MOOC 光电技术-武汉理工大学 中国大学慕课答案.docx

1、 MOOC 光电技术-武汉理工大学 中国大学慕课答案辐射度学与光度学基础作业辐射度学与光度学基础自测1、问题：当黑体的温度升高时，其峰值光谱辐出射度所对应的波长的移动方向为（）选项：A、向短波方向移动B、向长波方向移动C、不移动D、均有可能正确答案:【向短波方向移动】2、问题：已知某 He-Ne 激光器的输出功率为 8mW，正常人眼的明视觉和暗视觉最大光谱光是效能分别为 683lm/W 和 1725lm/W，人眼明视觉光谱光视效率为 0.24，则该激光器发出的光通量为（）选项：A、3.31lxB、1.31lxC、3.31lmD、1.31lm正确答案:【1.31lm】3、问题：用照度计测得某环境

2、下的照度值为 1000lx，该环境可能是（）选项：A、阳光直射B、阴天室外C、工作台D、晨昏蒙影正确答案:【阴天室外】4、问题：已知某辐射源发出的功率为 1W，该波长对应的光谱光视效率为 0.5，则该辐射源辐射的光通量为（）选项：A、683lmB、341.5lmC、1276lmD、638lm正确答案:【341.5lm】 5、问题：为了描述华为 mate40 手机屏幕的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合的辐度量是（）选项：A、辐照度B、辐强度C、辐出度D、辐亮度正确答案:【辐亮度】6、问题：电磁波谱中可见光的波长范围为（ ）选项：A、0.380.78umB、0.381umC、13umD、8

3、12um正确答案:【0.380.78um】7、问题：100W 标准钨丝灯在 0.2sr 范围内所发出的辐射通量为（）选项：A、1.592WB、27.223lm?C、3.184WD、27.223lm正确答案:【1.592W】8、问题：光谱光视效率 V(505nm)=0.40730，波长为 505nm、1mW 的辐射光，其光通量为（ ）选项：A、683lmB、0.683lm?C、278.2lmD、0.2782lm正确答案:【0.2782lm】9、问题：X 射线的波长范围是（）选项：A、B、C、 D、正确答案:【】10、问题：辐强度的计量单位是（）选项：A、B、C、D、正确答案:【】11、问题：辐亮

4、度的计量单位是（）选项：A、B、C、D、正确答案:【】12、问题：某半导体激光器发出波长为 642nm 的激光束，其功率为 100mW。当时求此光束的辐通量是（）选项：A、?B、C、D、正确答案:【】13、问题：某半导体激光器发出波长为 642nm 的激光束， 发出的光通量选项： A、B、C、D、正确答案:【】14、问题：波长为 532nm （V（0.532um）=0.88）的绿光固体激光器输出功率为15W，均匀的投射到选项：A、B、C、D、正确答案:【】15、问题：绿光固体激光器均匀的投射到白色屏幕上的光照度为屏幕的反射系数是 0.9，则光出射度为（）选项：，若A、B、C、D、正确答案:【】

5、16、问题：一支白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面 2m 的高处，用照度计测得正下方地面上的照度为 30lx，该白炽灯的光通量（）选项：A、375.5lm?B、375.5lx?C、1507.2lm D、1507.2lx正确答案:【1507.2lm】17、问题：直径为 3 米的圆桌中心上方 2 米处吊一平均发光强度 200cd 的灯泡，求圆桌中心光照度为（）选项：A、B、C、D、正确答案:【】18、问题：直径为 3 米的圆桌中心上方 2 米处吊一平均发光强度 200cd 的灯泡，求圆桌边缘的光照度光照度为（）选项：A、B、C、D、正确答案:【】19、问题：光纤通信之父是( )选项：A、高琨B

