MOOC 模拟电子线路A-南京邮电大学 中国大学慕课答案.docx
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1、 MOOC 模拟电子线路 A-南京邮电大学 中国大学慕课答案第 1 单元随堂测试:半导体导电机理1、问题:在本征半导体中,空穴浓度_电子浓度?A、大于, B、小于, C、等于, D、不确定选项:A、AB、BC、CD、D正确答案:【C】2、问题:试判断当温度升高时,关于本征半导体中载流子的变化的几种说法是否正确。(1)自由电子个数增加,空穴个数基本不变;(2)自由电子个数基本不变,空穴个数基本增加;(1)自由电子和空穴的个数都增加,且它们增加的数量相等;(1)自由电子和空穴的个数都基本不变。选项:A、(1)对(2)错(3)错(4)错B、(1)错(2)对(3)错(4)错C、(1)错(2)错(3)对
2、(4)错D、(1)错(2)错(3)错(4)对正确答案:【(1)错(2)错(3)对(4)错】3、问题:N 型半导体是在纯净半导体中掺入_;P 型半导体是在纯净半导体中掺入_。A、带负电的电子, B、带正电的离子,C、三价元素,如硼等, D、五价元素,如磷等选项:A、ABB、BCC、CDD、DC正确答案:【DC】4、问题:在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于_,而少数载流子的浓度与_关系十分密切。A、温度, B、掺杂工艺, C、杂质浓度选项:A、ABB、ACC、AD D、CA正确答案:【CA】第 2 单元随堂测试:PN 结及其特性1、问题:当 PN 结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层
3、;当 PN 结外加反向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。A、大于, B、小于, C、等于, D、变宽, E、变窄, F、不变选项:A、ABEFB、ADCFC、AEBDD、AFCE正确答案:【AEBD】2、问题:PN 结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题:PN 结方程既描写了 PN 结的正向特性和反向特性,又描写了 PN 结的反向击穿特性。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】第 3 单元随堂测试:二极管的伏安特性和主要参数1、问题:在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而_;在保持二极管的正向电流不变的条件下,
4、二极管的正向导通电压随温度升高而_。A、增大, B、减小, C、不变选项:A、ABB、ACC、BCD、CA正确答案:【AB】2、问题:在如图所示的电路中,当 V6V 时,测得 I2mA,。则当 V 降至 3V时,则 I 将为_。A、小于 1mA, B、1mA, C、大于 1mA,但小于 2mA, D 、2mA选项:A、AB、BC、CD、D正确答案:【A】第 5 单元随堂测试:二极管基本电路1、问题:设 VD1、VD2 的正向压降为 0.3V,试分析在某种 U1=3V、U2=0V 组态下,VD1、VD2 是导通还是截止,并求 UO 的值。 选项:A、VD1 导通,VD2 导通,Uo=0.3VB、
5、VD1 导通,VD2 截止,Uo=0.3VC、VD1 截止,VD2 导通,Uo=0.3VD、VD1 截止,VD2 截止,Uo=3.3V正确答案:【VD1 截止,VD2 导通,Uo=0.3V】2、问题:已知电路和输入电压的波形如图所示:设二极管特性为理想的,请问下图的输出电压波形正确吗?选项:A、正确 B、错误正确答案:【正确】第 6 单元随堂测试:稳压二极管1、问题:已知电路中稳压管 VDZ1 和 VDZ2 的稳定电压分别为 6V 和 9V,求电压UO 的值。选项:A、(a)Uo=3V(b)Uo=3VB、(a)Uo=3V(b)Uo=0VC、(a)Uo=0V(b)Uo=3VD、(a)Uo=0V(
6、b)Uo=0V正确答案:【(a)Uo=0V(b)Uo=3V】PN 结与半导体二极管单元测试1、问题:P 型半导体中,少数载流子是:选项:A、自由电子B、空穴C、带负电的杂质离子D、带正电的杂质离子正确答案:【自由电子】2、问题:在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为:选项:A、本征半导体B、五价半导体C、P 型半导体D、N 型半导体正确答案:【N 型半导体】 3、问题:稳压管是利用 PN 结的( )特性制作而成的。选项:A、单向导电性B、反向击穿性C、正向特性D、稳压特性正确答案:【反向击穿性】4、问题:在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于_,而少数载流子的浓度与_关系十分密切。(A、温
7、度, B、掺杂工艺, C、杂质浓度)选项:A、ABB、BCC、CAD、CB正确答案:【CA】5、问题:如果给 N 型半导体中掺入足够多的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题:由于 N 型半导体中存在大量自由电子,故 N 型半导体会带负电。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题:PN 结正偏时,势垒电容是主要的。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题:当 PN 结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄;当 PN结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】 第 1 单元随
