MOOC 模拟电子技术基础-湖南大学 中国大学慕课答案.docx
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1、 MOOC 模拟电子技术基础-湖南大学 中国大学慕课答案课程要求1、问题:本节内容没有提及以下哪个内容:选项:A、课后要花更多的时间学习该课程B、鼓励同学参与各类相关实践机会C、主要参考书D、本课程老师是小鲜肉正确答案:【本课程老师是小鲜肉】课程特点1、问题:这门课程的全称是:选项:A、电路B、数字电子技术基础C、模拟电子技术基础D、模拟电路实验课程正确答案:【模拟电子技术基础】课程内容介绍1、问题:下面哪个不是这门课程里放大器所需要讨论的内容选项:A、衡量特性/参数B、电路模型的抽取C、与信号源、负载的匹配情况D、外观设计正确答案:【外观设计】课程导学1、问题:一般而言,放大器的质量和价格与
2、它的衡量参数和主要指标紧密相关。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】 2、问题:这门课强调的是定性分析,手动的定量分析为估算。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题:非线性元件,指的就是元件的参数会随着它两端的电压电流而变化。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题:线性元器件,指的就是元件的参数与通过它的电压和电流是无关的。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】5、问题:在模拟电子系统里,一般而言,传感器的作用是把非电的物理量转换为电信号,传输给后面电子系统进行处理。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】信号1、问题:请问这是一个什么电路?选项:A、电流源等效电路B
3、、电压源等效电路C、负载电路D、放大电路正确答案:【电压源等效电路】1.1.2 信号的频谱、模拟信号和数字信号 1、问题:以下关于模拟信号与数字信号的概念哪个是不对的?选项:A、处理模拟信号的电子电路称为模拟电路B、模拟信号在时间和幅值上都是连续的信号C、对于模拟信号,器件工作在截止区;对于数字信号,器件工作在放大区D、模拟信号研究的是输出与输入的电压电流关系;数字信号研究的是输出与输入的逻辑关系正确答案:【对于模拟信号,器件工作在截止区;对于数字信号,器件工作在放大区】1.2.1 放大电路模型抽象1、问题:电压放大电路抽象出的电路模型没有下面哪一项选项:A、等效输入电阻B、受控电压源C、等效
4、输出电助D、受控电流源正确答案:【受控电流源】1.2.2 放大电路模型分析1、问题:以下哪个表述是不对的?选项:A、电压放大电路,希望输入电阻越大越好B、电压放大电路,希望输出电阻越小越好C、电流放大电路,希望输入电阻越大越好D、电流放大电路,希望输出电阻越大越好正确答案:【电流放大电路,希望输入电阻越大越好】1.3.1 主要性能指标:Av、Ri、Ro1、问题:关于放大电路的输出电阻的描述,下面哪个不对?选项:A、输出电阻的大小反映了放大电路的带负载能力B、求解输出电阻时,在输出端口要把负载去掉C、求解输出电阻时,输入端的独立源要置零D、放大电路输出量随负载变化量越小,其带负载能力越强正确答案
5、:【放大电路输出量随负载变化量越小,其带负载能力越强】1.3.2 主要性能指标:频率响应与非线性失真 1、问题:幅度失真和相位失真是非线性失真选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】第一章 绪论1、问题:某放大电路在负载开路时,测得输出电压为 5V,在输入电压不变的情况下接入 3K 的负载电阻,输出电压下降到 3V,说明该放大电路的输出电阻为()K。选项:A、2B、3C、4D、5正确答案:【2】2、问题:某放大电路在接有 2K 负载电阻时,测得输出电压为 3V,在输入电压不变的情况下断开负载电阻,输出电压上升到 7.5V,说明该放大电路的输出电阻为()K。选项:A、3B、6C、9D、12正确答
6、案:【3】3、问题:已知某放大电路的输出电阻为 3K,在接有 4K 负载电阻时,测得输出电压为 2V。在输入电压不变的条件,断开负载电阻,输出电压将上升到()V。选项:A、1B、2.5C、3.5D、4.5正确答案:【3.5】4、问题:放大电路对不同频率的正弦信号的稳态响应特性简称为()。选项:A、频率响应B、放大倍数 C、相移D、不详正确答案:【频率响应】5、问题:由于放大电路对含有多种频率信号的()不同而产生的波形失真,称为幅度失真。选项:A、频率响应B、放大倍数C、相移D、不详正确答案:【放大倍数】6、问题:由于放大电路对信号中不同频率产生的()不同而产生的波形失真,称为相位失真。选项:A
