1、(=0,假想情况); 36 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 在全控桥中常将=180-叫作逆变角。由于90才进 入逆变状态，故逆变角总是小于90的。可用下式表示三相全 控桥在逆变工作状态时的反向直流平均电压，即 U=-1.35U1COS(180-)=1.35U1COS 对于三相全控桥整流电路，可控硅元件的导通角是固定 不变的。通常用代表逆变角。随着控制角的变化，逆变角 在0到90之间变化。 37 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 图9（b）和=180和(=0)的逆变波形是一种假想的工 作情况，实际上不能工作在=00的假想点。逆变角必须大于某 一最小逆变min，即控制角不能大于（180-mi
2、n）。最小逆 变角可由下式决定： min+ （6） 其中代表可控硅关断时间t0ff相应的电角度。如果导通中 的可控硅元件加上反向电压的时间小于角对应的时间，则可 控硅管的正向阻断能力不能完全恢复，如再如上正向电压，即 使在没有触发的情况下也会重新导通，失去正向阻断能力。 称为关断越前角或关断角。代表换流时的换流角，或称换相 重迭角。 38 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 如果逆变角小于上述二角之和（+），则可能造成逆变 换流失败，前一应关断的元件关断不了，后一应开通的元件不 能开通，还有可能使某一回路的可控硅元件连续通流而过热。 39 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 利用三相全控整流桥
3、可以兼作同步发电机的自动灭磁装置。当 发电机发生内部故障时，继电保护装置给一控制信号至励磁调节器 ，使控制角由小于90的整流运行状态，突然后退到大于90的某 一个适当的角度，进入逆变运行状态，将发电机转子励磁绕组贮存 的磁场能量迅速反馈到交流侧去，使发电机的定子电势讯速下降， 这就是所谓逆变灭磁方式。至于逆变性能的好坏还与主回路的接线 方式有关，例如对于他励接线，逆变能讯速完成。性能较好；对于 自并励接线，则逆变性能较差。 40 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 图10逆变换流失败后电感放电与激磁的交替过程 (a)放电；(b)激磁 41 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 在逆变时若交流电源
4、的电压消失，则转子励磁绕组能量不 能反馈到交流电网去，可控硅元件之间无交流电压的作用而不 能实现换流，最后已导通的一组可控硅元件在励磁绕组感应电 势eL的作用下持续导通，处于续流状态，直到电感中能量放完 。如果所选元件不能承受这种工作状态下的电流容量，则可能 损坏可控硅元件 42 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 3、逆变过程的换相失败 三相全控桥在逆变过程中可能换相失败，引起逆变失败的 原因大致有如下几方面： 1) 触发回路工作不可靠，不能适时准确地给各可控硅管分配脉冲 ,致使脉冲丢失或脉冲延迟,导致应开通的元件不能开通； 2) 可控硅管或其控制极故障，失去阻断能力或导通能力； 3) 交流
5、电源异常,在逆变过程中出现断电、缺相或电压过低； 4) 由于逆变时换相的越前触发角过小，或因直流负载电流过大 ，交流电源电压过低使换相重迭角增大，或因可控硅管关断 时间对应的关断角增大，使换相裕度角不够，前一元件关断 不了，后续元件不能开 43 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 5 半导体励磁系统的保护 半导体励磁系统有可能发生各种故障，事实上，由于保护 措施的配置不善，使得故障扩大化，曾发生多次严重损坏电气 设备的大事故，据统计发电机故障中励磁系统的事故约占一半 。因此对于半导体励磁系统的保护设计和配置问题应予重视 44 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 为此必须熟悉硅元件本身的标准定额