8、堂测试:结型场效应管的工作原理1、问题:场效应管属于_(A、电压, B、电流)控制型元件,栅极的_(A、电压, B、电流)几乎等于零。选项:A、AAB、BBC、ABD、BA正确答案:【AB】2、问题:一个 JFET 的转移特性曲线如图所示,则它是 N 沟道 JFET。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】第 3 单元随堂测试:场效应管的参数1、问题:场效应管的跨导/选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】第 4 单元随堂测试:场效应管放大电路基础 1、问题:某直接耦合放大电路在输入电压为 0.3V 时,输出电压为 2V;输入电压为 0.1V 时,输出电压为 9V(均指直流电压)。则该放大电路
9、的电压放大倍数为_。A、90, B、35, C、35 , D、30 , E、20选项:A、AB、BC、CD、D正确答案:【B】2、问题:放大电路中的静态分量是指_,动态分量是指_。A、直流电源所提供的电压、电流 ,B、电压、电流中不随输入信号变化的部分,C、电压、电流中随输入信号变化的部分 ,D、正弦交流输入、输出信号选项:A、ABB、BCC、CDD、DA正确答案:【BC】第 5 单元随堂测试:场效应管的直流偏置电路1、问题:场效应管放大电路某常用的栅压偏置电路如图所示,说明该电路可用于哪些类型场效应管 A、结型, B、增强型 MOS, C、耗尽型 MOS, D、前述全部三种类型的场效应管选项
10、:A、AB、BC、CD、D正确答案:【C】场效应管及其放大电路(1)单元测试 1、问题:某场效应管的 IDSS 为 6mA,而 ID 从漏极流出,大小为 8mA,则该管为:选项:A、N 沟道结型管B、P 沟道结型管C、耗尽型 PMOS 管D、耗尽型 NMOS 管E、增强型 PMOS 管F、增强型 NMOS 管正确答案:【耗尽型 PMOS 管】2、问题:下图中的四个偏置电路中,能正常工作的是: 选项:A、(b)B、(a)C、(c)D、(d)正确答案:【(c)】 3、问题:图示电路中,若源极电阻 RS 增大,则该电路的漏电流 ID 会:选项:A、减小B、增大C、不变D、不定正确答案:【不变】 4、
11、问题:某场效应管的转移特性曲线如图所示,试问该管子是什么类型?选项:A、N 沟道 JFETB、P 沟道 JFETC、N 沟道增强型 MOS 管D、N 沟道增强型 MOS 管正确答案:【N 沟道 JFET】5、问题:由耗尽型 NMOS 场效应管构成的共源放大电路如图(a)所示,若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图(b)所示的波形,则可判断该电路: 选项:A、静态工作点过于靠近截止区B、静态工作点过于靠近饱和区C、静态工作点过于靠近恒流区D、静态工作点过于靠近击穿区正确答案:【静态工作点过于靠近截止区】 6、问题:如图两个电路能否放大输入信号?选项:A、(a)不可以 (b)不可以B、(a)可以
12、 (b)可以C、(a)可以 (b)不可以D、(a)不可以 (b)可以正确答案:【(a)不可以 (b)不可以】7、问题:共源放大电路的输入电阻通常_(A、大于, B、小于, C、等于)共射放大电路的输入电阻,因此共源放大电路从信号源索取的电流比较_(A、大, B、小,C、适中)。选项:A、AAB、ABC、AC D、BAE、BBF、BCG、CAH、CBI、CCJ、均不正确正确答案:【AB】第 1 单元随堂测试:场效应管工作状态分析1、问题:放大电路及晶体管输出特性如图所示。设晶体管的 UBEQ0.7V,UCES=0.5V,电容容量足够大,对交流电路可视为短路。试用图解法确定静态时的 ICQ 和 U
13、CEQ。选项:A、ICQ=0.5mAUCEQ=12.5VB、ICQ=1mAUCEQ=10VC、ICQ=1.5mAUCEQ=7.5VD、ICQ=2mAUCEQ=5V正确答案:【ICQ=2mAUCEQ=5V】2、问题:试判断图示放大电路中的 PMOS 管是否能正常工作?选项:A、正确 B、错误正确答案:【错误】第 2 单元随堂测试:结型场效应管放大电路动态分析-图解法1、问题:在图示放大电路中,当输入一正弦电压后,输出电压顶部出现削平失真,说明管子进入了_(A、夹断区, B、可变电阻区)为了减小失真程度应增大_。(A、, B、)选项:A、AAB、BBC、ABD、BA正确答案:【AA】2、问题:在图
14、示放大电路中,输入端加上幅度适中的正弦电压,输出电压波形无明显削平失真。如果发生开路,则输出电压幅度将_(A、增大, B、减小)如果此时输出电压波形出现削平失真,则一定出现在_(A、顶部, B、底部)选项:A、AAB、BBC、ABD、BA正确答案:【AB】3、问题:放大电路的非线性失真表现为输入某一频率正弦信号时,输出信号中出现一定量的谐波成分。 选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】第 3 单元随堂测试:场效应管的交流小信号模型1、问题:可以粗略估计在图示电路中的输入电阻约为_。A、1M, B、100k,C、3k, D、100选项:A、AB、BC、CD、D正确答案:【A】2、问题:在共源放
