1、ICS 29.045 H 83 备案号: 中华人民共和国电子行业标准 S1fT 11470-2014 发光二极管外延片 Epitaxial wafers of Iight-emitting diode 2014-10-14发布2015 - 04 -01实施 华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T 11410-2014 目IJ吕 发光二极管外延片 1 范围 3.1 4 分类 4. 1 按有源层材料分类 外延片按有源层材料分为: a) 镣畔磷系(GaASI-.P.) b) 惊铝神系(Gal-.ALAs) c) 铝镣锢磷系(ALGa，Inh-P) d) 铝镣锢氨系(A1.Ga, 1 nh-，N)。
2、 4. 2 牌号与说明 牌号表示为: SJ/ T 11470-2014 SJ/T 11470-2014 EW一口口口口口口口一旦旦E旦旦旦旦r早d 注口表示字母x衣示数字. 1号以大写鹏 一-直径(皿) 峰值发射波长典型值(nm) 衬底材料代号 有源层材料代号 外延片代号(以英文首字母农示 有源层材料代号取材料化学元素符号的前七位字母，不足七位时由空格填充，详见及1. 衬底材料代号取材料化学元素符号的前三位字母，不足三位时由空格填充，详见发1 . e丘径取整数值，不足三位时用空格填充. a派生外延片代号需要时增设. 示例: 以直径为50.8 mm.均值发射波*典型值为460nm.在监宝石衬底上
3、生长的有源层材料为AIGalnN材料的外延片为例， 其牌号为: EW-AIGaJnN-Al046050 牌号中各要素的含义如下: EW 一一外延片代号: AIGalnN一一有源层材料代号(有源层材料为AIGalnN): AlO 一一衬底材料代号(A12O，H底，即蓝宝石衬底); 4.60 一一峰值友射波长典型值峰值发射波长典型值为460nm) 。50一一直径直径为50.8 DIID) 4. 3 外延片材料分类说明 外延片材料分类说明见表1. 表1外延片材料分类说明 色系衬底材料 直径垂F毛 分类 红资 Jq 绿蓝 分 代厚 考 有源层材料代号 光光 绿 光光 子 号度 面 光 m皿 式品 向
4、f家碎磷系J GaAs GaA X X GaAs,-.P. GaAsP . GaP GaP f家铝闵系J 50 GaAs GaA X X Ga,-.Al.As GaAIAs 铝镣锢瞬系J 76 GaAs GaA X X Al，-.Ga.ln，啕P.AIGalnP 100 AI.03 AIO 铝综锢氨系 150 SiC SiC J X X Al暴Ga，-.In.N，_AIGaln Si Siu GaN GaN j主:衬底材料厚度X代表具体数值，参考面品向X代表具体的品向， 11代表空格. 2 5要求 5. 1 几何参数 5. 1. 1 直径 直径及偏差应符合SJ!T11396一2009的规定。
5、5. 1.2 翘曲度 翘曲度规定上限值。 5.2 表面质E 外延片表面质 j主: 外 汲K: |光sa心hl P型层 . P型电极接触层掺杂浓度cm 有源层厚度 m N型电极援触层掺杂浓度 cm ,s 型层 厚度 m 注X代表具体数值. 5.4 主要参数 主要参数应符合表4的规定。 SJ/ T 11470-2014 3条 位大 X A.右.-/ X X X X X X X X X X 3 SJ/T 11470-2014 表4主要参数 数值 参数单位 是小值最大值 正向电压V X X 反向电压V X 反向电流A X 峰值发射波长nm X X 光电参数 光谱分布带宽n日l-X 主波长nm X X
