MOOC 模拟电子电路与技术基础-西安电子科技大学 中国大学慕课答案.docx

1、 MOOC 模拟电子电路与技术基础-西安电子科技大学中国大学慕课答案集成运算放大器应用基础：符号、模型 、传输特性1、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】同相比例放大器及反相比例放大器1、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】 相加器1、问题：在反相相加器中，运放反相端可视为”虚地”。 （ ）选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：欲将正弦信号叠加一个直流电压, 可选用相加器 （ ）选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】相减器（A）1、问题：选项：A、反相比例放大器

2、B、反相相加器C、相减器D、同相比例放大器正确答案:【相减器】2、问题：要实现信号相减, 被减信号应加到运放反相端,减信号应加到同相端 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】相减器（B）1、问题：相减器也可实现信号直流电平的移位选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 积分器1、问题：积分器可将方波变换为三角波,余弦波变换为正弦波 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：积分器可实现信号的-90 度移相 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】微分器1、问题：微分器可实现信号的 90 度移相 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】电压电流变换器及电流电压变

3、换器（A）1、问题：电压-电流变换器的负载电流 IL 与负载电阻 RL 成正比( )选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】集成运算放大器的基本应用1、问题：欲将正弦信号叠加一个直流电压, 应选用：选项：A、比例放大器B、相加器C、微分器D、积分器正确答案:【相加器】2、问题：欲要消除共模干扰，应选用：选项： A、比例放大器B、相加器C、相减器D、积分器正确答案:【相减器】3、问题：要实现运放基本运算电路，可：选项：A、开环工作B、必引入负反馈C、必引入正反馈D、只能加电阻反馈正确答案:【必引入负反馈】4、问题：选项：A、-4B、+2C、-1D、-2正确答案:【-2】5、问题：电路如图 1 所

4、示，则该电路的输入电阻 Rif 等于 ( )选项：A、5kB、10kC、20kD、10k+10k/20k正确答案:【10k】6、问题：选项：A、3B、5C、4D、2正确答案:【5】 7、问题：电路如图 2 所示，则该电路的输入电阻 Rif 等于 ( )选项：A、10kB、无穷大C、10k+10k/10kD、10k+10k/10k/20k正确答案:【无穷大】8、问题：电路如图 4 所示，则该电路的输出电压为 ( )选项：A、+4VB、-5VC、+1VD、-1V正确答案:【-1V】 9、问题：电路如图 5 所示，则该电路的输出电压为 ( )选项：A、B、C、 D、正确答案:【】10、问题：电路如图

5、 6 所示，则该电路的输出电压为 ( )选项：A、-9VB、-6VC、+3VD、+10V正确答案:【+3V】11、问题：选项：A、反相比例放大器B、微分器C、相减器D、反相积分器正确答案:【反相积分器】 12、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题：理想运放”虚短路”的概念在任何条件下都成立 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】14、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】15、问题：反相比例放大器放大倍数绝对值可大于 1, 也可等于 1, 也可小于 1。 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】16、问题：同相比例放大器中, 运放输入端存在共模电压 (

6、 )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】17、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 18、问题：积分器的高频增益小, 有滤除高频的功能 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】19、问题：积分器可将方波变换为三角波, 积分时常数越大，输出三角波幅度越小( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】20、问题：将一个直流电压积分, 其输出最终必为电源电压 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】21、问题：微分器可将三角波变换为方波, 余弦波变换为正弦波 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】22、问题：微分器的高频增益大, 不利于滤除高频噪声 ( )选项：A、

7、正确B、错误正确答案:【正确】23、问题：电压-电流变换器的负载电流 IL 与输入电压成正比, 与负载电阻 RL 大小无关 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 24、问题：图 1 和图 2 的输出电阻 Ro 均为零 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 25、问题：电路如图 3 所示，则该电路的输出电压为-12V ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】有源 RC 滤波器概念1、问题：滤波器阶数越大, 过渡带越窄, 幅频特性越接近矩形( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：有同学说,滤波器频率越高, 阶数就越高, 对吗? ( )选项：A、正确B、错误

