MOOC 微电子制造工艺-北京信息职业技术学院 中国大学慕课答案.docx
《MOOC 微电子制造工艺-北京信息职业技术学院 中国大学慕课答案.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《MOOC 微电子制造工艺-北京信息职业技术学院 中国大学慕课答案.docx(41页珍藏版)》请在文库网上搜索。
1、 MOOC 微电子制造工艺-北京信息职业技术学院 中国大学慕课答案第一章 测验1、问题:第一个锗晶体管是()年发明选项:A、1946B、1947C、1957D、1958正确答案:【1947】2、问题:集成电路的英文简称为( )。选项:A、ICB、MCUC、LCCD、MIC正确答案:【IC】3、问题:8 英寸硅片的直径大约()mm。选项:A、150B、200C、300D、450正确答案:【200】4、问题:微电子学的核心是集成电路。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】5、问题:集成电路按器件结构分主要可分为:双极型集成电路、 MOS 集成电路和 BiCMOS 集成电路等。选项:A、正确B、错
2、误正确答案:【错误】 6、问题:纳米是长度的单位,1 纳米为 1 微米的 1000 倍。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题:CD(Critical Dimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸,是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题:集成电路是通过一系列特定的加工工艺,将晶体管等元器件按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体单晶片上,封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能的复杂电子系统。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题:集成电路按器件结构分主要可分为:双极型集成电路、 MOS 集成电路和 BiCMOS 集
3、成电路等。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】10、填空题:摩尔定律指出集成电路的晶体管的集成度每_个月翻一番。正确答案:【18#%_YZPRLFH_%#十八】第二章 测验1、问题:1000 级的概念是每立方英尺空气中所含的直径大于 0.5 微米的颗粒数不大于( )个。选项:A、10B、100C、1000D、10000正确答案:【1000】 2、问题:高效过滤器的英文简称是( )。选项:A、LEPAB、HEPAC、MICD、DHF正确答案:【HEPA】3、问题:过氧化氢和碱组成的 1 号标准清洗液简称是( )。选项:A、DHFB、SPM-1C、SC-1D、HPM正确答案:【SC-1】4、问
4、题:中效过滤器主要滤除大于( )um 的尘粒。选项:A、10B、5C、1D、0.3正确答案:【1】5、问题:尘埃的测量方法有()、()、()。选项:A、重量法B、四探针法C、过滤法D、计数法正确答案:【重量法#过滤法#计数法】6、问题:吸烟不会产生尘埃。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题:风淋室可保证进入洁净室人员进行人身洁净和防止室外空气侵入。选项:A、正确 B、错误正确答案:【正确】8、问题:乱流洁净室比单向流洁净室洁净度高。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】9、问题:洁净度是用每立方英尺空气中所含的直径大于 0.5 微米的颗粒数来衡量。选项:A、正确B、错误正确答案:
5、【正确】10、填空题:10000 级是指每立方英尺空气中,0.5um 大小尘埃的个数不超过10000 颗_个/升。(四舍五入取整,1 立方英尺=28.3168 升)正确答案:【353】第三章 半导体材料 1 作业1、问题:掺入 B 元素的半导体为()型半导体选项:A、PB、NC、本征半导体D、中性半导体正确答案:【P】2、问题:下列半导体属于第三代半导体的是()。选项:A、硅B、锗C、砷化镓D、氮化镓正确答案:【氮化镓】3、问题:半导体行业最常用的半导体材料是()。选项:A、氮化镓B、石墨烯 C、硅D、砷化镓正确答案:【硅】4、问题:掺入 P 元素的半导体为()型半导体。选项:A、PB、NC、
6、中性半导体D、本征半导体正确答案:【N】5、问题:面心立方晶胞原子的个数是()。选项:A、1B、2C、4D、8正确答案:【4】6、问题:硅的晶体结构是()形状。选项:A、四面体结构B、无定形结构C、六面体结构D、平面结构正确答案:【四面体结构】7、问题:硅晶体内部的空间利用率是( )。选项:A、24%B、34%C、44%D、66%正确答案:【34%】8、问题:最常用的形成 N 型半导体的杂质有()( )和()。选项:A、SbB、BC、As D、P正确答案:【Sb#As#P】9、问题:从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体的晶向是( )。选项:A、000B、100C、110D、111正确答案:【
7、100#110#111】10、问题:价带中含有的电子数量决定材料的导电性。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】11、问题:由于电子的有效质量小于空穴的有效质量,因而电子的迁移率比空穴的大。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题:P 型半导体主要靠空穴导电。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题:100 晶向垂直于 100 晶面。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】14、问题:多晶的特点是长程有序,短程无序选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】 第三章 半导体材料 2 作业1、问题:电子级纯的多晶硅的纯度为()。选项:A、99.9999999%B、99.9999
