1、 (a) (b)图P2.16 解：(1)求Q 点：按照电路图可知，。从转移特点 查得，事前的漏极电流：因此管压落 。(2)求电紧减少倍数：， 2.17电路如图P2.17 所示。1假设 输出电压波形底部失落 真，那么可采用 哪些办法 ？假设 输出电压波形顶部失落 真，那么可采用 哪些办法 ？2设想 象增大年夜 ，那么可采用 哪些办法 ？解：1输出电压波形底部失落 真，类似于NPN型三极管的饱跟 失落 真，应落低Q，故可减小R2或增大年夜 R1、RS；假设 输出电压波形顶部失落 真，那么与上述相反，故可增大年夜 R2或减小R1、RS。2设想 象增大年夜 ，就要增大年夜 漏极静态电流以增大年夜 ，故
2、可增大年夜 R2或减小R1、RS。中的哪些接法可以 形成 复合管？标出它们等效管的典范 如NPN 型、PNP 型、N 沟道结型 )及管足 (b 、e 、c 、d 、g 、s ) 。 (a) (b) (c) (d)(e) (f) (g)图P2.18 解：(a)不克不迭 。(b)不克不迭 。(c)形成 NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。(d)不克不迭 。(e)不克不迭 。(f)形成 PNP 型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。(g)形成 NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。 第3章 多级减少电路习题3.1揣摸 图P3.1所示各两级减少电路中T1跟 T2
3、管分不形成 哪种全然 接法的减少电路。设图中所有 电容对于 交流 旗帜 暗记 均可视为短路。(a) (b) (c) (d) (e) (f)图P3.1 解：(a)共射，共基 (b)共射,共射 (c)共射,共射 (d)共集，共基 (e)共源，共集 (f)共基，共集3.2 设图P3.2所示各电路的静态义务点均适合，分不画出它们的交流 等效电路，并写出、跟 的表达 式。 (a) (b) (c) (d)图P3.2解：(1)图示各电路的交流 等效电路如解图P3.2所示。 (2)各电路的、跟 的表达 式分不为：(a)：； ； (b)： ； (c)： ； (d)：； (a) (b) (c) (d) 解图P3.
4、23.3全然 减少电路如图P3.3(a)、(b)所示，图(a)虚线框内为电路，图(b)虚线框内为电路。由电路、形成 的多级减少电路如图(c)、(d)、(e)所示，它们均畸形 义务。试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中(1)哪些电路的输出电阻较大年夜 ；(2)哪些电路的输出电阻较小；(3)哪个电路的电紧减少倍数最大年夜 。 (a) (b) (c) (d) (e)图P3.3解：(1)图(d)、(e)所示电路的输出电阻比较大年夜 ； (2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小； (3)图(e)所示电路的电紧减少倍数最大年夜 。3.4电路如图P3.l (a) (b)所示，晶体管的均为150 ,
5、 均为，Q点适合。求解、跟 。解：在图(a)所示电路中 ； 。在图(b)所示电路中 ； ； 3.5电路如图P3.l (c)、(e)所示，晶体管的均为200 , 均为。场效应管的gm为15mS ; Q 点适合。求解、跟 。解：在图(c)所示电路中 ； ； 在图(e)所示电路中； ； 3.6图P3.6所示电路参数梦想 对称，晶体管的均为100， 。试求Rw的滑动端在中点时T1管跟 T2管的发射极静态电流以及静态参数Ad跟 Ri。 图P3.6 图P3.7 解：Rw 滑动端在中点时T1管跟 T2管的发射极静态电流分析如下： 静态参数Ad跟 Ri分析如下： 3.7电路如图P3.7所示，T1跟 T2两管的
6、均为140，均为4k。试征询 ：假设 输出直流旗帜 暗记 ，那么电路的共模输出电压差模输出电压输出静态电压解：电路的共模输出电压、差模输出电压、差模减少倍数跟 静态电压 分不为：； ； 3.8 电路如图P3.8所示，Tl跟 T2的低频跨导gm均为10mS。试求解差模减少倍数跟 输出电阻。 图P3.8 图P3.9 解：差模减少倍数跟 输出电阻分不为： ； 。3.9试写出图P3.9 所示电路Ad跟 Ri的近似表达 式。设Tl跟 T2的电流放大年夜 系数分不为1跟 2，b-e 间静态电阻分不为跟 。解：Ad跟 Ri的近似表达 式分不为 ； 3.10电路如图P3.10 所示，Tl T5的电流放大年夜
7、系数分不为15 , b-e间静态电阻分不为rbe1rbe5，写出Au、Ri跟 Ro的表达 式。 图P3.10 图P3.11解：Au、Ri跟 Ro的表达 式分析如下： ; ; 3.11 电路如图P3.11 所示。已经清楚 电紧减少倍数为-100 ，输出电压uI为正弦波，T2跟 T3管的饱跟 压落UCES=1V 。试征询 ：(1)在不失落 的确状况下，输出电压最大年夜 有效值Uimax为多少 多 伏？(2)假设 Ui= 10mV有效值，那么Uo？假设 现在R3开路，那么Uo？假设 R3短路，那么Uo？ 解：(1)最大年夜 不失落 真输出电压有效值为:故在不失落 的确状况下，输出电压最大年夜 有效值