8、正确答案:【错误】3、问题：具有通带内最平坦响应的滤波器是巴特沃斯滤波器( )选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】4、问题：过渡带最长, 但具有线性相移的是贝塞尔滤波器( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】有源 RC 滤波器实现（1.A）一阶有源滤波器1、问题：电路如图 1 所示，该电路的通带增益为 ( )选项：A、B、C、 D、正确答案:【】有源 RC 滤波器实现（1.B）二阶 Sallen-Key 滤波器1、问题：要从方波中滤出基波分量应采用 ( )选项：A、低通滤波器B、高通滤波器C、带通滤波器D、带阻滤波器正确答案:【低通滤波器】2、问题：电路如图 2 所示，该电路是 (

9、 ) 选项：A、二阶 Sallen- key 高通滤波器B、二阶 Sallen- key 低通滤波器C、二阶 Sallen- key 带通滤波器D、二阶 Sallen- key 全通滤波器正确答案:【二阶 Sallen- key 低通滤波器】3、问题：电路如图 2 所示，该电路的通带增益为 ( )选项：A、B、 C、D、正确答案:【】4、问题：电路如图 5 所示，该电路是 ( )选项：A、二阶 MFB(多路反馈)高通滤波器B、二阶 MFB(多路反馈)低通滤波器C、二阶 Sallen- key 带通滤波器 D、二阶 Sallen- key 低通滤波器正确答案:【二阶 Sallen- key 低通

10、滤波器】5、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：对有源滤波器来说, 品质因素 Q 值越大越好 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】有源 RC 滤波器实现二阶 MFB 滤波器1、问题：有源滤波器电路如图 10 所示，则该电路是何种功能的滤波器？( )选项： A、二阶 Sallen-key 高通滤波器B、二阶 Sallen-key 带通滤波器C、二阶 MFB 带通滤波器D、二阶 MFB 带阻滤波器正确答案:【二阶 MFB 带通滤波器】有源 RC 滤波器实现带阻、全通、多功能状态变量滤波器1、问题：有源滤波器电路如图 8 所示，则该电路属于何种功能的滤波器？( )选项：

11、A、二阶高通滤波器B、二阶低通滤波器C、二阶带通滤波器D、二阶带阻滤波器正确答案:【二阶带阻滤波器】RC 有源滤波器1、问题：要从方波中滤出三次谐波分量应采用 ( )选项：A、低通滤波器B、高通滤波器C、带通滤波器 D、带阻滤波器正确答案:【带通滤波器】2、问题：电路如图 1 所示，该电路是 ( )选项：A、二阶低通滤波器B、一阶高通滤波器C、一阶全通滤波器D、一阶低通滤波器正确答案:【一阶低通滤波器】3、问题：电路如图 1 所示，该电路的截止频率为 ( )选项：A、B、C、 D、正确答案:【】4、问题：电路如图 3 所示，该电路是 ( )选项：A、二阶 MFB(多路反馈)高通滤波器B、二阶

12、MFB(多路反馈)低通滤波器C、二阶 Sallen- key 带通滤波器D、二阶 MFB(多路反馈)带阻滤波器正确答案:【二阶 MFB(多路反馈)低通滤波器】 5、问题：电路如图 4 所示，该电路是 ( )选项：A、二阶 Sallen- key 高通滤波器B、二阶 Sallen- key 低通滤波器C、二阶 Sallen- key 带通滤波器D、二阶 Sallen- key 全通滤波器正确答案:【二阶 Sallen- key 带通滤波器】 6、问题：电路如图 5 所示，该电路的通带增益 k 和 Q 值分别为 ( )选项：A、K=1 Q=0.5B、K=1 Q=1C、K=1 Q=2D、K=2 Q=

13、2正确答案:【K=1 Q=0.5】7、问题： 选项：A、将 C2 与 R3 位置对调B、将 C2 与 R1 位置对调C、将 C2 与 R2 位置对调D、将 C1 与 R3 位置对调正确答案:【将 C2 与 R2 位置对调】 8、问题：电路如图 7 所示, 其中 R1C1R2C2 则该电路是 ( )选项：A、二阶高通滤波器B、二阶低通滤波器C、二阶带通滤波器D、二阶全通滤波器正确答案:【二阶带通滤波器】 9、问题：有源滤波器电路如图 9 所示，则该电路是何种功能的滤波器？( )选项：A、一阶高通滤波器B、一阶低通滤波器C、一阶带通滤波器D、一阶全通滤波器正确答案:【一阶全通滤波器】10、问题：1

