MOOC 模拟电子电路与技术基础-西安电子科技大学 中国大学慕课答案.docx
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1、 MOOC 模拟电子电路与技术基础-西安电子科技大学中国大学慕课答案集成运算放大器应用基础:符号、模型 、传输特性1、问题:选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题:选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】同相比例放大器及反相比例放大器1、问题:选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题:选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】 相加器1、问题:在反相相加器中,运放反相端可视为”虚地”。 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题:欲将正弦信号叠加一个直流电压, 可选用相加器 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】相减器(A)1、问题:选项:A、反相比例放大器
2、B、反相相加器C、相减器D、同相比例放大器正确答案:【相减器】2、问题:要实现信号相减, 被减信号应加到运放反相端,减信号应加到同相端 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】相减器(B)1、问题:相减器也可实现信号直流电平的移位选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】 积分器1、问题:积分器可将方波变换为三角波,余弦波变换为正弦波 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题:积分器可实现信号的-90 度移相 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】微分器1、问题:微分器可实现信号的 90 度移相 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】电压电流变换器及电流电压变
3、换器(A)1、问题:电压-电流变换器的负载电流 IL 与负载电阻 RL 成正比( )选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】集成运算放大器的基本应用1、问题:欲将正弦信号叠加一个直流电压, 应选用:选项:A、比例放大器B、相加器C、微分器D、积分器正确答案:【相加器】2、问题:欲要消除共模干扰,应选用:选项: A、比例放大器B、相加器C、相减器D、积分器正确答案:【相减器】3、问题:要实现运放基本运算电路,可:选项:A、开环工作B、必引入负反馈C、必引入正反馈D、只能加电阻反馈正确答案:【必引入负反馈】4、问题:选项:A、-4B、+2C、-1D、-2正确答案:【-2】5、问题:电路如图 1 所
4、示,则该电路的输入电阻 Rif 等于 ( )选项:A、5kB、10kC、20kD、10k+10k/20k正确答案:【10k】6、问题:选项:A、3B、5C、4D、2正确答案:【5】 7、问题:电路如图 2 所示,则该电路的输入电阻 Rif 等于 ( )选项:A、10kB、无穷大C、10k+10k/10kD、10k+10k/10k/20k正确答案:【无穷大】8、问题:电路如图 4 所示,则该电路的输出电压为 ( )选项:A、+4VB、-5VC、+1VD、-1V正确答案:【-1V】 9、问题:电路如图 5 所示,则该电路的输出电压为 ( )选项:A、B、C、 D、正确答案:【】10、问题:电路如图
5、 6 所示,则该电路的输出电压为 ( )选项:A、-9VB、-6VC、+3VD、+10V正确答案:【+3V】11、问题:选项:A、反相比例放大器B、微分器C、相减器D、反相积分器正确答案:【反相积分器】 12、问题:选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题:理想运放”虚短路”的概念在任何条件下都成立 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】14、问题:选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】15、问题:反相比例放大器放大倍数绝对值可大于 1, 也可等于 1, 也可小于 1。 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】16、问题:同相比例放大器中, 运放输入端存在共模电压 (
6、 )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】17、问题:选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】 18、问题:积分器的高频增益小, 有滤除高频的功能 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】19、问题:积分器可将方波变换为三角波, 积分时常数越大,输出三角波幅度越小( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】20、问题:将一个直流电压积分, 其输出最终必为电源电压 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】21、问题:微分器可将三角波变换为方波, 余弦波变换为正弦波 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】22、问题:微分器的高频增益大, 不利于滤除高频噪声 ( )选项:A、
