SJ∕T 11470-2014 发光二极管外延片(12页).pdf
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1、ICS 29.045 H 83 备案号: 中华人民共和国电子行业标准 S1fT 11470-2014 发光二极管外延片 Epitaxial wafers of Iight-emitting diode 2014-10-14发布2015 - 04 -01实施 华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T 11410-2014 目IJ吕 发光二极管外延片 1 范围 3.1 4 分类 4. 1 按有源层材料分类 外延片按有源层材料分为: a) 镣畔磷系(GaASI-.P.) b) 惊铝神系(Gal-.ALAs) c) 铝镣锢磷系(ALGa,Inh-P) d) 铝镣锢氨系(A1.Ga, 1 nh-,N)。
2、 4. 2 牌号与说明 牌号表示为: SJ/ T 11470-2014 SJ/T 11470-2014 EW一口口口口口口口一旦旦E旦旦旦旦r早d 注口表示字母x衣示数字. 1号以大写鹏 一-直径(皿) 峰值发射波长典型值(nm) 衬底材料代号 有源层材料代号 外延片代号(以英文首字母农示 有源层材料代号取材料化学元素符号的前七位字母,不足七位时由空格填充,详见及1. 衬底材料代号取材料化学元素符号的前三位字母,不足三位时由空格填充,详见发1 . e丘径取整数值,不足三位时用空格填充. a派生外延片代号需要时增设. 示例: 以直径为50.8 mm.均值发射波*典型值为460nm.在监宝石衬底上
3、生长的有源层材料为AIGalnN材料的外延片为例, 其牌号为: EW-AIGaJnN-Al046050 牌号中各要素的含义如下: EW 一一外延片代号: AIGalnN一一有源层材料代号(有源层材料为AIGalnN): AlO 一一衬底材料代号(A12O,H底,即蓝宝石衬底); 4.60 一一峰值友射波长典型值峰值发射波长典型值为460nm) 。50一一直径直径为50.8 DIID) 4. 3 外延片材料分类说明 外延片材料分类说明见表1. 表1外延片材料分类说明 色系衬底材料 直径垂F毛 分类 红资 Jq 绿蓝 分 代厚 考 有源层材料代号 光光 绿 光光 子 号度 面 光 m皿 式品 向
4、f家碎磷系J GaAs GaA X X GaAs,-.P. GaAsP . GaP GaP f家铝闵系J 50 GaAs GaA X X Ga,-.Al.As GaAIAs 铝镣锢瞬系J 76 GaAs GaA X X Al,-.Ga.ln,啕P.AIGalnP 100 AI.03 AIO 铝综锢氨系 150 SiC SiC J X X Al暴Ga,-.In.N,_AIGaln Si Siu GaN GaN j主:衬底材料厚度X代表具体数值,参考面品向X代表具体的品向, 11代表空格. 2 5要求 5. 1 几何参数 5. 1. 1 直径 直径及偏差应符合SJ!T11396一2009的规定。
5、5. 1.2 翘曲度 翘曲度规定上限值。 5.2 表面质E 外延片表面质 j主: 外 汲K: |光sa心hl P型层 . P型电极接触层掺杂浓度cm 有源层厚度 m N型电极援触层掺杂浓度 cm ,s 型层 厚度 m 注X代表具体数值. 5.4 主要参数 主要参数应符合表4的规定。 SJ/ T 11470-2014 3条 位大 X A.右.-/ X X X X X X X X X X 3 SJ/T 11470-2014 表4主要参数 数值 参数单位 是小值最大值 正向电压V X X 反向电压V X 反向电流A X 峰值发射波长nm X X 光电参数 光谱分布带宽n日l-X 主波长nm X X
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