14、.滤波器“阶数”由传递函数分母的根数决定、它与电路中独立储能元件(电容和电感)的数目有关 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】11、问题：通带内有起伏, 过渡带较窄的是切比雪夫滤波器( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】半导体物理基础 1、问题：N 型半导体的自由电子比空穴多,故 N 型半导体带负电，P 型半导体的空穴比自由电子多,故 P 型半导体带正电。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题：载流子浓度越大, 漂移电流与扩散电流也越大。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】P-N 结1、问题：P-N 结正偏时, 内外电场迭加时, 使势垒降低, 扩散运动占优势,

15、形成了较大的正向电流。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：P-N 结反偏时, 空间电荷区变厚变宽, 故势垒电容变大。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】晶体二极管特性及参数1、问题：理想二极管等效于一个理想开关, 正偏导通时相当于短路，反偏截止时相当于开路。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】稳压二极管及其他二极管1、问题：稳压二极管的工作区在反向击穿区, 而不是在正向导通区。选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】2、问题：某稳压二极管的允许功耗为 300mW, 稳定电压为 6V, 则稳压管最大允许的反向电流为 50mA。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】双极型

16、晶体管工作原理1、问题：晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】双极型晶体管特性曲线1、问题：晶体三极管放大区的条件是 e 结正偏、c 结反偏,特点是 iB 对 iC 的控制能力强, 随着 iB 增大, 曲线基本平行上升, 其间隔大小表示 值大小。uCE 变化对iC 影响不大，具有基本的恒流特性。选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】2、问题：晶体三极管饱和区的条件是 e 结正偏、c 结正偏,特点是 iB 对 iC 的控制能力很弱, 值很小, 甚至趋向于零。选项：A、正确B

17、、错误正确答案:【正确】双极型晶体管极限参数和工作状态判别举例1、问题：测得三极管三个电极的电压如图所示, 则判断该管属硅 NPN 管, 且工作在放大区, 其中 U1 对应的是发射极 e, U2 对应的是集电极 c, U3 对应的是基极 b。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】结型场效应管的工作原理和特性参数1、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 MOS 场效应管的工作原理和特性参数1、问题：有关场效应管，以下说法错误的是（）选项：A、场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电B、在恒流区，漏极电流基本不受漏源极电压的控制C、在恒流区，场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方

18、率关系D、发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小正确答案:【发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小】各类场效应管对比，双极型三极管与场效应管对比1、问题：选项：A、N 沟道 JFETB、P 沟道 JFETC、N 沟道增强型 MOSFETD、 P 沟道耗尽型 MOSFET正确答案:【N 沟道增强型 MOSFET】双极型三极管和场效应管的低频小信号模型1、问题：降低工作点电流和提高 值可以增大管子的输入电阻 rbe 。选项： A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为厄尔利电压 UA

19、/工作点电流 ICQ(IDQ)。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】常用半导体器件原理、特性及参数1、问题：N 型半导体是在本征半导体内掺入选项：A、三价元素, 如硼等B、四价元素, 如锗等C、五价元素, 如磷等D、二价元素正确答案:【五价元素, 如磷等】2、问题：双极型晶体三极管工作在放大区的条件是选项：A、e 结正偏, c 结正偏B、e 结反偏, c 结正偏C、e 结正偏, c 结反偏D、e 结反偏, c 结反偏正确答案:【e 结正偏, c 结反偏】3、问题：测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电压如图所示,则该管的类型以及各管脚为选项：A、锗管, U1 对应为基极 b, U2 对应

20、为发射极 e, U3 对应为集电极 cB、锗管, U3 对应为基极 b, U2 对应为发射极 e, U1 对应为集电极 cC、硅管, U3 对应为基极 b, U1 对应为发射极 e, U2 对应为集电极 c D、硅管, U1 对应为基极 b, U2 对应为发射极 e, U3 对应为集电极 c正确答案:【硅管, U3 对应为基极 b, U1 对应为发射极 e, U2 对应为集电极 c】4、问题：测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电流如图所示,则该管的类型、各管脚电流以及 值为选项：A、NPN 管B、PNP 管C、PNP 管D、NPN 管正确答案:【NPN 管】5、问题：某管特性曲线如下图所示

