1、 证券研究报告证券研究报告| |轻工制造轻工制造 Table_RightTitle 证券研究报告证券研究报告| |轻工制造轻工制造 Table_Title 前前三三季度延续高增，季度延续高增，高基数高基数+ +局部局部疫情疫情下下单单 Q Q3 3 略有逊色略有逊色 Table_StockRank 买入买入(维持) Table_StockName 飞亚达（飞亚达（000026）点评报告）点评报告 Table_ReportDate 2021 年 10 月 12 日 Table_Summary 报告关键要素报告关键要素: : 公司发布 2021 前三季度业绩预告，预计实现归母净利润 3.43.6
2、亿元， YoY+58%+67%，预计实现基本每股收益 0.78950.8366 元/股，拆分单 Q3 来看，预计实现归母净利润 1.051.25 亿元，YoY-23% -9%，业绩表现基 本符合预期。 投资要点投资要点: : 前三季度前三季度业绩业绩延续延续高增高增，单，单 Q Q3 3 受高基数及局部疫情影响。受高基数及局部疫情影响。公司 21 年前三 季度业绩同比增长 58%67%，较 2019 前三季度增长 89%101%，21Q3 同比 下降 9%23%，较 19Q3 增长 90%126%。去年上半年的低基数效应，以及亨 吉利受益于疫情下海外名表消费回流，使得前三季度延续高增表现。Q3
3、 归 母净利润同比小幅下滑，主要原因为：高基数效应：高基数效应：去年 Q1 疫情管控下 居民消费受抑制，疫情好转后 Q2 消费逐步恢复，Q3 出现消费需求集中释 放后的爆发式增长，公司在 20Q3 实现归母净利 1.37 亿元，增速达 148%， 为公司疫情后单季度所实现的最高业绩；疫情与自然灾害影响：疫情与自然灾害影响：受强降 雨等自然灾害及南京、福建、黑龙江等地疫情反复影响，21 年 Q3 整体社 零消费相对疲软。从中国大陆瑞表数据来看，2021 年 1-8 月瑞表对中国大 陆出口金额维持高增，同比增长 60.1%，较 19 年同期增长 62.7%，我们认 为目前，虽然零星爆发的疫情会小幅
4、扰动国内名表消费，但国内受疫情影 响的名表消费回流已经达到一个相对平稳的状态， 预计公司 2021 年全年仍 维持较好业绩增长。 看好看好公司公司高端渠道及品牌组合高端渠道及品牌组合， 运营效率运营效率+ +盈利能力盈利能力有望进一步有望进一步提升提升。 公 司持续推进渠道优化升级，合作历峰集团打造的 TIME Vallee 高端品牌集 合店即将开业；布局免税业务取得积极进展，与部分免税持牌商达成合作， 将引入部分中高端品牌。 结合瑞表消费数据佐证， 考虑海外疫情仍较严峻、 国内消费升级等因素，看好大陆份额继续提升；7 月公司宣布新董事长 上任，预计后续将明确战略安排，积极推出管理优化、系统升
5、级、品牌重 塑等措施，进一步推动运营效率提高和结构优化调整；公司聚焦品牌核 心系列并积极进行新品开发，9 月携马赫系列“歼-20” 首飞十周年限量 Table_ForecastSample 2020A 2021E 2022E 2023E 营业收入(百万元) 4243.44 5610.16 6394.97 7032.79 增长比率(%) 15 32 14 10 净利润(百万元) 294.12 452.80 523.81 619.93 增长比率(%) 36 54 16 18 每股收益(元) 0.69 1.06 1.23 1.45 市盈率(倍) 17.25 11.16 9.64 8.15 市净率（倍
6、） 1.80 1.67 1.54 1.40 数据来源：携宁科技云估值,万联证券研究所 注：净利润为归母净利润 Table_BaseData 基础数据基础数据 总 股 本 （ 百 万 股 ） 426.26 流 通A股 （ 百 万 股 ） 357.91 收 盘 价 （ 元 ） 11.85 总 市 值 （ 亿 元 ） 50.51 流 通A股 市 值 （ 亿 元 ） 42.41 Table_Chart 个股相对沪深个股相对沪深 300300 指数表现指数表现 数据来源：数据来源：聚源，万联证券研究所 Table_ReportList 相关研究相关研究 业绩略超预期， 腕表龙头成长逻辑持续演绎 飞亚达三