8、%C、99%D、99.9%正确答案:【99.9999999%】2、问题:工业上最常用的多晶硅制备方法是()。选项:A、直拉法B、沉积法C、区熔法D、三氯氢硅的氢还原法正确答案:【三氯氢硅的氢还原法】3、问题:单晶硅的电阻率测试采用()。选项:A、热探针法B、悬浮区熔法C、直流光电导衰减法D、四探针法正确答案:【四探针法】4、问题:多晶硅变成单晶硅需要具备以下()条件。选项:A、要有排列标准B、低温环境C、原子具有一定的动能,以便重新排列D、排列好的原子能稳定下来正确答案:【要有排列标准#原子具有一定的动能,以便重新排列#排列好的原子能稳定下来】5、问题:硅材料的缺陷主要有()。选项:A、体缺陷
9、B、面缺陷C、点缺陷D、线缺陷正确答案:【体缺陷#面缺陷#点缺陷#线缺陷】 6、问题:温度升高会使点缺陷的平衡浓度增加。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题:刃型位错是位错线与原子滑移方向相平行。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题:如果掺入杂质的失配因子较大,晶格将会发生畸变。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题:晶体在(110)方向上腐蚀速度最快。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题:肖特基缺陷的特点是空位与填隙原子成对出现。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】第四章 硅平面工艺流程 作业1、问题:MOS 的中文含义是()。选项:A、硅
10、衬底B、多晶硅C、双极型D、金属氧化物半导体正确答案:【金属氧化物半导体】2、问题:LDD 的中文含义是()。选项: A、轻掺杂源漏B、局部场氧化C、浅沟槽隔离D、侧墙掩蔽正确答案:【轻掺杂源漏】3、问题:双极型集成电路制造过程中包括()等基本工艺。选项:A、氧化B、扩散C、光刻D、掺杂正确答案:【氧化#扩散#光刻#掺杂】4、问题:PMOS 管的 3 个电极分别是()。选项:A、源极B、基极C、漏极D、栅极正确答案:【源极#漏极#栅极】5、问题:制作 PN 结最早采用的是硅平面工艺法。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题:重掺杂用于外延的单晶衬底。选项:A、正确B、错误正确答案:【
11、正确】7、问题:阱是在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相同的区域。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题:浅沟槽隔离属于 PN 结隔离方式。选项:A、正确 B、错误正确答案:【错误】9、问题:Bi-CMOS 是同时包括双极和 MOS 管的集成电路。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题:局部场氧化工艺的缺陷是在氮化硅下面的氧化物生长形成鸟嘴形状。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】第五章 薄膜制备 1 测验1、问题:要产生 1000 埃厚度的二氧化硅,需要消耗()厚度的硅。选项:A、1000 埃B、440 埃C、560 埃D、2200 埃正确答案:【440 埃】2、问题:
12、以下()选项不属于掺氯氧化的功能。选项:A、界面处的氯能降低固定氧化物电荷B、界面处的氯对 Na+俘获和中性化C、氧化速率比在纯氧中低D、掺氯氧化能抑制氧化层错正确答案:【氧化速率比在纯氧中低】3、问题:下面氧化方式中()氧化方式的氧化速率最快。选项:A、干氧氧化B、湿氧氧化C、低压氧化D、水汽氧化正确答案:【水汽氧化】 4、问题:增加热氧化速率的方法有()。选项:A、增加氧化剂压力B、提高温度C、进行掺杂D、选用合适的氧化方法,例如湿氧氧化正确答案:【增加氧化剂压力#提高温度#进行掺杂#选用合适的氧化方法,例如湿氧氧化】5、问题:二氧化硅厚度的测试方法有()。选项:A、比色法B、光学干涉法C
13、、椭偏法D、四探针法正确答案:【比色法#光学干涉法#椭偏法】6、问题:氧化层表面的缺陷有()。选项:A、斑点B、裂纹C、白雾D、层错正确答案:【斑点#裂纹#白雾】7、问题:根据氧化剂的不同,热氧化可分为()。选项:A、干氧氧化B、水汽氧化C、湿氧氧化D、掺氯氧化正确答案:【干氧氧化#水汽氧化#湿氧氧化#掺氯氧化】8、问题:桥联氧原子浓度越高,网络的强度越强。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题:热氧化反应一般发生在硅和二氧化硅的界面。选项:A、正确 B、错误正确答案:【正确】10、问题:热氧化的速率与晶圆的晶向有关,但与氧化剂压力无关。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】11、