21、, 则该为选项：A、P 沟道增强型 MOS 场效应管B、N 沟道结型场效应管C、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管D、N 沟道增强型 MOS 场效应管正确答案:【N 沟道增强型 MOS 场效应管】6、问题：N 型半导体多数载流子是自由电子, P 型半导体多数载流子是空穴选项： A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：漂移电流与电场强度成正比选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：扩散电流与载流子浓度梯度成正比选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：二极管电路如下图，当 E=4V, 电流表指示 I=3.35mA, 则可判断该二极管为硅管选项：A、正确B、错误正确答案:【正确

22、】10、问题：本征半导体温度升高后自由电子和空穴浓度增大, 但二者仍然相等选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】11、问题：施主电离产生等量的自由电子和正离子, 受主电离产生等量的空穴和负离子选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为 0.5-0.7V, 锗约为 0.2-0.3V 选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题：二极管所加正向电压增大时, 其动态电阻增大选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】14、问题：只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】15、问题：二极管最重要的

23、特性是单向导电性,在整流、限幅、电平选择、开关等应用中,一定要保证不能反向击穿选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】16、问题：PN 结加正向偏压时, 其耗尽层变厚, 加反向偏压时, 其耗尽层变薄选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】17、问题：温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 18、问题：稳压管电路如下图, 若 Ui=20V, RL=250, 稳压管击穿电压 UZ=10V, 限流电阻 R=100, 则稳压管流过的工作电流为 60mA选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】19、问题：理想二极管的正向导通

24、电阻为零, 反向截止阻抗为无穷大选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】20、问题：双极型晶体三极管的集电极电流与发射结电压成指数关系选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】21、问题：场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】22、问题：双极型晶体三极管的集电极与发射极可以互换使用选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】23、问题：结型场效应管的漏极与源极可互换使用选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 24、问题：场效应管的栅流趋于零, 输入电阻趋于旡穷大选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】25、问题：无论在放大区或饱和区, 集电极电流总随

25、着基极电流增大而增大选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】26、问题：场效应管的跨导 gm 表示栅源电压对漏极电流的控制能力选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】27、问题：在相同工艺和外加电压情况下, MOS 场效应管的尺寸越大(即宽长比W/L 越大),漏极电流将越大, 跨导 gm 也越大选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】28、问题：MOS 场效应管的导电沟道是平行于器件表面的,且是多数载流子的漂移电流,故温度稳定性较好,抗辐射能力较强选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】典型放大电路结构特点, 三种阻态放大器电路1、问题：放大器待放大信号必须要加到基极和发射极回路, 因为发射结

26、电压对集电极电流有很强的控制能力选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 2、问题：三种组态电路结构的不同点在于信号的输入、输出回路的不同选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】放大器的偏置电路和直流工作点的判断1、问题：晶体管电流方程为指数特性, 即使电流变化很大, 结电压 UBEQ 却变化很小, 故算直流工作点时, UBEQ 可用一估算值来代替, 一般硅管为 0.7V, 锗管为 0.3V选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：电路如下图, 则该电路为分压式-电流负反馈偏置电路选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：上图中, 若计算得 UcEQ=5V, 则该管工作在放大区

27、, 若计算得UcEQ=0.3V, 或为负值, 则该管工作在饱和区选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】共射放大器性能分析 1、问题：共射放大器放大倍数与集电极交流负载电阻(RC/RL)成正比选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：共射放大器放大倍数与 值成正比选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：共射放大器放大倍数大小与工作点电流 ICQ 无关选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】带电流负反馈的共射放大器性能分析1、问题：电路如下图所示, 则放大倍数为选项：A、B、C、 D、正确答案:【】共集放大器性能分析1、问题：共集放大器输出电压太小与输入信号差不多, 而且相位相

28、同, 所以共集放大器又称射极跟随器选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：在共集放大器中, 将发射极电阻拆合到基极去要乘以(1+), 反之, 将基极电阻拆合到发射极去要除以(1+)。原因是发射极电流是基极的(1+)倍选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】共基放大器性能分析及三种组态性能对比1、问题：三种组态放大器中, 唯有共射放大器的输出信号与输入信号相位相反, 共集和共基放大器的输出与输入信号是同相的选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：三种组态放大器中,共集的输出电阻最小, 带负载能力最强选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】场效应管放大器偏置电路及共源放大器分析