7、问三答： 估值性价比凸显的国内腕 表领军者 21H1 业绩预计增长靓丽，回流效应持续 Table_Authors 分析师分析师: : 陈雯陈雯 执业证书编号： S0270519060001 电话： 18665372087 邮箱： 研究助理研究助理: : 李滢李滢 电话： 15521202580 邮箱： -40% -30% -20% -10% 0% 10% 20% 30% 飞亚达沪深300 证 券 研 究 报 告 证 券 研 究 报 告 公 司 公 司 点 评 点 评 报 告 报 告 公 司 研 究 公 司 研 究 更多投研资料 或+ WX公众号mtachn Table_Pagehead2 证券
8、研究报告证券研究报告| |轻工制造轻工制造 万联证券研究所 第 2 页 共 4 页 款腕表亮相珠海航展，发力精准营销，看好后续自有品牌稳健发展。 理性看待同比增速环比下滑，重视回流长期趋势及公司内生改善。理性看待同比增速环比下滑，重视回流长期趋势及公司内生改善。Q3 同比 增速有所下滑主因去年高基数和国内社零消费受外部环境影响，我们认为 更应关注行业和公司中长期的变化，首先从行业层面从行业层面看名表消费回流是大看名表消费回流是大 势所趋：势所趋： 当前疫情防控已经入常态化阶段， 消费者对出境游仍存在担忧， 预计未来 1-2 年疫情对境外消费的压制仍存；消费升级提高国人奢侈品 消费潜力；供给端境
9、外名表消费环境恶化（如香港名表店关店等） ；政 策引导消费回流；品牌方缩小境内外价差的趋势明显，对境内的资源投 放力度也有加大趋势。从公司层面看亨吉利扩张加速，落子海南，中长期从公司层面看亨吉利扩张加速，落子海南，中长期 思路理顺思路理顺：公司此前在终端服务能力、销售管理体系、数字系统等方面 发力，内部提质增效，已在名表零售业形成强大的竞争力，并开始通过收 购+自建的方式加快扩张节奏；公司投资设立亨吉利（海南）子公司，有 望采用供货、开店等多种模式从多渠道深挖海南腕表市场机会，助力公司 中长期发展；中期自有品牌有望依托强大的设计团队以及不断提升的品 牌形象实现发力，看长期维度，精密科技或成重要
10、看点。 盈利预测与投资建议：盈利预测与投资建议： 我们维持公司 2021-2023 年盈利预测， 预计公司 21- 23 年实现归母净利润 4.5/5.2/6.2 亿元，同比增速为 54%/16%/18%，对应 EPS 为 1.06/1.23/1.45 元/股，10 月 12 日股价对应 PE 为 11/10/8 倍，考 虑到公司顶级奢侈品零售商的标的稀缺性以及国产腕表的龙头地位，估值 仍具性价比；考虑到亨吉利与免税牌照方相关业务合作的深化，估值仍有 向上空间，维持“买入”评级。 风险因素：风险因素：高端消费不及预期、国内疫情风险、免税相关合作推进不及预 期、自有品牌发展不及预期 更多投研资料
11、 或+ WX公众号mtachn 万联证券研究所 第 3 页 共 4 页 Table_Pagehead 证券研究报告证券研究报告| |轻工制造轻工制造 $start$ $end$ 利润表利润表（百万元）（百万元） 资产负债表资产负债表（百万元）（百万元） 2020A 2021E 2022E 2023E 2020A 2021E 2022E 2023E 营业收入营业收入 4243 5610 6395 7033 货币资金 353 441 629 926 %同比增速 15% 32% 14% 10% 交易性金融资产 0 0 0 0 营业成本 2639 3457 3923 4283 应收票据及应收账款 52
12、4 684 784 862 毛利 1604 2154 2472 2750 存货 1932 2178 2257 2347 营业收入 38% 38% 39% 39% 预付款项 17 20 23 25 税金及附加 25 36 42 42 合同资产 0 0 0 0 营业收入 1% 1% 1% 1% 其他流动资产 129 147 156 164 销售费用 871 1122 1298 1421 流动资产合计 2954 3470 3850 4325 营业收入 21% 20% 20% 20% 长期股权投资 51 52 52 53 管理费用 257 348 393 433 固定资产 353 330 307 28