14、问题:掺氯氧化可以减少氧化层错堆垛,吸附钠离子。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题:氧化速率随着氧化层厚度的增加(氧化时间的增加)而下降。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题:二氧化硅是一种介质材料,具有一定的导电性。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】14、问题:氧化层有两个生长阶段来描述,分别是线性阶段和抛物线阶段。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】15、问题:利用不同厚度的 SiO2 膜对白光反射得到不同的干涉色彩的现象可以判断膜厚。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】第五章 薄膜制备 1 作业 1、问题:热氧化 0.6m 氧化层,硅片增厚了(
15、)m。选项:A、0.264B、0.336C、0.936D、0.864正确答案:【0.336】2、问题:线性速率常数是()。选项:A、BB、AC、B/AD、A/B正确答案:【B/A】3、问题:氧化层密度排序:干氧湿氧水汽选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题:比色法比椭偏法测量精度高。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题:在线性阶段,(111)晶向的氧化速率将比(100)晶向稍慢。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】第五章 薄膜制备 2 作业1、问题:通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为()。选项:A、化学气相淀积B、物理气相淀积C、等离子淀积 D
16、、热氧化正确答案:【化学气相淀积】2、问题:LPCVD 的含义是()。选项:A、常压化学气相淀积B、低压化学气相淀积C、等离子体化学气相淀积D、光化学气相淀积正确答案:【低压化学气相淀积】3、问题:薄膜的生长包括()()()()。选项:A、岛生长B、连续成膜C、晶核形成D、桥联正确答案:【岛生长#连续成膜#晶核形成#桥联】4、问题:介质薄膜有()。选项:A、SiO2B、Si3N4C、SiD、GaAs正确答案:【SiO2#Si3N4】5、问题:薄膜是指某一维尺寸远小于另外两维上尺寸的固体物质。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题:薄膜淀积时,衬底不要求是单晶的。选项:A、正确B、错误
17、正确答案:【正确】7、问题:CVD 是利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上,并淀积成薄膜。选项:A、正确 B、错误正确答案:【错误】8、问题:如果 hgks,CVD 速率对温度特别敏感。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题:二氧化硅薄膜只能采用 APCVD 方法制备。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题:如果 hgks,CVD 速率受质量输运控制。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】第五章 薄膜制备 3 作业1、问题:TEOS 的中文含义是()。选项:A、磷硅玻璃B、硼磷硅玻璃C、正硅酸乙酯D、硼酸三甲酯正确
18、答案:【正硅酸乙酯】2、问题:CVD 多晶硅薄膜的硅源是()。选项:A、硅烷B、二氯硅烷C、TEOSD、氮化硅正确答案:【硅烷】3、问题:金属钨的 CVD 方法中要用到的气体源是()。选项:A、SiH4 B、WF6C、金属钨D、SiF4正确答案:【WF6】4、问题:以气相形式输运至衬底,在高温下分解或发生化学反应,在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的外延称为()。选项:A、气相外延B、液相外延C、固相外延D、分子束外延正确答案:【气相外延】5、问题:氮化硅的 CVD 制备方法有()。选项:A、APCVDB、LPCVDC、PECVDD、LCVD正确答案:【LPCVD#PECVD】6、问题:外延层测
19、量电阻率的方法有()。选项:A、三探针法B、四探针法C、电容-电压法D、层错法正确答案:【三探针法#四探针法#电容-电压法】7、问题:分子束外延能生长极薄外延层,厚度可薄至?量级。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题:异质外延存在晶格失配的问题。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】 9、问题:外延时要求衬底必须是单晶的。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题:Si3N4 可以掩蔽 Ga、 In、 ZnO。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】第五章 薄膜制备 4 作业1、问题:通过加热,使待淀积的金属原子获得足够的能量,脱离金属表面蒸发出来,在飞行途中遇到硅片,就
20、淀积在硅表面,形成金属薄膜,该工艺过程是()。选项:A、CVDB、氧化C、蒸镀D、溅射正确答案:【蒸镀】2、问题:1Torr 等于()Pa。选项:A、133B、760C、1/760D、1.33正确答案:【133】3、问题:蒸镀的方式除了电阻丝加热蒸镀还有()蒸镀方式。选项:A、MOCVDB、电子束蒸镀C、VPED、MBE正确答案:【电子束蒸镀】4、问题:铝的蒸发温度是 1250,这时它的平衡蒸汽压是()Pa。选项:A、1.33 B、133C、1torrD、760正确答案:【1.33】5、问题:真空蒸镀成膜的过程是包括:()。选项:A、吸附B、成核C、连片D、生长正确答案:【吸附#成核#连片#生
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- MOOC 微电子制造工艺-北京信息职业技术学院 中国大学慕课答案 微电子 制造 工艺 北京 信息 职业技术学院 中国 大学 答案