7、正确B、错误正确答案:【正确】23、问题:电压-电流变换器的负载电流 IL 与输入电压成正比, 与负载电阻 RL 大小无关 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】 24、问题:图 1 和图 2 的输出电阻 Ro 均为零 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】 25、问题:电路如图 3 所示,则该电路的输出电压为-12V ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】有源 RC 滤波器概念1、问题:滤波器阶数越大, 过渡带越窄, 幅频特性越接近矩形( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题:有同学说,滤波器频率越高, 阶数就越高, 对吗? ( )选项:A、正确B、错误
8、正确答案:【错误】3、问题:具有通带内最平坦响应的滤波器是巴特沃斯滤波器( )选项:A、正确 B、错误正确答案:【正确】4、问题:过渡带最长, 但具有线性相移的是贝塞尔滤波器( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】有源 RC 滤波器实现(1.A)一阶有源滤波器1、问题:电路如图 1 所示,该电路的通带增益为 ( )选项:A、B、C、 D、正确答案:【】有源 RC 滤波器实现(1.B)二阶 Sallen-Key 滤波器1、问题:要从方波中滤出基波分量应采用 ( )选项:A、低通滤波器B、高通滤波器C、带通滤波器D、带阻滤波器正确答案:【低通滤波器】2、问题:电路如图 2 所示,该电路是 (
9、 ) 选项:A、二阶 Sallen- key 高通滤波器B、二阶 Sallen- key 低通滤波器C、二阶 Sallen- key 带通滤波器D、二阶 Sallen- key 全通滤波器正确答案:【二阶 Sallen- key 低通滤波器】3、问题:电路如图 2 所示,该电路的通带增益为 ( )选项:A、B、 C、D、正确答案:【】4、问题:电路如图 5 所示,该电路是 ( )选项:A、二阶 MFB(多路反馈)高通滤波器B、二阶 MFB(多路反馈)低通滤波器C、二阶 Sallen- key 带通滤波器 D、二阶 Sallen- key 低通滤波器正确答案:【二阶 Sallen- key 低通
10、滤波器】5、问题:选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题:对有源滤波器来说, 品质因素 Q 值越大越好 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】有源 RC 滤波器实现二阶 MFB 滤波器1、问题:有源滤波器电路如图 10 所示,则该电路是何种功能的滤波器?( )选项: A、二阶 Sallen-key 高通滤波器B、二阶 Sallen-key 带通滤波器C、二阶 MFB 带通滤波器D、二阶 MFB 带阻滤波器正确答案:【二阶 MFB 带通滤波器】有源 RC 滤波器实现带阻、全通、多功能状态变量滤波器1、问题:有源滤波器电路如图 8 所示,则该电路属于何种功能的滤波器?( )选项:
11、A、二阶高通滤波器B、二阶低通滤波器C、二阶带通滤波器D、二阶带阻滤波器正确答案:【二阶带阻滤波器】RC 有源滤波器1、问题:要从方波中滤出三次谐波分量应采用 ( )选项:A、低通滤波器B、高通滤波器C、带通滤波器 D、带阻滤波器正确答案:【带通滤波器】2、问题:电路如图 1 所示,该电路是 ( )选项:A、二阶低通滤波器B、一阶高通滤波器C、一阶全通滤波器D、一阶低通滤波器正确答案:【一阶低通滤波器】3、问题:电路如图 1 所示,该电路的截止频率为 ( )选项:A、B、C、 D、正确答案:【】4、问题:电路如图 3 所示,该电路是 ( )选项:A、二阶 MFB(多路反馈)高通滤波器B、二阶
12、MFB(多路反馈)低通滤波器C、二阶 Sallen- key 带通滤波器D、二阶 MFB(多路反馈)带阻滤波器正确答案:【二阶 MFB(多路反馈)低通滤波器】 5、问题:电路如图 4 所示,该电路是 ( )选项:A、二阶 Sallen- key 高通滤波器B、二阶 Sallen- key 低通滤波器C、二阶 Sallen- key 带通滤波器D、二阶 Sallen- key 全通滤波器正确答案:【二阶 Sallen- key 带通滤波器】 6、问题:电路如图 5 所示,该电路的通带增益 k 和 Q 值分别为 ( )选项:A、K=1 Q=0.5B、K=1 Q=1C、K=1 Q=2D、K=2 Q=
13、2正确答案:【K=1 Q=0.5】7、问题: 选项:A、将 C2 与 R3 位置对调B、将 C2 与 R1 位置对调C、将 C2 与 R2 位置对调D、将 C1 与 R3 位置对调正确答案:【将 C2 与 R2 位置对调】 8、问题:电路如图 7 所示, 其中 R1C1R2C2 则该电路是 ( )选项:A、二阶高通滤波器B、二阶低通滤波器C、二阶带通滤波器D、二阶全通滤波器正确答案:【二阶带通滤波器】 9、问题:有源滤波器电路如图 9 所示,则该电路是何种功能的滤波器?( )选项:A、一阶高通滤波器B、一阶低通滤波器C、一阶带通滤波器D、一阶全通滤波器正确答案:【一阶全通滤波器】10、问题:1
14、.滤波器“阶数”由传递函数分母的根数决定、它与电路中独立储能元件(电容和电感)的数目有关 ( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】11、问题:通带内有起伏, 过渡带较窄的是切比雪夫滤波器( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】半导体物理基础 1、问题:N 型半导体的自由电子比空穴多,故 N 型半导体带负电,P 型半导体的空穴比自由电子多,故 P 型半导体带正电。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题:载流子浓度越大, 漂移电流与扩散电流也越大。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】P-N 结1、问题:P-N 结正偏时, 内外电场迭加时, 使势垒降低, 扩散运动占优势,