13、4 营业收入 6% 6% 6% 6% 在建工程 0 0 0 0 研发费用 51 68 83 91 无形资产 38 34 31 27 营业收入 1% 1% 1% 1% 商誉 0 0 0 0 财务费用 33 35 29 15 递延所得税资产 81 81 81 81 营业收入 1% 1% 0% 0% 其他非流动资产 542 502 464 428 资产减值损失 -15 -5 -5 -5 资产总计资产总计 4019 4468 4785 5198 信用减值损失 -9 0 0 0 短期借款 543 550 500 500 其他收益 25 31 37 40 应付票据及应付账款 305 422 474 516
14、 投资收益 5 5 6 7 预收账款 10 13 15 17 净敞口套期收益 0 0 0 0 合同负债 18 24 27 30 公允价值变动收益 0 0 0 0 应付职工薪酬 133 174 197 216 资产处置收益 0 -1 元器件质量与可靠性保证 可靠性与系统工程学院 付桂翠 fuguicui 2012年09月13日 1 讨论 v可靠性？ v元器件？ v元器件可靠性？ 本课程要讲述的主要内容 课时安排及考核要求 v课时安排：24学时，2学时/次。 v任课教师：付桂翠、张素娟 v课程安排：课堂教学22学时。 考试2学时 v考试安排：平时考核和期末闭卷考试相结合 其中平时成绩占30%，期末
15、成绩占 70%。 使用教材：付桂翠，电子元器件可靠性技术教程 北航出版社。2010 第一讲 内容提要 现代元器件的发展1 元器件的分类2 历史回顾 v 电子管的诞生 1906 年，美国物理学家，“电子管之父”Lee De Forest发明了真空三极管，利用这种新的 元件，电路能够实现放大、振荡和开关等功能； 真空三极管的发明，使电子管成为实用的器件； 功耗大，产生的热量过多，且极易烧坏； 1946年诞生的第一台电子计算机ENIAC，其中采用了大约18,000只电子管，,占地面积170 多平方米，重量约30吨，功率25KW。这台机器每隔两天发生一次故障。 历史回顾 v 第一个半导体晶体管的诞生
16、1947年12月16日：William Shockley、John Bardeen和Walter Brattain成功地在 贝尔实验室制造出第一个晶体管； 评价：晶体管“使我们的社会发生了伟大变革，这场变革的深远意义不亚于钢铁 的发现、蒸汽机的发明以及英国工业革命。” 1950年，William Shockley又开发出双极晶体管，这是现在通行的标准晶体管； 1954年5月24日，贝尔实验室使用800只晶体管组装了世界上第一台晶体管计算 机TRADIC, 功率100瓦。 历史回顾 v第一块集成电路的发明 1958年9月12日，基尔比研制出世界上第一块集成电路； 具有五个集成元件的简单振荡电路，
17、电路中的元器件，包括二极管 、晶体管、电阻和电容等全部制造在了同一个晶片上； 半导体材料：锗 杰克 基尔比-集成电路之父 第一块集成电路 历史回顾 v 集成电路由“发明时代”进入“商用时代” 1959年7月，仙童半导体的诺伊斯(Robert Noyce)研究出一种二氧化硅的扩散 技术和PN结的隔离技术，并创造性地在氧化膜上制作出铝条连线，使元件和 导线合成一体，从而为半导体集成电路的平面制作工艺、为工业大批量生产 奠定了坚实的基础； 半导体材料：硅地球上含量最丰富之一的元素，商业化价值更大，成本更 低； 1961年，仙童半导体公司和德州仪器公司共同推出了第一颗商用集成电路。 罗伯特.诺伊斯 世
18、界上第一台用集成电路计算机-IBM360 现代元器件的发展 电子管 1 晶体管 2 集成电路 3 190619471958 MEMS 4 1959 Lee De Forest William Shockley John Bardeen Walter Brattain 1956年 诺贝尔物理学奖 Feyman Theres Plenty of room at the bottom Kilby 2000年的诺贝 尔物理学奖 元器件的分类 元器件的概念与分类1 元器件的功能与命名2 元器件的失效模式和失效机理3 元器件的概念 v 在ESA标准中对元器件的定义为：完成某一电子、电气或 机电功能，并由一