6、、博伊尔C、史密斯D、梅曼正确答案:【高琨】20、问题：太赫兹波的波长范围为（ ）选项：A、3mm30mB、3mm3mC、30mm3m D、30mm30m正确答案:【3mm30m】21、问题：下列选项中的参数与接收器有关的有（）选项：A、曝光量B、光通量C、亮度D、照度正确答案:【曝光量#照度】22、问题：余弦辐射体的主要特性包括（）选项：A、普朗克辐射定律B、斯忒藩玻尔兹曼定律C、维恩位移定律D、其他正确答案:【普朗克辐射定律#斯忒藩玻尔兹曼定律#维恩位移定律】23、问题：光电信息系统由那几部分组成？选项：A、A.光信息源B、B.光学系统C、C.光电探测器D、D.电子信息系统E、E.激光器正

7、确答案:【A.光信息源#B.光学系统#C.光电探测器#D.电子信息系统】24、问题：光电对抗主要包括（ ）选项：A、A.光电侦查B、B.光电干扰C、C.反光电侦查D、D.抗光电干扰正确答案:【A.光电侦查#B.光电干扰#C.反光电侦查#D.抗光电干扰】25、问题：我国嫦娥系列 1-4 号上的光电载荷有（ ）选项：A、A.CCD 立体相机B、B.干涉成像光谱仪C、C.激光高度计D、D.各类相机 E、E.红外成像光谱仪正确答案:【A.CCD 立体相机#B.干涉成像光谱仪#C.激光高度计#D.各类相机#E.红外成像光谱仪】26、问题：光电检测中的非光学量包括（ ）选项：A、A.几何参量B、B.电磁量

8、C、C.表面形态参量D、D.机械量E、E.运动参量F、F.成分分析正确答案:【A.几何参量#B.电磁量#C.表面形态参量#D.机械量#E.运动参量#F.成分分析】27、问题：太赫兹波的主要应用有（）选项：A、A.波谱分析B、B.成像C、C.生物和医疗诊断D、D.射电天文探测E、E.环境与质量监测F、F.通信正确答案:【A.波谱分析#B.成像#C.生物和医疗诊断#D.射电天文探测#E.环境与质量监测#F.通信】28、问题：信息化时代信息的载体是( )选项：A、A.光子B、B.电子C、C.多模光纤D、D.同轴电缆正确答案:【A.光子#B.电子】29、问题：电荷耦合器件 CCD 的发明人是( )选项

9、：A、A.高琨B、B.博伊尔C、C.史密斯D、D.梅曼正确答案:【A.高琨#B.博伊尔】 30、问题：光通量的单位是坎德拉。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】31、问题：辐通量与光通量的单位是相同的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】32、问题：朗伯辐射体的辐出度等于他的辐亮度。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】33、问题：被照明物体表面的辐照度和光源与物体表面的距离平方成反比。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】34、问题：辐出度 Me 与辐照度 Ee 的定义式都是：某点处面元的辐通量除以改面元的面积 dA 的商，所以这两个物理量是具有相同的概念。?选项：A、正确B、错

10、误正确答案:【错误】35、问题：发光方式主要有电致发光，光致发光，化学发光和热发光。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】36、问题：发光强度的单位是坎德拉（cd），其定义为：在给定方向上能发射选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】37、问题：在对具有一定量度和颜色的非黑体辐射体的温度标测中，亮温度与实际温度的偏差最小，色温度次之，辐射温度与实际温度的偏差最大。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】38、问题：在弱辐射作用的情况下，半导体的光电导效应与入射辐射通量的关系是线性的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】39、问题：辐度量是生理（或主观）的计量方法。选项：A、正确B、错误

11、正确答案:【错误】40、问题：光度量是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】41、问题：辐度量是物理（或客观）的计量方法。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】42、问题：太赫兹波具有低能量性，对人体基本上没有什么副作用。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】43、问题：辐出度 Me 与辐照度 Ee 意义相同。选项： A、正确B、错误正确答案:【错误】44、问题：光电检测技术的显著特点是接触式的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】光电探测器理论基础作业光电探测器理论基础自测1、问题：被光激发产生的电子溢出物质表面，形成真空中的电子的