6、，了解装置所在的电 路中引起过电压、过电流以及电压上升率、电流上升率过高的 原因和危害，对可控硅元件本身在开通和关断过程中，在电路 中引起的暂态过程，需要进行分析和试验。而对于担任抑制和 保护功能的器件，必须熟悉其性能参数，并力求选用最简单有 效的保护方式，协调工作。由于这方面的影响因素比较复杂， 必须将理论分析与试验数据结合，正确地设计保护方式和抑制 电路，合理地配备和选用保护器件 45 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 在选用硅元件的电压参数时，应留有一定的安全裕度。但 是裕度选择过大，可能经济上不合算。事实上对于实际电路中 可能出现的过电压峰值，也难于精确计算。因此，还须采用过 电压保
7、护环节，将主电路中可能产生的瞬变电压的幅值，抑制 到一个较为合理的水平，以保证主电路可靠运行。 要正确设计过电压保护环节，就必须了解过电压的来源及 其电气特性，熟悉保护电路和器件的性能。 46 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 产生过电压的原因，除了大气过电压之外，主要是由于系 统中断路器操作过程，以及可控硅元件本身换相关断过程，在 电路中激发起电磁能量的互相转换和传递而引起的过电压。后 两种过电压分别称为操作过电压和换相过电压。图29为过电压 的抑制措施及配置综合示意图 47 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 1、过电压的保护 利用电容器两端电压不能突变，而能储存电能的基本特性 ，可以吸
8、收瞬间的浪涌能量，限制过电压。为了限制电容器的 放电电流，降低可控硅开通瞬间电容放电电流引起的正向电流 上升率di/dt，以及避免电容与回路电感产生振荡，通常在电容 回路上串入适当电阻，从而构成阻容吸收保护。一般可抑制瞬 变电压不超过某一容许值，作为交流侧、直流侧及硅元件本身 的过电压保护。 48 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 用于单相或三相交流侧、直流侧的过电压阻容保护，如 下图所示。并联于可控硅元件两端的阻容保护 可控硅元件并接的阻容保护，除了起限制元件本身关断过 电压的作用外，对于多个硅元件串联的电路，还起动态均压的 作用，以及配合桥臂电感L0起限制正向电压上升率的作 49 南京南
9、瑞集团公司 国电自动化研究院 总之，阻容保护应用相当广泛，性能也可靠。但是正常运行时 阻容保护的电阻消耗功率，发热厉害。特别是由交流励磁机供电的 励磁方式，由于交流励磁机电压波形的畸变，使得阻容保护的电阻 发热很厉害。一般阻容保护还增大可控硅导通时的电流上升率，只 采用反向阻断式的阻容保护，才可避免这一不利影响。 50 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 3、过电流保护 对于半导体励磁装置，可能有下列几方面的原因，使流过整 流 1)桥臂元件及励磁变压器绕组的电流超过其正常定额。 2) 整流桥内部某一桥臂元件击穿短路，丧失阻断能力，则交流电 源可通过已损坏短路的桥臂和其它完好的桥臂元件，交替形成
10、二相 短路及三相短路。这些电流将流过某些完好的桥臂元件及变压器绕 组，其数值可超过交流侧三相短路时周期分量的幅值。 51 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 3) 全控整流桥在逆变工作状态下，由于逆变角过小，或者交流 电源电压消失，或者触发脉冲消失等原因引起逆变换流失败，转子 绕组通过某对桥臂元件直通短路续流，使这些桥臂元件流过较正常 工作电流大和持续时间长的电流。 4) 可控硅控制极受外部干扰信号而误触发，或失脉冲而单相导通 ，或限制环节失灵使可控硅控制角过小等原因，均有可能使流过硅 元件的电流大于正常工作值。 52 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 对于这些情况，通常采用过电流保护措施，