19、个或几个部分构成而且一般不能被分解 或不会破坏的某个装置； v GJB4027-2000 军用电子元器件破坏性物理分析方法 将元器件定义为：在电子线路或电子设备中执行电气、电 子、电磁、机电或光电功能的基本单元。该基本单元可由 一个或多个零件组成，通常不破坏是不能将其分解的。 元器件的分类 v元件: 指在工厂生产加工时不改变分子成份的成品，如电阻器、电容器、 电感器； 本身不产生电子，对电压、电流无控制和变换作用； 元件又分为：电气元件和机电元件； v器件： 指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管 、集成电路； 本身能产生电子，对电压、电流有控制、变换作用（如放大、开关 、
20、整流、检波、振荡和调制等），又称电子器件。 元器件分类总图 元器件的分类 电气元件 电阻器 v 电阻器能对电能进行吸收，故在电路中通常起限流、降压 、分压的作用，对信号来说，交流与直流信号都可以通过 电阻器； v 按照材料可分为碳膜电阻器，金属膜电阻器、氧化膜电阻 、玻璃釉电阻器等。 (a) 金属膜电阻器 (b) 玻璃釉电阻器(c) 贴片电阻器 电阻器结构与工艺 电阻器的结构与工艺 电阻器失效 电阻膜的局部腐蚀 电阻器 v 标注方法 直接标注法； 文字符号法； 色环标注法； 数字法：101表示100的电阻，102表示1K的电阻，223表示22K。 第一部分(主称)第二部分(电阻材料)第三部分(
21、分类)第四部分第五部分 符号意义符号意义符号电阻电位序号区别代号 R W M 一般电阻 电位器 敏感电阻 T H S N J Y C I X 碳膜 合成膜 有机实芯 无机实芯 金属膜 氧化膜 沉积膜 玻璃釉膜 线绕 1 2 3 4 5 6 7 8 9 G T W D 普通 普通 超高频 高阻 高温 精密 高压 特殊 高功率 可调 普通 普通 精密 函数 特殊 微调 多圈 用数字表示 ，有的 表示外 形尺寸 用大写字 母表 示 电阻与电位器命名方法 RJ7*：金属膜精密电阻器 电阻器 v特殊电阻器 ： 指其阻值随温度、光通、电压、机械力、湿度、磁通、气体等外界 因素变化的电阻器； 包括熔断电阻器
22、和敏感电阻器； 熔断电阻器又称为保险丝电阻器，超过其额定功率，可以熔断，使 电路开路，从而保护贵重元件，防止故障扩大； 敏感电阻器也称为半导体电阻器。常见的有热敏、光敏、磁敏、气 敏、力敏等电阻器。 熔断电阻器 电位器 v 电位器是靠电刷在电阻体上的滑动来取得电阻的变化，并在加电压时 ，取得与电刷位移成一定关系的输出电压的元件； v 实际上是连续可调的电阻器； v 在电路中可实现信号或电量控制等作用； v 常见电位器绕线电位器、双联电位器、微调电位器、直滑电位器等 (a) 绕线电位器 (b) 双联电位器 (c) 微调电位器 (d) 直滑式电位器 电位器 v绕线电位器主要失效模式 开路 电刷接触
23、不良(压力过低、氧化、腐蚀、线径不均) ； 电刷接触压力过大等引起断线。 接触不良； 滑动噪声大； 阻值超差。 电容器 v 用量仅次于电阻器； v 电容器能被充电和放电，稳态直流电流不能通过电容器， 在交流或脉冲直流电路中，电流能通过电容器； v 功能：滤波、调谐、旁路、耦合； v 电容器是由两个金属电极，中间夹一层绝缘体构成； v 按照材料可分为纸介电容器、薄膜电容器、瓷介电容器、 云母电容器、玻璃釉电容器、电解质电容器等 。 (a) 瓷介电容器 (b) 电解质电容器 低通滤波电路 高通滤波电路 电容器通高频、阻低频 电容器的结构与工艺（含铝电解、液钽、固钽、瓷介） 正极 阴极 金属氧化膜电