29、1、问题：自偏压仅适合于结型和耗尽型 MOS 场效应管放大器电路选项： A、正确B、错误正确答案:【正确】共漏放大器和共栅放大器分析1、问题：因为场效应管本身输入电阻为无穷大,所以场效应管放大器的输入电阻完全取决于偏置电路的电阻选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：漏放大器的输出电阻选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】放大器图解分析法-静态分析1、问题：电路如下图(a)所示, RC 增大,则直流负载线将向倒, 工作点向饱和区移动,如图(b)所示选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】放大器图解分析法-动态分析 1、问题：工作点太高, 容易产生截止失真; 工作点太低, 容易产生饱

30、和失真选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】多级放大器分析1、问题：共射放大器一般作为多级放大器的主放大器选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：直接耦合放大器也称直流放大器，它只能放大直流信号选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：在直接耦合放大器中, 计算直流工作点和各项指标时，必须考虑前后级的相互影响选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】共射、共集、共基放大器分析与对比1、问题：有关晶体管基本放大器，以下说法错误的是（）选项：A、电压放大倍数和输入电阻可能和负载电阻有关B、输出电阻可能和信号源内阻有关，和负载电阻无关C、输入电压从基极引入时，集电极的输出电压反相，

31、发射极的输出电压同相D、共集电极放大器电压放大倍数很小，不能有效放大交流信号的功率正确答案:【共集电极放大器电压放大倍数很小，不能有效放大交流信号的功率】2、问题：带负反馈的共发射极放大器如图所示，晶体管的 rbe= 2 kW，b = 100。电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻是（） 选项：A、Au= -0.49，Ri=20.3 kW，Ro=10 kWB、Au= -250，Ri=20.8 kW，Ro=10kWC、Au= -0.49，Ri=2 kW，Ro=5 kWD、Au= -250，Ri=20.8kW，Ro=5kW正确答案:【Au= -0.49，Ri=20.3 kW，Ro=10 kW】多级

32、放大器分析1、问题：有关多级放大器，以下说法正确的是（）选项：A、多级放大器的级数越多，性能越好B、主放大器一般采用共发射极放大器C、场效应管放大器都可以作为输入级放大器D、输出级放大器的输出电阻小，有利于稳定输出电流正确答案:【主放大器一般采用共发射极放大器】双极型晶体管和场效应管放大器 1、问题：放大电路如下图如示, 则该放大器增益近似等于选项：A、B、C、D、正确答案:【】2、问题：放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于选项： A、B、C、D、正确答案:【】3、问题：放大电路如下图如示, 则该放大器输入电阻为选项：A、B、C、D、正确答案:【】 4、问题：放大电路如下图如示, Rc 增

33、大, 则选项：A、电压放大倍数增大;B、输出电阻增大;C、输入电阻增大;D、工作点电流不变。正确答案:【电压放大倍数增大;#输出电阻增大;#工作点电流不变。】5、问题：放大电路如下图所示，RB 增大, 则选项：A、电压放大倍数减小;B、输出电阻增大;C、输入电阻增大;D、工作点电流减小。正确答案:【电压放大倍数减小;#输入电阻增大;#工作点电流减小。】6、问题：晶体管放大器待放大信号一定要加到发射极或基极,不能加到集电极。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：共射、共集、共基三种组态电路中, 输入、输出信号同相的是共集与共基，反相的是共射。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】

34、8、问题：放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为缺 Rc, 输出交流电压信号恒等于零。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为两个电路发射结均无正偏压, 管子工作在截止状态。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为没有 RB, 发射结偏压太大,管子要烧坏, 而且基极交流接地, 信号加不进来。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 11、问题：放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为 PNP 管发射结被反偏,管子截止。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1

35、2、问题：共射、共集、共基三种组态电路中, 输入电阻最大, 输出电阻最小的是共集电极放大器。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题：共射、共集、共基三种组态电路中, 带负载能力最强的是共射放大器。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】14、问题：共射、共集、共基三种组态电路中, 输入电阻最小的是共基极放大器。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】15、问题：所有场效应管放大器都可以采用自偏压做为偏置电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】16、问题：由于场效应管本身输入电阻为无穷大, 所以场效应管放大器的输入电阻主要由偏置电路的电阻决定。选项：A、正确 B、错误正确答案:

36、【正确】17、问题：放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】18、问题：放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】19、问题：放大电路如下图如示, 则该放大器输出电阻为选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 20、问题：放大电路如下图如示, 该电路从集电极输出为共射放大器,增益输出电阻。该电路从发射极输出为共集电极放大器, 增益输出电阻选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】21、问题：放大电路及其交直流负载线如下图如示, 由图可见该电路的参数如下：选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】22、问题：放大电路如下图

37、如示, 其输出电压波形出现如图的畸变, 则该电路产生了截止失真。选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】23、问题：放大电路如下图如示, 其输出电压波形出现如图的畸变, 为消除失真, 工作点应该上移, RB 应该减小。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】24、问题：放大电路如图(a)如示, 若负载 RL 变为 50, 为了不使放大倍数下降太多, 必须加共集电路隔离，如图(b)如示。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】25、问题：多级放大器常用共发射极放大器作为主放大器。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 26、问题：直接耦合放大器在计算直流工作点和电压放大倍数时, 均要考虑前后

38、级的相互影响。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】集成运放特点及恒流源电路（A）1、问题：选项：A、0.5mAB、0.25mAC、0.2mAD、0.8mA正确答案:【0.25mA】集成运放特点及恒流源电路（B）1、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】长尾式差分放大器（1A） 1、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】长尾式差分放大器（1B）1、问题：差模增益、共模增益及共模抑制比等指标与单端输入或是双端输入无关,但与输出信号是单端或是双端有关。 ( )选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：共模抑制比定义为差模增益和共模增益之比, 或KCMR=20Log(Aud

39、/Auc)(dB)选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】带恒流源差分放大器及 CMOS 差分放大器1、问题：将 RE 用恒流源代替, 可提高对共模信号的抑制能力, 对差模增益没有影响。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】差分放大器传输特性 1、问题：选项：A、一对等值反相的正弦波B、一对等值反相的方波C、一对等值同相的正弦波D、一对含有直流分量的等值反相的方波正确答案:【一对含有直流分量的等值反相的方波】话说“有源负载”1、问题：下图是一个用镜像电流源做负载的 CMOS 有源负载差分放大器电路, 虽为单端输出, 但与电阻负载差分放大器的双端输出性能相同, 即差模增益为单端输出的两倍, 共

40、模增益为零, 共模抑制比为无穷大。 选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】集成运放输出级及典型内部电路举例1、问题：下图中, 二极管及 V4、R1、R2 组成的电路都是为了克服交越失真, 它们呈现的交流电阻都很小, 所以加到输出管 V1、V2 基极的交流信号电压可视为相等 。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】集成运放主要参数及应用注意事项1、问题：选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】集成运算放大器内部电路简介1、问题：在差分放大器中,用恒流源取代发射极电阻 RE 能够使( )选项：A、差模放大倍数增大B、工作点稳定C、共模抑制比提高D、共模增益增大正确答案:【共模抑制比提高】 2、

41、问题：电路如下图所示, 其基准电流 Ir 和输出恒流电流 IC2 分别等于( )选项：A、B、C、D、正确答案:【】3、问题：镜像电流源电路如下图所示, 其中 V5 管的作用是( )选项：A、B、增加电流源的输出电阻C、增加电流源的增益D、增加电流源的输出电流正确答案:【】 4、问题：差分放大器电路如下图所示, 则集电极输出直流电平为( )选项：A、B、C、D、正确答案:【】5、问题：差分放大器电路如上图所示, 其单端输出差模增益和双端输出共模增益分别为 ( )选项：A、B、C、 D、正确答案:【】6、问题：差分放大器电路如图所示,则双端输出差模增益选项：A、B、C、D、正确答案:【】7、问题：集成运放是在一微小硅片上通过复杂工艺实现的高增益直接耦合放大器。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：直接耦合放大器只能放大直流信号, 不能放大交流信号。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】 9、问题：用恒流源做有源负载代替电阻负载的目的是增大单级电压增益和节省硅片面积。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：