12、现象叫做（）选项：A、内光电效应B、外光电效应C、光生伏特效应D、丹培效应正确答案:【外光电效应】2、问题：半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子空穴对的现象成为本征吸收。选项：A、价带，导带B、价带，禁带C、禁带，导带D、导带，价带正确答案:【价带，导带】3、问题：一个电阻值为 1000 欧姆的电阻，在室温下，工作带宽为 1Hz 时，热噪声均方电压为（）选项：A、3nVB、4nVC、5nVD、6nV正确答案:【4nV】4、问题：已知一束激光功率为 30mW、波长为 0.6328um，普朗克常数则该激光束的光子流速率 N 为（） 选项：A、?个/秒B、?个/秒C、?个/秒D、?个/秒正

13、确答案:【?个/秒】5、问题：某半导体光电器件的长波限为 13um，其杂质电离能?为（）选项：A、0.095J?B、0.095eV?C、JD、eV正确答案:【0.095eV?】6、问题：已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温 2856K 标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为?，?，则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是（）选项：A、甲厂灵敏度高B、乙厂灵敏度高C、甲乙两场灵敏度一样高D、无法比较正确答案:【乙厂灵敏度高】7、问题：光电发射材料的光电发射长波限为 680nm，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（）选项：A、B、C、1.82J?D、1.83eV?正确答案:【1.83eV?】8、问题：

14、已知某种光电器件的本征吸收长波限为 1.4um，则该材料的禁带宽度为（）选项：A、0.886JB、0.886eVC、886JD、886eV正确答案:【0.886eV】 9、问题：对于 P 型半导体来说，以下说法正确的是（）选项：A、电子为多子B、空穴为少子C、能带图中施主能级靠近于导带底D、能带图中受主能级靠近于价带顶正确答案:【能带图中受主能级靠近于价带顶】10、问题：有关半导体对光的吸收,下列说法正确的是（）选项：A、半导体对光的吸收主要是本征吸收B、半导体对光的吸收主要是非本征吸收C、产生本征吸收的条件是入射光子的波长要大于波长阈值D、产生本征吸收的条件是入射光子的频率要小于频率阈值正确

15、答案:【半导体对光的吸收主要是本征吸收】11、问题：对于 N 型半导体来说，以下说法正确的是（）选项：A、费米能级靠近导带底?B、空穴为多子C、电子为少子D、费米能级靠近靠近于价带顶正确答案:【费米能级靠近导带底?】12、问题：一束功率为 30mW、波长为 0.6328um 的激光束的光子流速率 N 为（）选项：A、个/秒B、?个/秒C、?个/秒D、个/秒正确答案:【个/秒】13、问题：某一金属光电发射体有 2.5eV 的逸出功，并且导带底在真空能级下位7.5eV，则产生光电效应的长波限（）选项：A、0.496umB、0.496nmC、0.248umD、0.248um正确答案:【0.496um

16、】 14、问题：某型号硅 APD 光敏面直径为 0.5mm，等效噪声功率为，电流灵敏度为77A/W，求该光电探测器的比探测率（）选项：A、B、C、D、正确答案:【】15、问题：探测器的，探测器光敏面积的直径为 0.5cm，用于选项：的光电仪器中，它能探测的最小辐射功率为（）A、B、C、?D、?正确答案:【】16、问题：温度为 300K 时的电阻工作在 100Hz 带宽内产生的均方噪声电流为（）选项：A、B、?C、D、正确答案:【?】17、问题：温度为 300K 时的电阻工作在 100Hz 带宽内产生的均方噪声电压为（）选项：A、B、C、 D、正确答案:【】18、问题：已知某种光电器件的本征吸收