24、解质 正极 电容器结构与工艺 电解电容器的构造 电容器 铝外壳 芯子 封口橡胶 导线 浸有电解液 的隔离纸 阴极箔 阳极箔 芯子 电容器 简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外 两个导电的金属电极，基本结构如下： 贴片电容的结构与之类似，主要 包括三大部分：陶瓷介质，金属内电 极，金属外电极。贴片电容是一个多 层叠合的结构，简单地说它是由多个 简单平行板电容器的并联体。如右图 所示： 贴片电容器 电容器 表2 电容器的主要失效模式、失效机理 电容器门类失效模式失效机理 铝电解电容器漏液密封不佳、橡胶老化龟裂、高温高压下电解液挥发 炸裂工作电压中交流成分过大、氧化膜介质缺陷、存
25、在有害离 子、内气压高 开路电化学腐蚀、引出箔片和阳极接触不良、阳极引出箔片和 焊片的铆接部分氧化 短路阳极氧化膜破裂、氧化膜局部损伤、电解液老化或干涸、 工业缺陷 电容量下降电解液损耗较多、低温下电解液粘度增大 漏电流增加氧化膜致密性差、氧化膜损伤、氯离子沾污 漏液密封工艺不佳 瓷介电容器开裂热应力、机械应力 短路介质材料缺陷、生产工艺缺陷、银电极迁移 低电压失效介质内部存在空洞、裂纹和气孔等缺陷 电容器失效分析典型案例 防止铝电解电容器失效注意事项 工作条件类别预防措施或注意事项 工作温度及纹波电流1.确定工作温度或纹波电流在规定的范围内 2.当并联两个或更多电容时，需计算接线电阻应计算在
26、内 施加电压1.注意电压的极性不能接反 2.应确定交流电压的峰值不超过定电容的额定电压 工作环境1.电容器如接触水、盐水、油或受潮后不应马上使用 2.不要在高度震荡、冲击环境中使用 组装1.不要装错电极 2.260下焊接时间不超过10s，或350下不超过3s 3.确保电容器的封口位置不受压 储存1.电容器应储存在正常温度、湿度条件下，避免受到阳关直射 2.最长储存期为3年 防范性检查1.应定时检查外观和电特性 2.如使用寿命到期，应及时更换 电容器失效分析典型案例 钽电容器 v属于电解质电容器； v体积小、容量大、漏电流低、使用寿命长、综合性 能优异； v固体钽电容器 由钽粉在真空烧结炉中高温
27、烧结而成的多孔体； 电介质：钽块表面形成的阳极氧化膜； 阳极：钽； 阴极：覆盖在阳极氧化膜表面的固体二氧化锰薄膜； 片式钽电容的正极为经真空高温烧结而成的多孔性钽块。绝缘介 质是在多孔性钽块表面，经阳极氧化生成的五氧化二钽（Ta2O5）。 且由于钽和五氧化二钽的化学稳定性都很好，故片式钽电容贮存性好 ，可靠性高。 电容器 电感器 v工作原理：自感 v主要用途 对交流信号进行隔离； 与电容器、电阻器组成谐振电路或 滤波电路； v分类 磁芯类型:空芯电感器、磁芯电感 器、铁芯电感器、铜芯电感器等； 容量是否可调:固定电感器、可变 电感器、微调电感器等； 安装方式:立式电感器、卧式电感 器和贴片电感
28、器； (d) 可调电感器 (e) 贴片电感器 (a) 空芯电感器 (b) 磁芯电感器 (c) 卧式电感器 变压器 v 工作原理：互感； v 功能 对交流电(或信号)进行电压变换、电流大小变换或阻抗变换，可以传递信 号、隔直流等； v 分类 用途：电源变压器、音频变压器、脉冲变压器、恒压变压器、耦合变压器 、隔离变压器等； 磁芯的类型：E型、C型、环形等； 工作频率：高频、中频、低频变压器。 (a) E型变压器 (b)C型变压器 (c) 环形变压器 变压器 机电元件 开关 v用途 电路中起接通、断开、转换和连接等作用； 可将电力信号从一个电路转移到另一个电路。 v分类 结构形式:旋转开关、按钮开
29、关、组合按钮开关、微动开关、杠杆 开关、双列直插式开关、拨动开关、薄膜开关、片式开关等。 按钮开关 拨动开关 杠杆开关 电连接器 v 用途 将一个电路或传输单元的导线与另一个电路或传输单元的导线相 连接； 电气连接和信号传递； v 电路对电连接器的质量和可靠性有非常高的要求。 v 分类 低频连接器； 圆形连接器、矩形连接器、印制电路连接器、网络连接器、滤波连接 器 射频连接器； 光缆连接器。 电连接器 (d ) 网络电连接器(b) 矩形电连接器 (a) 圆形电连接器(c) 印制线路板电连接器 继电器 v 利用电磁原理、机电原理使接点闭合或断开来驱动或控制相关 电路； 控制器件，包括受控系统(输