15、形成了较大的正向电流。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题:P-N 结反偏时, 空间电荷区变厚变宽, 故势垒电容变大。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】晶体二极管特性及参数1、问题:理想二极管等效于一个理想开关, 正偏导通时相当于短路,反偏截止时相当于开路。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】稳压二极管及其他二极管1、问题:稳压二极管的工作区在反向击穿区, 而不是在正向导通区。选项:A、正确 B、错误正确答案:【正确】2、问题:某稳压二极管的允许功耗为 300mW, 稳定电压为 6V, 则稳压管最大允许的反向电流为 50mA。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】双极型
16、晶体管工作原理1、问题:晶体管结构特点是:发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题:选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】双极型晶体管特性曲线1、问题:晶体三极管放大区的条件是 e 结正偏、c 结反偏,特点是 iB 对 iC 的控制能力强, 随着 iB 增大, 曲线基本平行上升, 其间隔大小表示 值大小。uCE 变化对iC 影响不大,具有基本的恒流特性。选项:A、正确 B、错误正确答案:【正确】2、问题:晶体三极管饱和区的条件是 e 结正偏、c 结正偏,特点是 iB 对 iC 的控制能力很弱, 值很小, 甚至趋向于零。选项:A、正确B
17、、错误正确答案:【正确】双极型晶体管极限参数和工作状态判别举例1、问题:测得三极管三个电极的电压如图所示, 则判断该管属硅 NPN 管, 且工作在放大区, 其中 U1 对应的是发射极 e, U2 对应的是集电极 c, U3 对应的是基极 b。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】结型场效应管的工作原理和特性参数1、问题:选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】 MOS 场效应管的工作原理和特性参数1、问题:有关场效应管,以下说法错误的是()选项:A、场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电B、在恒流区,漏极电流基本不受漏源极电压的控制C、在恒流区,场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方
18、率关系D、发生预夹断后,场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小正确答案:【发生预夹断后,场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小】各类场效应管对比,双极型三极管与场效应管对比1、问题:选项:A、N 沟道 JFETB、P 沟道 JFETC、N 沟道增强型 MOSFETD、 P 沟道耗尽型 MOSFET正确答案:【N 沟道增强型 MOSFET】双极型三极管和场效应管的低频小信号模型1、问题:降低工作点电流和提高 值可以增大管子的输入电阻 rbe 。选项: A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题:rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻,他们的计算公式均为厄尔利电压 UA
19、/工作点电流 ICQ(IDQ)。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】常用半导体器件原理、特性及参数1、问题:N 型半导体是在本征半导体内掺入选项:A、三价元素, 如硼等B、四价元素, 如锗等C、五价元素, 如磷等D、二价元素正确答案:【五价元素, 如磷等】2、问题:双极型晶体三极管工作在放大区的条件是选项:A、e 结正偏, c 结正偏B、e 结反偏, c 结正偏C、e 结正偏, c 结反偏D、e 结反偏, c 结反偏正确答案:【e 结正偏, c 结反偏】3、问题:测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电压如图所示,则该管的类型以及各管脚为选项:A、锗管, U1 对应为基极 b, U2 对应
20、为发射极 e, U3 对应为集电极 cB、锗管, U3 对应为基极 b, U2 对应为发射极 e, U1 对应为集电极 cC、硅管, U3 对应为基极 b, U1 对应为发射极 e, U2 对应为集电极 c D、硅管, U1 对应为基极 b, U2 对应为发射极 e, U3 对应为集电极 c正确答案:【硅管, U3 对应为基极 b, U1 对应为发射极 e, U2 对应为集电极 c】4、问题:测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电流如图所示,则该管的类型、各管脚电流以及 值为选项:A、NPN 管B、PNP 管C、PNP 管D、NPN 管正确答案:【NPN 管】5、问题:某管特性曲线如下图所示
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