17、长波限为 1.4um，该材料的禁带宽度为（）选项：A、0.886（eV）B、8.86（eV）C、88.6（eV）?D、正确答案:【0.886（eV）】19、问题：光电发射材料?的光电发射长波限为 680nm，该光电发射材料的光电发射阈值为（）选项：A、1.82（eV）B、18.2（eV）C、D、0.182（eV）正确答案:【1.82（eV）】20、问题：已知本征硅材料的禁带宽度选项：A、1.216（um）B、C、1.03（um）D、正确答案:【1.216（um）】21、问题：温度为 300K 的本征硅半导体掺入硅半导体电子浓度为（）选项：的砷原子，计算掺杂后A、B、C、 D、正确答案:【】22

18、、问题：温度为 300K 的本征硅半导体掺入硅半导体空穴的浓度为（）选项：的砷原子，计算掺杂后A、B、C、D、正确答案:【】23、问题：温度为 300K 的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为 1.12eV，计算掺入选项：硼原子后硅中电子浓度为（）A、B、C、?D、正确答案:【】24、问题：温度为 300K 的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为 1.12eV，计算掺入选项：硼原子后硅中空穴浓度为（）A、B、C、 D、正确答案:【】25、问题：光电探测器中的噪声主要包括（）选项：A、热噪声B、散粒噪声C、产生复合噪声D、1/f 噪声E、温度噪声正确答案:【热噪声#散粒噪声#产生复合噪声#1/f

19、 噪声 #温度噪声】26、问题：光电技术中应用的半导体对光的吸收主要是（）选项：A、本征吸收B、杂质吸收C、激子吸收D、自由载流子吸收E、晶格吸收正确答案:【本征吸收#杂质吸收】27、问题：比探测率是一个与工作频率、测量带宽无关的常数。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】28、问题：探测率是一个反映探测器探测能力的物理量，探测率越大，说明探测器的探测能力越强。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】29、问题：噪声等效功率是信噪比为 1 时，入射到探测器上的信号辐射通量。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 30、问题：1/f 噪声是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。选项：

20、A、正确B、错误正确答案:【正确】31、问题：量子效率是在特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】32、问题：若金属溢出功为 W，则长波限为 1.24/W(nm)。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】33、问题：波长长于本征吸收的光波长波限的入射辐射能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】34、问题：杂质吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】35、问题：可以引起光电效应的光吸收包括本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。选项：A、正

21、确B、错误正确答案:【错误】36、问题：光生伏特效应能将光能转换成电能。选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】37、问题：外光电效应是半导体光电器件、真空光电倍增管、摄像管、变像管和像增强器的核心技术。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】38、问题：热噪声存在于任何导体与半导体中，它属于白噪声。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】39、问题：1/f 噪声通常又称为电流噪声（有时也称为闪烁噪声或过剩噪声）。它是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】40、问题：在实际使用中，常用较低的调制频率可避免或大大减小电流噪声的影响。选项：A、正确

22、B、错误正确答案:【错误】光电探测器常见光源作业光电探测器常见光源自测1、问题：低压汞灯光谱为（）选项：A、线状光谱B、带状光谱C、连续光谱D、混合光谱正确答案:【线状光谱】 2、问题：高压钠灯光谱为（）选项：A、线状光谱B、带状光谱C、连续光谱D、混合光谱正确答案:【带状光谱】3、问题：白炽灯光谱为（ ）选项：A、线状光谱B、带状光谱C、连续光谱D、混合光谱正确答案:【连续光谱】4、问题：荧光灯光谱为（ ）选项：A、线状光谱B、带状光谱C、连续光谱D、混合光谱正确答案:【混合光谱】5、问题：某光源的发光效率为 90100lm/W，该光源可能是（ ）选项：A、普通荧光灯B、高压汞灯C、高压钠灯

23、D、卤钨灯正确答案:【高压钠灯】6、问题：连续波半导体激光器输出功率约为（ ）选项：A、小于 1mWB、几毫瓦到数百毫瓦C、几瓦D、几百瓦正确答案:【几毫瓦到数百毫瓦】7、问题：黑体是指（ ）选项： A、反射为 1B、吸收为 1C、黑色的物质D、不发射电磁波正确答案:【吸收为 1】8、问题：普通荧光灯的发光效率约为（）lm/W选项：A、1020B、3560C、100150D、60100正确答案:【3560】9、问题：常用的激光器有（）选项：A、气体激光器B、液体激光器C、固体激光器D、染料激光器E、半导体激光器正确答案:【气体激光器#固体激光器#染料激光器#半导体激光器】10、问题：按发光机理