30、入回路)和控制系统(输出回路)两部分； 输入量(电、磁、光、热等物理量)达到某一定值时，输出量跃变式地由 零变化到一定值(或由一定值突跳到零)，从而实现对电路的控制、保护 、调节和传递信息等目的； v 分类 电磁继电器、干簧继电器、固态继电器、温度继电器等； (a) 电磁继电器 (b) 干簧继电器 (c)固态继电器 继电器 v电磁继电器 继电器中应用最早、最广泛的一种产品； 工作原理：利用电磁感应原理，当线圈中通过直流时，线圈产生磁 场，静接点打开，动接点闭合。当电磁线圈的电流被切断后，动接 点打开，静接点闭合； 失效：接点的电腐蚀引起接触不良及粘结等；75%的失效是由于接 触失效所致。 继电
31、器中的簧片疲劳断裂 电子器件 半导体分立器件 v二极管 功能：整流、限幅、检波、温度补偿、电子 开关； 分类 材料：锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管、 磷化镓二极管； 用途和功能：稳压二极管、整流二极管、开关 二极管、变容二极管、检波二极管、肖特基二 极管、阻尼二极管、雪崩二极管、微波二极管 等； 结构：点接触型二极管和面接触型； 封装形式：塑料封装、玻璃封装、金属封装。 命名 半导体分立器件 v 晶体管 半导体基本元器件之一，电子电路的核心元件; 在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结 把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发 射区和集电区，排列方式有PNP和NP
32、N两种; 功能：电流放大作用：通过控制基极电流的大小使集电极电 流发生变化; 分类 按照材料：锗管、硅管、砷化镓晶体管； 按照极性：NPN型和PNP型； 按照用途和功能：开关晶体管、带阻晶体管、达林顿管、高反 压功率管、微波功率管等； 按照结构：扩散型、合金型、平面型； 按照封装形式：塑料封装、玻璃封装、金属封装、陶瓷封装。 第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分 用数字表示器件的电极 数目 用汉语拼音字母表示器 件的材料和极性 用汉语拼音字母表示器件 的分类 用数字表 示器件 序号 用汉语拼音字 母表示规 格号 符号意义符号意义符号意义符号意义 2二极管A B C D N型锗材料 P型锗材
33、料 N型硅材料 P型硅材料 P V W C F Z L S N X G D A U K I T B J CS BT FH PIN JG 普通管 微波管 稳压管 参量管 发光管 整流器 整流堆 隧道管 阻尼管 低频小功率管 高频小功率管 低频大功率管 高频大功率管 光电器件 开关管 可控整流器 体效应器件 雪崩管 阶越恢复管 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN管 激光器件 3晶体管A B C D E PNP型锗材料 NPN型锗材料 PNP型硅材料 NPN型硅材料 化合物材料 3 D A 6 C 规格号 产品序号 高频大功率管 NPN型硅材料 晶体管 3DG6C为NPN型硅材料高频大功率晶
34、体管 半导体分立器件 v半导体的场效应 在半导体表面的垂直方向上加一电场时，电子和空穴在表面电场作 用下发生运动，半导体表面载流子的重新分布，因而半导体表面的 导电能力受到电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向， 可以控制半导体表面层中多数载流子的浓度和类型，或控制PN结 空间电荷区的宽度。 v场效应晶体管FET 与双极型晶体管的比较 双极型晶体管工作过程中不仅多数载流子参加导电，少数载流子也参 与导电，是根据扩散理论制成的电流控制器件； 而场效应管只有多数载流子参加导电，是以欧姆定律为依据的电压控 制器件。 N型沟道MOS管 半导体分立器件 v场效应晶体管 场效应管是一种具有放大能力的