7、、频率响应B、放大倍数C、相移D、不详正确答案:【相移】7、问题:测得某放大电路的输入正弦电压和电流的峰值分别为 10mV 和 10A,在负载电阻为 2K 时,测得输出正弦电压信号的峰值为 2V。试计算该放大电路的电压放大倍数()。选项:A、200B、400C、600D、800正确答案:【200】8、问题:测得某放大电路的输入正弦电压和电流的峰值分别为 10mV 和 10A,在负载电阻为 2K 时,测得输出正弦电压信号的峰值为 2V。试计算该放大电路的电流放大倍数()。选项:A、200B、150C、100D、50正确答案:【100】 2.1 集成电路运算放大器1、问题:下面哪一项不是集成运放的
8、特点:选项:A、开环电压增益非常高B、输入电阻很大C、输入电阻较小D、输出电阻较小正确答案:【输入电阻较小】2.2 理想运算放大器1、问题:关于理想运放,下面哪一项不正确选项:A、输入端的电流趋向于 0B、线性区的范围很小C、输出电阻趋向于 0D、输入电阻趋向于 0正确答案:【输入电阻趋向于 0】2.3.1 同相放大电路 1、问题:电路如图所示,求选项:A、1+R2/R1B、1+R1/R2 C、1D、R2/R1正确答案:【1+R2/R1】2.3.2 电压跟随器1、问题: 电路如图所示。求选项:A、4B、3C、2D、1正确答案:【1】2.3.3 反相放大电路1、问题:电路如图所示。求选项:A、R
9、1/R2 B、R2/R1C、-R1/R2D、-R2/R1正确答案:【-R2/R1】2.4.1 求差电路1、问题:电路如图所示,从同相端看进去的等效输入电阻是多少?选项:A、R2B、R3C、R1D、R2+R3正确答案:【R2+R3】2.4.2 仪用放大器 1、问题:电路如图所示,下列哪个选项是正确的?选项:A、从同相端看进去的等效输入电阻为 0B、从同相端看进去的等效输入电阻为 R2C、从同相端看进去的等效输入电阻为无穷大D、从同相端看进去的等效输入电阻为 R1正确答案:【从同相端看进去的等效输入电阻为无穷大】2.4.3 求和电路1、问题:关于运放,以下哪个说法是正确的?选项:A、输出级是为了电
10、压的放大B、有一个输入端和一个输出端C、为了得到虚短和虚断,需要引入负反馈D、反相放大电路的等效输入电阻为无穷大正确答案:【为了得到虚短和虚断,需要引入负反馈】第二章 运算放大器1、问题:电路如图所示,设运放均是理想的。试求 vo1 的电压。 选项:A、-1.2VB、1.2VC、0VD、-0.6V正确答案:【-1.2V】2、问题:电路如图所示,设运放均是理想的。试求 vo 的电压。选项:A、1.2VB、0.6VC、1.8VD、0V正确答案:【1.8V】3、问题:由集成运放 A1、A2 组成的反馈放大电路如图所示,设 A1、A2 均为理想运放。试求闭环电压放大倍数 Avf =vo/vi。 选项:
11、A、-R3/R1B、R3/R1C、-A2*R3/R1D、A2*R3/R1正确答案:【-R3/R1】 4、问题:由集成运放 A1、A2 组成的反馈放大电路如图所示,设 A1、A2 均为理想运放。试求输入电阻 Rif。选项:A、R2B、R1C、R3D、R3/R1正确答案:【R1】5、问题:由集成运放 A1、A2 组成的反馈放大电路如图所示,设 A1、A2 均为理想运放。试求输出电阻 Rof。选项:A、R2B、R1C、0D、R3/R1正确答案:【0】3.1.1 半导体1、问题:下面哪一项不正确?选项:A、半导体的导电能力是随着温度的增加而增加的B、空穴可以看成是一个带正电的粒子,电量与电子相等C、可
12、以用空穴移动产生的电流来代替受束缚的电子移动产生的电流 D、硅的价电子比锗的价电子越容易摆脱束缚(相同情况)正确答案:【硅的价电子比锗的价电子越容易摆脱束缚(相同情况)】3.1.2 杂质半导体1、问题:下列哪项不正确?选项:A、N 型半导体,自由电子数是远远大于空穴数的B、N 型半导体中,自由电子是多子C、N 型半导体中,空穴是多子D、N 型半导体中的空穴主要由热激发形成正确答案:【N 型半导体中,空穴是多子】3.2PN 结的形成1、问题:下列哪一项不正确?选项:A、空间电荷区的电阻率很高B、PN 结的内电场是从 P 区指向 N 区的C、由载流子浓度差引起的载流子运动,称为扩散运动D、漂移运动
13、指的是电场作用所引起的载流子的运动正确答案:【PN 结的内电场是从 P 区指向 N 区的】3.3PN 结的特性1、问题:下面哪项不是 PN 结加正向电压时的特性选项:A、大的正向扩散电流B、PN 结导通C、低电阻D、高电阻正确答案:【高电阻】3.4 二极管1、问题:下列哪项不正确选项:A、锗二极管的门槛电压,相对硅而言比较小B、锗二极管的反向饱和电流,相对硅而言更大一点C、二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时,电流呈现指数增加D、二极管两端施加反向电压时,会形成反向饱和电流,相当于二极管导通。 正确答案:【二极管两端施加反向电压时,会形成反向饱和电流,相当于二极管导通。】3.5.1 简单二极