24、分类，常用光源有选项：A、发光二极管B、激光器C、气体放电D、热辐射E、太阳正确答案:【发光二极管#激光器#气体放电#热辐射】11、问题：光源的光谱功率分布通常可以分为（）选项：A、线状光谱B、带状光谱C、连续光谱D、混合光谱正确答案:【线状光谱#带状光谱#连续光谱#混合光谱】12、问题：光电探测系统对光源选择的主要要求有（ ）选项： A、光谱特性要求B、发光强度要求C、光源稳定性要求D、发光效率要求正确答案:【光谱特性要求#发光强度要求#光源稳定性要求#发光效率要求】13、问题：发光效率是光源发射的光通量与所需的电功率之比。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】14、问题：GaAs 的开启

25、电压约为 1V。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】15、问题：物体温度升高时，辐射峰值波长向长波方向移动。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】16、问题：氮化物蓝或紫 LED 的管芯中加上三基色荧光粉可激发出白光，成为白光 LED。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】17、问题：超高亮度 LED 是指辐射功率高，法向发光强度在 1000mcd 以上的 LED，光效可以达到 50100lm/W。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】18、问题：发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度 Eg 无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】 19、问题：LED 发出的光是基于受激辐

26、射，发出的是相干光。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】20、问题：普通钨丝灯的发光效率约为 818lm/W。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】21、问题：LED 的寿命通常小于小时。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】22、问题：通常利用半导体激光器（LD）和发光二极管伏安特性和响应时间特性对光源进行直接调制。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】23、问题：若辐射源辐射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光的颜色相同，则黑体的这一温度称为该辐射源的色温。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】24、问题：白炽灯发的光基本是连续光谱，造价低，发光效率高。选项：A、正确B、错误正确答

27、案:【错误】25、问题：发光二极管的外发光效率随温度的上升而上升。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】 26、问题：发光二极管发光时，PN 通常工作在反向工作状态。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】光电导探测器作业光电导探测器自测1、问题：光电导的单位（）选项：A、欧姆B、西门子C、流明D、勒克斯正确答案:【西门子】2、问题：氮化镓光电导器件的光谱响应范围为（）选项：A、200365nmB、400700nmC、7001100nmD、17um正确答案:【200365nm】3、问题：硫化镉光电导器件的光谱响应范围为（）选项：A、200365nmB、400700nmC、7001100nmD

28、、17um正确答案:【400700nm】4、问题：常温硫化铅光电导器件的光谱响应范围为（）选项：A、200365nmB、400700nmC、7001100nmD、0.43um正确答案:【0.43um】 5、问题：常温碲化铟光电导器件的光谱响应范围为（）选项：A、200365nmB、400700nmC、17.5umD、0.43um正确答案:【17.5um】6、问题：设某光敏电阻在 100lx 光照下的阻值为 2，且已知它在 90120lx 范围内的。则该光敏电阻在 110lx 光照下的阻值为（）。选项：A、2224.6B、1999.9C、1873.8D、935.2正确答案:【1873.8】7、问

29、题：假设某只 CdS 光敏电阻的最大功耗是 30mW，光电导灵敏度，暗电导。当 CdS 光敏电阻上的偏置电压为 20V 是的极限照度为（）。选项：A、150lxB、22500lxC、2500lxD、150lx 和 22500lx正确答案:【150lx 和 22500lx】8、问题：光电导探测器的特性受工作温度影响（）。选项：A、很小B、很大C、不受影响D、不可预知正确答案:【很大】9、问题：设光敏电阻 GM20539 在 10lx 的光照下的阻值为 50K，且已知它在10100lx 范围内的。试求该光敏电阻在 90lx 光照下的阻值（）选项：A、8621.4B、862.14C、86.214D、