35、三端器件； 它输入阻抗高，功耗小，温度稳定性好，信号能更稳定的放大，在 许多场合已经取代双极型晶体管。 分类 按构造和工艺不同：结型和绝缘型两类。前者有两个PN结，故称为结 型；后者的栅极为绝缘体且与其他电极完全绝缘，称为绝缘栅型。 N型沟道MOS管 半导体分立器件 v晶闸管：晶体闸流管、可控硅整流器 功能：控制电流作用，是交流电流开关器件；可实现对电量的开关 、电机调速、调压、控制温度、控制湿度等； 晶闸管利用控制极的微弱触发电流来导通，用电流的瞬时关断或反 向流动等操作来关断； 只用电子的操作来导通或关断，没有触电和机械动作零件； 不会出现出点接触不良和零件机械磨损故障； 分类 普通晶闸管
36、、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管等 集成电路 v 采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许 多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或 隧道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。 v分类 按处理信号类型：模拟电路、数字电路、数模混合电路； 按用途：接口电路、电源电路、专用电路、存储器电路、计算机电 路、数字信号处理器、微波集成电路等； 按制造工艺：半导体集成电路、厚薄膜混合集成电路； 按照规模：小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、 超大规模集成电路、甚大规模集成电路； 集成电路 v 主要失效模式 漏电大或短路 击穿特性劣变 正向压降的劣变 开路 高阻 v
37、 失效机理 电迁移； 热载流子效应； 与时间相关的介质击穿(TDDB) ； 腐蚀 热载流子：当载流子从外界获得了很大的能量时，即可成为热载流子。热 载流子所表现出来的效应称为热载流子效应。 相关机理相关机理 v 电迁移 在强电流流过金属线时，金属离子会在电流及其它因素的相互作用下移动并在线 内形成孔隙、裂纹、小丘； v 外因：大电流密度、温度 v 内因： 金属线线宽小； 材料：不同材料抗电迁移能力不同；铝、铜铝合金、铜 v 结果：造成金属化的开路和短路，使器件漏电流增加。 化学相关的机理化学相关的机理 v 银迁移（Silver Migration） v 外因：电场、潮湿 v 内因：含银，间隔
38、v 结果：银离子从高电位向低电位迁移，并形成絮状或枝蔓状扩展. v 失效模式 造成无电气连接的导体间形成旁路，绝缘下降乃至短路。 腐蚀模型 材料的化学或电化学性能的退化过程称为腐蚀，腐蚀是一种依赖于时间的耗 损型失效机理。腐蚀可以改变材料的电性能和热性能。 腐蚀速率与材料属性、几何尺寸和离子污染物等因素有关。常见的腐蚀类型 有： 均匀腐蚀：在所暴露的整个表面上都有化学 反应进行，材料变得越来越薄，直到被腐蚀掉； 原电池腐蚀：多种金属接触时产生，材料的 电化学性能差异越明显，腐蚀越严重； 应力腐蚀：在腐蚀和机械应力同时作用下产 生。在受到张力的部位，容易发生阳极溶解，溶 解后阳极区域面积缩小，促
39、使应力更加集中，形 成恶性循环。 腐蚀的失效物理模型如下式所示： 式中，A为与腐蚀面积相关的常数，RH为相 对湿度，n为经验常数，一般取3，Ea为激活能， 通过试验测得，k为波尔兹曼常数，T为环境温 度，单位K。 腐蚀模型 * MOS晶体管的动作 MOS晶体管实质上是一种使 电流时而流过，时而切断的开关开关 n+n+ P型硅基板 栅极（金属） 绝缘层（SiO2） 半 导 体 基 板 漏极 源极 N N沟沟MOSMOS晶体管的基本结构晶体管的基本结构 源极(S) 漏极(D) 栅极(G蝒蝒邀絮晬窏絬晬窏炐湥百馍敥遧靎馍敥遧靎蝵璐蝵璐絑汙細汙璏敞擿蝵璐盿蝵占荏驺汦葑v祙瓿卥獬躚汫叿汑娀驗聛照譒啓敢琀蝵鹞罘腎鹎溍鶑蒘煶摗剖损獬氰摓琀卖瑟絮晬潎熖荫聎瑟瑑給汙尰泿蹵齟V膗玁膑厀汒葑絶汙敧汧栀汔貏T啟鑶镓卒镙馍圀堀氀浓琀愀挀栀渀琀聠桖桖聠祔蝵聠祔蝵桖桖聠聠蝵s蝵蝵蝵蝵葵鵑馍敥遧靎馍敥遧靎镙馍圀堀氀浓琀愀挀栀渀琀聠邀絮晬澚邀絮晬澚倀l噥煻噥煻耀斏邀普螐聓斏邀普螐璏敞棿邀絮晬鹾罘癜邀絮晬鹦罘琀敎邀普螐灥虎渰絎佬S灥湥琀邀絮晬虎藿蚏瑓邀絮晬梏瑑N螐虎琀瘰発齑腎鞉蹶鱥噥葻豒联斏敞葧邀普皏発齑腎鞉蹶鱥噥葻豒联斏敞葧邀普鬀葺楓鬰葺楓桖桖邀絮晬邀絮晬桖桖邀普螐邀普螐
个人主页