14、管电路的图解分析方法1、问题:电路如图所示,下列哪项不正确?选项:A、二极管正向导通,电流与电压呈现指数关系B、二极管是一种线性元件C、若已知二极管的伏安特性曲线,根据作图法,能求得二极管的 Q 点D、对于电路有正确答案:【二极管是一种线性元件】3.5.2 大信号模型分析方法1、问题:下列哪一个说法不正确?选项:A、对于二极管的理想模型,正向通电时,导通管压降为零B、对于二极管的理想模型,反向偏置时,二极管相当于一根导线C、恒压降模型就是在二极管的理想模型上加了一个电压源D、对于恒压降模型,当二极管导通后,认为管压降是 0.7V正确答案:【对于二极管的理想模型,反向偏置时,二极管相当于一根导线
15、】 3.5.3 大信号模型分析方法举例1、问题:电路如图所示,电源 VDD 等于 1V,电阻 R 等于 10K 的时,若用恒压降模型(硅 0.7V)来求解二极管两端所对应和电流。选项:A、1mAB、0.03mAC、0.07mAD、0mA正确答案:【0.03mA】3.5.4 小信号模型分析方法 1、问题:关于二极管的小信号模型,下列哪一个说法不正确?选项:A、二极管的小信号模型就是一个电阻B、小信号模型中的微变等效电阻与静态工作点有关C、当静态电流越大时,所对应的微变等效电阻就越小D、当静态电流越大时,所对应的微变等效电阻就越大正确答案:【当静态电流越大时,所对应的微变等效电阻就越大】3.6 特
16、殊二极管1、问题:关于稳压二极管,下列哪一个说法不正确?选项:A、主要工作在反向电击穿的状态B、在它的正常工作区域内电流的变化很大C、当反向电流小于一定值时,它的稳压效果不好,稳压特性消失D、其动态电阻越大,它的稳压特性会越好正确答案:【其动态电阻越大,它的稳压特性会越好】第三章 二极管及其基本电路1、问题:一硅稳压管稳压电路如图所示。其中未经稳压的直流输入电压 VI=18V,R=1k?,RL=2k?,硅稳压管 DZ 的稳定电压 VZ=10V,动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。试求 VO 的值。选项:A、18VB、10VC、0VD、12V正确答案:【10V】 2、问题:一硅稳压管稳压电路
17、如图所示。其中未经稳压的直流输入电压 VI=18V,R=1k?,RL=2k?,硅稳压管 DZ 的稳定电压 VZ=10V,动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。试求 IO 的值。选项:A、8mAB、3mAC、5mAD、0mA正确答案:【5mA】3、问题:一硅稳压管稳压电路如图所示。其中未经稳压的直流输入电压 VI=18V,R=1k?,RL=2k?,硅稳压管 DZ 的稳定电压 VZ=10V,动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。试求 IR 的值。选项:A、8mAB、3mA C、5mAD、0mA正确答案:【8mA】4、问题:一硅稳压管稳压电路如图所示。其中未经稳压的直流输入电压 VI=18V,R
18、=1k?,RL=2k?,硅稳压管 DZ 的稳定电压 VZ=10V,动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。试求 IZ 的值。选项:A、8mAB、3mAC、5mAD、0mA正确答案:【3mA】5、问题:一硅稳压管稳压电路如图所示。其中未经稳压的直流输入电压 VI=18V,R=1k?,RL=2k?,硅稳压管 DZ 的稳定电压 VZ=10V,动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。试求 RL 值降低到多大时,电路的输出电压将不再稳定。 选项:A、2k?B、2.5k?C、3k?D、1.25k?正确答案:【1.25k?】第四章 场效应三极管及其放大电路1、问题:选项:A、1.6mAB、2mAC、4mAD
19、、5mA正确答案:【1.6mA】2、问题: 选项:A、1VB、2VC、3VD、4V正确答案:【2V】3、问题:选项:A、1VB、2.4VC、3.84VD、4.6V正确答案:【3.84V】4、问题:选项:A、可变电阻区B、截止区 C、不详D、饱和区正确答案:【饱和区】5、问题:选项:A、10mSB、8mSC、6mSD、4mS正确答案:【8mS】6、问题:选项:A、-10.8B、-40.8C、10.8D、40.8正确答案:【-40.8】 7、问题:选项:A、20 k?B、30 k?C、40 k?D、50 k?正确答案:【50 k?】8、问题:选项:A、3.1 k?B、5.1 k?C、8.1 k?D
20、、11.1 k?正确答案:【5.1 k?】第五章 双极结型三极管及其放大电路1、问题:电路如图所示,设三极管的 =80,VBE=0.7V,ICEO 和 VCES 可忽略,求:当开关 S2 置于 A 位置,S1 置于 A 位置时,三极管处于何种状态? 选项:A、放大B、截止C、饱和D、不详正确答案:【饱和】2、问题:电路如图所示,设三极管的 =80,VBE=0.7V,ICEO 和 VCES 可忽略,求:当开关 S2 置于 A 位置,S1 置于 B 位置时,三极管处于何种状态? 选项:A、放大B、截止C、饱和D、不详正确答案:【放大】3、问题:电路如图所示,设三极管的 =80,VBE=0.7V,I
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