11、迅速将通过硅元件 的电流予以限制，或者及时切断故障电流，避免硅元件PN结的结温 过高而损坏。在一般整流装置中采用的过载及短路保护如下： 在直流侧装设直流快速开关，其动作时间约10ms，它的主要 作用是切断直流侧的故障电流，保护整流装置并避免整流元件的熔 断器在直流侧短路时发生熔断。当在整流装置内部发生故障时，直 流快速开关对本装置不能起有效和保护作用，仅对并联运行的其它 整流装置内部故障有保护作用。 53 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 4、快速熔断器 具有快速熔断特性的熔断器，其熔断时间一般在0.01s以内，专 门用作硅元件的过电流保护器件。其熔体（或称熔片）的导热性能 良好而热容量小，
12、能快速熔断。通常是每个硅元件串联一个快速熔 断器，其熔体额定电流的选择一般是这样考虑： 1) 熔体的额定电流应等于硅元件额定电流的有效值，大于实际工 作电流的有效值，即 (21) (22) 式中 IR熔体的额定电流，有效值，A； 54 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 IT（AV）-整流元件的额定电流（A），即额定通态单相正弦 半波电流的平均值，其有效值则相当于平均值IT（AV）的/2倍,即 1.57倍; IA(RMS)流过桥臂的实际工作电流的均方根值,A; np并联支路数; Kc1均流系数。 2) 熔体的熔断特性必须与整流装置中元件的短时过载能力相配合 。即在预期故障电流的条件下，熔体的熔
13、断特性必须处于被保护元 件的短时过载特性的下方，才能有效地起到保护作用。 55 南京南瑞集团公司 国电自动化研究院 这里所说的预期故障电流是指不装熔断器时，该电路中可能产 生的最大故障电流。装了快速熔断器以后，在电流未达预赕(鵑G$讀缁鐒仌!缀!/椀秀企嬃鬃攕紕紕紕紕紕紕紕紕紕紕紕紕紕紕紕外奭豒灎晥豎恙顎搀漀挀夀奭豒灎晥豎恙顎搀漀挀尀尀昀挀戀挀挀戀搀愀攀戀昀挀愀一娀匀猀娀渀挀漀唀栀甀倀眀匀樀娀娀匀洀匀吀唀漀砀刀一爀娀戀瀀眀最夀奭豒瀀晥豎恙顎栀琀琀瀀猀眀眀眀眀攀渀欀甀渀攀琀挀漀洀椀氀攀刀漀漀琀尀圀攀渀欀甀渀攀琀椀氀攀刀漀漀琀尀戀愀搀昀愀搀搀昀戀攀攀昀圀譓晎灛晥歛瑑恙颋彔开开开开开开开开开开开彾开
14、开开开开开开开开昀当开开开开开开开开顢顫燿灔敵給顔炍e驎灙結顔蒘譓000000幓蹜絎顔蒘u蹻00懿拿N驎0癛獒蹑獎抏葟祶腲葟揿湫葸灎銉敎扖瑦扖扖葟捎湫葸蒉抏扷葻抏扷鉾艶葶扷捦扥鉾艶葶獶抏抃抏葟鉾艶翿穒抏面抏扷抃灻扨揿扥苿僿N卷倀叿倥獎抏萀扶湬驸扖W睎扗蒗铿抏捎扥揿扥捎抉铿抏捎抉揿抉捎歫抏舀抃抉萀灞舀扷佰踀熖葒扶扷戀葹谀欰穘顺顫燿珿抏葟棿罔挀洀荒葷v羏彎开开开开开开开挀洀慎慎苿鱙慎獎萠敎鑫00000000000000000000000抃葟羏莂葷v慎蹻羏S慎葾罶舀扷蹎佰伀挀洀舀抏捦扥抉开开开开开开舀灻扨翿缀挀洀翿缀挀洀翿缀缀翿开开开开开开挀洀舀抃萀艶獶踀缀艎萀灞开开开开开开开开舀扨扨顛翿葎飿挀洀挀
15、洀忿开开开开开开挀洀捗扥萀罶挀洀偰葎a偰萀豎獷抏葟扶挀洀葎挀洀谀挀洀翿獎抏葟桶罔彎开开开开开咉须燿苿驖葛慧葿慶叿猀蒈桶厏惿萀扶艜啙盿聞悏葏苿抉苿踀踀抏獦抏盿苿捗扥苿偎蹎翿缀蹎苿扨挀洀缀缀挀洀萀罶扨萀扶甀瀀奵灴搀昀氀蕲掍嘀渀一圀倀渀猀嘀氀最氀漀儀夀洀戀愀堀瘀爀儀最伀砀欀匀匀娀瘀礀攀栀愀栀圀譓晎灛晥歛瑑恙颋昀S顢顫燿灔敵給顔炍e驎灙結顔蒘譓幓蹜絎顔蒘u蹻愀戀N驎娀紁刯謀v匎I胔-i縃$2021年中国医药冷链行业市场经营管理及投资可行性分析报告.docx2021年中国医药冷链行业市场经营管理及投资可行性分析报告.docx2021-9269e8a1ecc-c343-4a32-8b61-e76ff0971e33cg8pgvEnCHCA2O2ugc3UWX3lUCYJePcFv708cCEgcV7bpSH09hx+jQ=2021,年中,国医,药冷链,行业,市场,经营管理,投资,可行性,分析,报告https:/
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