15、大电路中,当负载电阻减小时,电压放大倍数绝对值下降(),输出电阻也减小()。选项:A、对对B、对错C、错对D、错错正确答案:【错对】3、问题:在共源组态和共漏组态两种放大电路中,_的电压放大倍数比较大,_的输出电阻比较小。_的输出电压与输入电压是同相的。(A、共源组态, B、共漏组态)选项:A、ABAB、BABC、ABB D、BAA正确答案:【ABB】4、问题:MOS 场效应管的栅极输入电流几乎等于零,所以 MOS 管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大。( )选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题:输出电阻可以定义为输出电压正弦有效值与输出电流正弦有效值之比。( )选项:A、正
16、确B、错误正确答案:【错误】场效应管及其放大电路(2)单元测试1、问题:已知场效应管的输出特性或转移如题图所示,试判别其类型。(a) (b)选项:A、a 图为 N 沟结型 FET,b 图为 N 沟增强型 MOSFETB、a 图为 P 沟结型 FET,b 图为 N 沟增强型 MOSFETC、a 图为 N 沟结型 FET,b 图为 P 沟增强型 MOSFETD、a 图为 P 沟结型 FET,b 图为 P 沟增强型 MOSFET正确答案:【a 图为 P 沟结型 FET,b 图为 N 沟增强型 MOSFET】 2、问题:选项:A、可变电阻区B、恒流区C、截止区D、不能正常工作正确答案:【截止区】3、问
17、题:选项:A、可变电阻区B、恒流区C、截止区D、不能正常工作正确答案:【恒流区】 4、问题:选项:A、B、C、D、不能正常工作正确答案:【】 5、问题:选项:A、B、C、D、正确答案:【】 6、问题:选项:A、B、C、D、不能放大正确答案:【】 7、问题: 选项:A、B、C、 D、正确答案:【 】双极型晶体管的工作原理随堂测验1、问题:NPN 型晶体管处于放大状态时,三个电极电位应满足什么关系?选项:A、UCUBUEB、UC UB UEC、UBUEUCD、UB UE UC正确答案:【UCUBUE】2、问题:NPN 型晶体管处于放大状态时,由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。选项:A、正确
18、B、错误正确答案:【错误】3、问题:共发射极电流放大系数的值通常为 20200。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】双极型晶体管的伏安特性曲线随堂测验 1、问题:共发射极组态中输出端口的电压为 UCE。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题:在共发射极输出特性曲线的放大区,uCE 对 iC 的控制作用很强。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题:共发射极输出特性曲线饱和区的特点是 uCE 很小。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题:在保持 iB 不变的条件下,温度每升高 1,uBE 大约下降 2mV。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】双极型晶体管的主要
19、参数随堂测验1、问题:晶体管的最大允许集电极电流 ICM 是指 下降到额定值 2/3 时的 IC 值。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】晶体管放大电路的放大原理随堂测验1、问题:UCEQ 表示( )。选项:A、直流分量;B、交流分量;C、交流分量的有效值;D、瞬时量;正确答案:【直流分量;】 直流通路和交流通路随堂测验1、问题:求解 UCEQ 时应利用交流通路。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】晶体管放大电路的静态工作点求解随堂测验1、问题:晶体管的直流模型有( )种?选项:A、1B、2C、3D、4正确答案:【3】2、问题:直流负载线方程 iC=f(uCE)由晶体管的内部特性决定。
20、选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】双极型晶体管及其放大电路(1)单元测验1、问题:已知晶体管工作在线性放大区,并测得各个电极对地电位如题图所示。试确定圆圈中晶体管的类型( )。选项:A、硅 NPNB、硅 PNPC、锗 NPND、锗 PNP正确答案:【硅 NPN】 2、问题:已知晶体管工作在线性放大区,并测得各个电极对地电位如题图所示。试确定圆圈中晶体管的类型( )。选项:A、锗 NPNB、锗 PNPC、硅 NPND、硅 PNP正确答案:【锗 PNP】3、问题:已测得晶体管各电极对地电位如题图所示,试判别晶体管的工作状态()。选项:A、放大B、截止C、饱和D、损坏正确答案:【放大】4、问题
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