6、辐射功率m W X 辐射功率保持率也X X 正向电压X 片内标准偏差峰值发射波长X 主滋长-X 静电放电敏感 静电放电敏感度X 性 注:光电参数和静电放电敏感度为将外延片制备成标准芯片，按芯片的测试方法测量X n 代表具体数值. 5.5 标志 外延片的正面或背面应有激光打印标记，具体位置和内容参见附录A。 6 测试方法 6. 1 几何参数 6. 1. 1 直径 按51fT11471-2014 方法5.1.1. 6. 1.2 翘曲度 按SJfT11471-2014方法5.1. 20 6.2 外延片表面缺陷 6.2.1 刮伤、划搞 按S1fT11471-2014 方法5.2.1。 6.2.2 坑洞
7、、颗粒 按S1fT11471-2014 方法5.2.2。 6. 3 结构与物理参数 6.3.1 波长 4 SJ/ T 11470-2014 n4qJ nLnL iquqJ nLFhupa 3 法法 5 万方 法 方 4M nunu qLnL Aq- - nulndlqu 271 们3 卜t u3 口 1 哼t 4 4-K h A哇 LT I E、 TEE- 、 H 尸 LY 法法 T hf方浮方 /f 忡叶当 叮法剧 4剧4 按方浓肌浓肌 嚷 4啸，啸， FL司AEAA何乡 - A 的外延片结构、工艺、材料发生变化影响质量时: c) 正常生产外延片每六个月至少一次: d) 停产六个月后又恢复生
8、产时: e) 外延片质量发生异常悄况时: 6 5.4 5.5 第6j言 SJ/ T 11470-2014 f) 质量监督部门要求柿验时。 7.3.3 抽样 鉴定检验的样品应从交收检验合格的批中随机抽取六片，分为三组，每组2片. 7.3.4 不合格 取一组外延片进行鉴定检验，检验中发现一项不合格，则从另外两组任意抽取一组重新进行鉴定m 验，若出现一项不合格，则该次鉴定检验判定为不合格. 7. 4 交收检验 7.4. 1 检验项目 交收检验的检验项目按表6的规定. 7.4. 2 抽样 将检验批按照表6的规定进行100%检验，对不合格品进行剔除。 7. 4. 3 不合格 如果有一项或一项以上不合格则
9、该片判为不合格，从该批巾剔除不合格片，贝IJi衷检拉批被判为不合 格批。 表6交收检验 序号检验项目 翘曲度 2 表面质量 3 光荧光峰值发射波长 4 光荧光峰值发射波长片内标准偏差 8 标志、包装、运输和储存 8. 1 标志 8. 1. 1 包装袋上的标志 包装袋标志内容如扎 a) 名称: b) 牌号: c) 生产日期: d) 承制方名称、地址和商标: e) 标准号. 8. 1. 2 外包装标志 要求的号条号 5.1 5.2 5.3 5.3 外包装标志应包括防雨淋、防震动以及温度、湿度范围的要求内容. 测试方法的章条号 第6章 7 SJ/ T 11470-2014 8. 2 包装 8.2.
10、1 包装材料和方法 包装的材料和方法如下: a) 包装盒采用专用防腐、防酸的聚四氟乙烯材料。 b) 包装袋应使用有防擦伤、防站污、防碎裂措施的专用材料. c) 在氯气环挠下洁净度等级优于100级的超净环境中包装。 8. 2. 2 包装附件 8. 3 8. 4 8 外延片出厂时必须附有合格证，合 a) 展制方名称: b) 外延片名称 c) 至少 d) e) f) SJ/T 11470-2014 附录A (资料性附录) 激光打印标记位置示意图 A .1 外延片激光打印标记位 激光打印标记位置见图A.10 图人1外延片激光打印标记位J意 A . 2 外延片激光打印标记内容 外延片嗷光打印标记内容在相关的详细规范中规定。 9 SJ/T 11470-2014 附录B 资料性附录) 本标准参加单位 本标准由半导体照明技术标准工作组组织完成。本标准参加起草的工作组成员单位有(排名不分先 后): 10 中国电子科技集团公司第十三研究所: 厦门三安电子有限公司: 深圳雷曼光电科技 厦门华联电子有限 上海大晨光 山东华光光 大连路美 深圳市 厦|、 华南
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