窗或釆用静电耗散型材料 贴面；2金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层，并应接地； 18 21 20 3室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时，其表面应粘贴静电 耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层。9. 4.5防静电环境的净化空调系统送风口和风管，应选用导电材 料制作，并应接地。9.4.6防静电环境的净化空调系统、各种配管使用部分绝缘性材 质时,应在其表面安装紧密结合的金属网并将其
40、接地。当使用导 电性橡胶软管时,应在软管上安装与其紧密结合的金属导体，并应 用接地引线与其可靠接地。9.4.7生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面、门窗、吊顶的金 属骨架应与接地系统做可靠连接；导静电地面、防静电活动地板、 工作台面、座椅等应做防静电接地。9.4.8生产厂房防静电接地设计及其他要求，应按现行国家标准 电子工程防静电设计规范GB 50611的有关规定执行。9.5通信与安全保护9. 5.1硅集成电路芯片工厂内应设通信设施，并应符合下列 要求：1厂房内电话/数据布线应釆用综合布线系统，综合布线系 统的配线间或配线柜不应设置在布置工艺设备的洁净区内；2应设置生产、办公及动力区之间联系的语
41、音通信系统；3应根据管理及工艺的需要设置数据通信局域网及与因特 网连接的接入网；4宜设置集中式数据中心。9.5.2生产厂房应设置火灾自动报警系统，其防护对象的等级不 应低于一级,火灾自动报警系统形式应釆用控制中心报警系统，并 应符合下列要求：1应设有消防控制中心，并应符合现行国家标准建筑设计 防火规范GB 50016的规定；2生产厂房内火灾探测应采用智能型探测器。在封闭房间 内使用或存储易燃、易爆气体及有机溶剂时，房间内应设置火焰探 测器；3生产厂房洁净区内净化空调系统混入新风前的回风气流 中，宜设置高灵敏度早期报警火灾探测器；4在洁净区空气处理设备的新风或循环风的回风口处，宜设 风管型火灾探
42、测器。9.5.3生产厂房应设置火灾自动报警及消防联动控制。控制设 备的控制及显示功能应符合现行国家标准建筑设计防火规范 GB 50016及电子工业洁净厂房设计规范GB 50472的规定。9.5.4生产厂房应设置气体泄漏报警装置，并应符合现行国家标 准建筑设计防火规范GB 50016及特种气体系统工程技术规 范GB 50646的规定。9.5.5生产厂房应设化学品液体泄漏报警装置，并应符合现行国 家标准电子工厂化学品系统工程技术规范GB 50781的规定。9. 5.6生产厂房应设置广播系统，洁净区内应釆用洁净室型扬声 器。当广播系统兼事故应急广播系统时，应符合现行国家标准火 灾自动报警系统设计规范
43、GB 50116的有关规定。9.5.7芯片工厂内应设置闭路电视监控系统，监控摄像机宜釆用 彩色摄像机，闭路电视监控系统监控图像存储时间不应少于Nd。9.5.8芯片工厂内宜设置门禁系统，所有进入洁净区的通道均应 设置通道控制，洁净区内门禁读卡器宜釆用非接触型。9.6电磁屏蔽9. 6. 1硅集成电路芯片生产相关工序的房间和测量、仪表计量房 间，凡属下列情况之一，应釆取电磁屏蔽措施：1环境的电磁场强度超过生产设备和仪器正常使用的允 许值；2生产设备及仪器产生的电磁泄漏超过干扰相邻区域所允许的环境电磁场强度值; 22 23 3有特殊电磁兼容要求时。9.6.2环境电磁场场强宜以实测值为设计依据。缺少实洌
44、数据 时，可釆用理论计算值再加上6dB8dB的环境电平值作岛干扰 场强。9. 6. 3生产设备和仪器所允许的环境电磁场强度值，应以产品技 术说明要求为依据。9.6.4对需要釆取电磁屏蔽措施的生产工序，在满足生产操作和 屏蔽结构体易于实现的前提下，宜直接对生产工序中的设备工作 地环境进行屏蔽。9. 6.5对需要釆取电磁屏蔽措施的区域，屏蔽结构的屏蔽效能应 在工作频段有不小于10dB的余量。屏蔽室的电磁屏蔽效能，可 按表9.6.5的数值确定。表9. 6.5屏蔽室的电磁屏蔽效能頻段简易屏蔽一般屏蔽高性能屏蔽特殊屏蔽10kHz 1GHzlGHz80dBNIOOdB9.6.6屏蔽措施可选择下列方式：1直
45、接对生产设备工作地环境进行屏蔽时，宜选择装配式的 商品屏蔽室；2对生产工序整体环境进行屏蔽时，宜选择非标设计和施工 安装的屏蔽体；3对仪表计量房间的电磁进行屏蔽时，装配式的商品屏蔽室 与非标设计和施工安装的屏蔽体均可采用。9. 6.7屏蔽效果验收测量应符合现行国家标准电磁屏蔽室屏蔽 效能的测量方法GB/T 12190的规定。10工艺相关系统10. 1 净化区io. 1.1生产环境的洁净度等级应符合下列要求：1芯片生产厂房内各洁净区的空气洁净度等级应根据芯片 生产工艺及所使用的生产设备的要求确定；2洁净度等级的划分应符合现行国家标准洁净厂房设计规 范GB 50073的规定；3洁净区设计时，空气洁净度等级所处状态应根据生产条件 确定。10.1.2生产环境的温度、相对湿度指标应按芯片生产工序分别 制定。一般洁净区温度应控制在22C0. 5C22C2C,相对 湿度应控制在43%3%45%士 10%。10.1.
个人主页