30、8.6214正确答案:【8621.4】 10、问题：设某只 CdS 光敏电阻的最大功耗为 30mW，光电导灵敏度 S/lx，暗电导为零。试求当 CdS 光敏电阻上的偏置电压为 20V 时的最大照度为（）选项：A、1406.25 lxB、375 lxC、37.5 lxD、140.625 lx正确答案:【1406.25 lx】11、问题：设某只 CdS 光敏电阻的最大功耗为 30mW，光电导灵敏度 S/lx，暗电导为零。试求当 CdS 光敏电阻上的偏置电压为 20V 时的最小照度为（）选项：A、1406.25 lxB、375 lxC、37.5 lxD、140.625 lx正确答案:【375 lx】

31、12、问题：杂质型光敏电阻需要在（）下使用。选项：A、常温B、高温C、超高温D、低温正确答案:【低温】13、问题：下列光电导器件中那些属于本证光电导器件（）选项：A、锗掺汞B、硫化镉C、锑化汞D、碲鎘汞E、硫化铅正确答案:【硫化镉#锑化汞#碲鎘汞#硫化铅】14、问题：光电导器件的噪声主要有（)选项：A、热噪声B、1/f 噪声C、产生与复合噪声D、散粒噪声正确答案:【热噪声#1/f 噪声#产生与复合噪声】 15、问题：选用光电探测器的一般原则（）选项：A、考虑时间响应特性B、用于测光的光源光谱特性必须与光电探测器的光谱响应特性匹配C、考虑光电探测器的线性特性D、考虑光电探测器电阻大小正确答案:【

32、考虑时间响应特性#用于测光的光源光谱特性必须与光电探测器的光谱响应特性匹配#考虑光电探测器的线性特性】16、问题：光电导内增益与哪些量有关（）选项：A、器件材料B、结构尺寸C、外加偏压D、负载电阻正确答案:【器件材料#结构尺寸#外加偏压】17、问题：由于电子的迁移率比空穴大，因此通常用 P 型材料制成光电导器件。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】18、问题：本征光电导器件的长波限可以达到 130um。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】19、问题：弱辐射情况下，本征光电导与入射辐射通量成正比。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】20、问题：材料确定后，光敏电阻的光照指数是一个常数

33、。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】21、问题：前历效应是指光电导探测器的时间特性与工作前历史有关的一种现象。选项： A、正确B、错误正确答案:【正确】22、问题：光电导器件的时间响应都较小，适合于探测窄脉冲光信号。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】23、问题：当光电导器件接收交变调制光时，随调制光频率的增加，其输出会减小。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】24、问题：光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】25、问题：光敏电阻光敏面做成蛇形状，有利于提高灵敏度。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】26、问题：光敏电阻的恒

34、压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】27、问题：光电导器件在方波辐射的作用下，其上升时间大于小将时间。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】28、问题：在测量某光电导器件的值时，背景光照越强，其值越小。选项： A、正确B、错误正确答案:【正确】29、问题：光敏电阻在恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】30、问题：光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值也随之升高。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】31、问题：光敏电阻的前例效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴的复合而需

35、要很长的时间，而且，随着复合的进行，光生电子与空穴的浓度与复合机率不断减小，使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很长时间这一特性的描述。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】32、问题：杂质型光敏电阻需要高温使用。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】33、问题：同一型号的光敏电阻，在不同光照下和不同的环境温度下，其光电导灵敏度和时间常数相同。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】34、问题：同一型号的光敏电阻，在照度相同而温度不同时，其光电导灵敏度不相同和时间常数也不相同。选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】35、问题：在光照度一定时，光电导探测器灵敏度随工作偏置电压的增大而减小。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】36、问题：在实际应用中，可以在光电导探测器的最大额定功率内适当提高工作偏置电压，以得到较大的探测灵敏度。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】