8、： (2)Ui= 10mV ，那么Uo1V有效值。假设 R3开路，那么Tl跟 T3形成 复合管，等效, T3可以饱跟 ，使得直流;假设 R3短路，那么直流。第4章 集成运算减少电路习题4.1按照以下恳求 ，将应优先考虑 应用 的集成运放填入空内。已经清楚 现有集成运放的典范 是：通用型 高阻型 高速型 低功耗型 高压型 大年夜 功率型 高精度型(1)作低频缩大度，应选用( )。(2)作宽频带缩大度，应选用( )。(3)作幅值为1V以下幽微 旗帜 暗记 的量测缩大度，应选用( )。(4)作内阻为100k。旗帜 暗记 源的缩大度，应选用( )。(5)负载需5A电流驱动的缩大度，应选用( )。(6)
9、恳求 输出电压幅值为80V的缩大度，应选用( )。(7)宇航仪器中所用的缩大度，应选用( )。4. 2 已经清楚 多少 多 个集成运放的参数如表P4.3 所示，试分不说明它们各属于哪种类型的运放。表P4.3 特点 目的AodridUIOIIOIIB-3dBfHKCMRSR增益带宽单位 dBMmVnAnAHzdBV/VMHzA1100252006007860.5A213020.0124071200.5A3100100050.020.03860.55A41002220150966512.5解：A1为通用型运放，A 2为高精度型运放，A3为高阻型运放，A4为高速型运放。4.3 多路电流源电路如图P4
10、.3所示,已经清楚 所有 晶体管的特点 均一样,UBE均为0.7V。试求IC1、IC2各为多少 多 。 图P4.3 图P4.4解：由于 Tl 、T2、T3的特点 均一样，且UBE 均一样，因此 它们的基极、集电极电流均相当 ，设集电极电流为IC。先求出R 中电流，再求解IC1、IC2。 事前，。4.4电路如图P4.4 所示，Tl 管的低频跨导为gm , Tl跟 T2管d-s 间的静态电阻分不为rds1跟 rds2。试求解电紧减少倍数的表达 式。 解：由于 T2跟 T3 所形成 的镜像电流源是以Tl 为减少管的共射减少电路的有源负载， Tl跟 T2管d -s 间的静态电阻分不为rds1跟 rds
11、2，因此 电紧减少倍数的表达 式为：。4.5电路如图P4.5所示，Tl与T2管特点 一样，它们的低频跨导为gm ; T3与T4管特点 对称；T2与T4管d-s 间的静态电阻分不为rds2跟 rds4。试求出电紧减少倍数的表达 式。 图P4.5 图P4.6解：在图示电路中：； ； 电紧减少倍数：4.6电路如图P4.6所示，存在 梦想 的对称性。设各管均一样。 (1)说明电路中各晶体管的感染 ； (2)假设 输出差模电压为发生 的差模电流为，那么电路的电流放大年夜 倍数？解：(1)图示电路为双端输出、单端输出的差分减少电路。Tl跟 T2 、T3跟 T4分不形成 的复合管为减少管，T5跟 T6形成
12、的镜像电流源为有源负载。 (2)由于 用T5跟 T6所形成 的镜像电流源作为有源负载，将左半部分减少管的电流变卦 量转换到右边，故输出电流变卦 量及电路电流放大年夜 倍数分不为： ； 。4.7 电路如图P4.7所示，Tl跟 T2管的特点 一样，所有 晶体管的均一样，Rcl 远大 于二极管的正向电阻。事前，。(1)求解电紧减少倍数的表达 式；(2)当有共模输出电压时，简述因由 。图P4.7 图P4.8解：(1)在忽略二极管静态电阻的状况下：，。 。 (2)当有共模输出电压时，近似为零。由于 ， , 因此，故。4.8 电路如图P4.8所示，Tl跟 T2管为超管，电路存在 梦想 的对称性。选择 适合
13、的答案 填入空内。(1)该电路采用了( C )。A 共集-共基接法 B 共集-共射接法 C 共射-共基接法(2)电路所采用的上述接法是为( C )。A 增大年夜 输出电阻 B 增大年夜 电流放大年夜 系数 C 展宽频带(3)电路采用超管可以 ( B )。A 增大年夜 输出级的耐压值 B 增大年夜 减少才能 C 增大年夜 带负载才能(4) Tl跟 T2管的静态压落约为( A )。A0.7V B 1.4V C 弗成 知4.9 在图P4.9 所示电路中，已经清楚 TlT3管的特点 完好 一样， 2 ;反相输出端的 输出电流为，同相输出端的 输出电流为。试征询 ：(l) ； (2) ； (3) 解：(
14、l)由于 Tl跟 T2为镜像关系 ，且 2，因此 ： (2) (3)输出电压的变卦 量跟 减少倍数分不为： 图P4 .94.10比较图P4.10 所示两个电路，分不说明它们是怎么样 消除 交越失落 真跟 怎么样 完成 过流保护 的。 (a) (b) 图P4.10解：在图(a)所示电路中，Dl 、D2使T2、T3 微导通，可消除 交越失落 真。R为电流采样电阻，D3对T2起过流保护 。当T2导通时，, 未过流时较小，因小于开启电压使D3 停顿 ；过流时因大年夜 于开启电压使D3导通，为T2基极分流。D4对T4起过流保护 ，缘故与上述一样。在图(b)所示电路中，T4 、T 5使T 2、T 3微导通，可消除 交越失落 真。R2为电流采样电阻，T 6 对T 2起过流保护 。当T 2导通时，未过流时较小，因小于开启电压使T 6停顿 ；过流时因 大年夜 于开启电压使T 6导通，为T 2
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