绿色金融:将绿色投资引入绿色地产-戴德梁行-2018.10-36页.pdf
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1、. 13 图 28:ASML2013 年以来盈利情况 . 13 图 29:ASML 2017Q1-2018Q1 设备收入情况 . 13 图 30:ASML 2017Q1-2018Q1 设备订单情况 . 13 图 31:ASML 2013 年以来研发支出情况 . 14 图 32:ASML、Nikon 和 Canon 研发支出比较 . 14 图 33:光刻机上下游市场产业链及关键企业 . 14 图 34:尼康 2018 Q3 营业收入结构情况(单位:十亿日元) . 15 图 35:尼康营业利润结构情况(单位:十亿日元) . 15 图 36:尼康 FY2008 以来光刻设备营收及占比 . 16 图
2、37:尼康 FY2008 以来研发支出情况 . 16 图 38:光刻机上下游市场产业链及关键企业 . 16 图 39:佳能 FY2008-2017 光刻机销售额及其部门占比 . 17 半导体设备行业报告半导体设备行业报告 请务必阅读正文后的重要声明部分 图 40:佳能 FY2016-2018 光刻设备销售量构成(单位:台) . 17 图 41:上海微电子公司 IC 前道制造用光刻设备 . 18 图 42:上海微电子公司 IC 后道封装用光刻设备 . 18 图 43:上海微电子公司 TFT 曝光设备 . 18 图 44:上海微电子公司 LED、MEMS、Power Devices 制造用光刻设备
3、 . 19 表表 目目 录录 表 1:EUV 研发五大难题 . 7 表 2:公司主要系统型号及其工艺特征 . 11 表 3:尼康主要光刻设备产品及工艺 . 15 表 4:上海微电子公司主要设备产品及工艺 . 19 半导体设备行业报告半导体设备行业报告 请务必阅读正文后的重要声明部分 1 1 光刻机:半导体工业皇冠上的明珠光刻机:半导体工业皇冠上的明珠 半导体芯片制作分为 IC 设计、IC 制造、IC 封测三大环节,光刻作为 IC 制造的核心环 节,其主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上。由于光刻的工艺水平直接决定芯 片的制程水平和性能水平,光刻成为 IC 制造中最复杂、最关键的工艺步骤
4、,光刻的核心设 备光刻机更是被誉为半导体工业皇冠上的明珠。 1.1 光刻:半导体制造的核心工艺光刻:半导体制造的核心工艺 光刻工艺是指光刻胶在光照作用下,将掩模版上的图形转移到硅片上的技术。光刻工艺是指光刻胶在光照作用下,将掩模版上的图形转移到硅片上的技术。光刻的原 理起源于印刷技术中的照相制版,是在一个平面上加工形成微图形。在半导体芯片制作过程 中,电路设计图首先通过激光写在光掩模版上,然后光源通过掩模版照射到附有光刻胶的硅 片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学效应,再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光 区域,使掩模版上的电路图转移到光刻胶上,最后利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。 图图 1
5、:IC 制造工艺流程制造工艺流程 图图 2:光刻胶极性与效果示意图光刻胶极性与效果示意图 数据来源:百度文库,西南证券整理 数据来源:中国产业信息网,西南证券整理 光刻根据所采用正胶与负胶之分,划分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺。光刻根据所采用正胶与负胶之分,划分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺。在正性光 刻中, 正胶的曝光部分结构被破坏, 被溶剂洗掉, 使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相同。 相反地, 在负性光刻中, 负胶的曝光部分会因硬化变得不可溶解, 掩模部分则会被溶剂洗掉, 使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。 图图 3:普通光刻技术(正性光刻)普通光刻技术(正性光刻) 数据来源:
6、拉姆研究,西南证券整理 - 半导体设备行业报告半导体设备行业报告 请务必阅读正文后的重要声明部分 2 为了追求更小的工艺节点,在普通光刻之上已开发出多重图案光刻工艺,用来增加图案 密度,最简单的多重图案工艺是双重图案,它将特征密度提高了两倍。最广泛采用的双图案 化方案之一是双曝光/双蚀刻(LELE) 。该技术将给定的图案分成两个密度较小的部分。通过 在光刻工艺中曝光光刻胶,然后蚀刻硬掩模,将第一层图案转移到下面的硬掩模上。然后将 第二层图案与第一层图案对准并通过第二次光刻曝光和刻蚀转移到硬掩模上。最终在衬底上 进行刻蚀,得到的图案密度是原始图案的两倍。 图图 4:双重图案技术双重图案技术 数据
7、来源:拉姆研究,西南证券整理 自对准双重图案(SADP)技术是通过沉积和刻蚀工艺在心轴侧壁上形成的间隔物。 然后通 过一个额外的刻蚀步骤移除心轴,使用间隔物来定义所需的最终结构,因此特征密度增加了 一倍。SADP 技术主要用于 FinFET 技术中的鳍片形成、线的互连以及存储设备中的位线/字 线的形成,其关键的优点在于避免了在 LELE 期间时可能发生的掩模不对齐。 图图 5:双重图案技术中的自对准间隔技术双重图案技术中的自对准间隔技术 数据来源:拉姆研究,西南证券整理 将 SADP 加倍可以得到四重图案化工艺 (SAQP)。193nm 浸没式光刻的 SADP 可以实 现20nm 的半间距分辨
8、率,但是 SAQP 可以实现10nm 的半间距分辨率。 - 半导体设备行业报告半导体设备行业报告 请务必阅读正文后的重要声明部分 3 图图 6:自对准间隔技术的四重图案化自对准间隔技术的四重图案化 数据来源:拉姆研究,西南证券整理 光刻工艺定义了半导体器件的尺寸,光刻工艺定义了半导体器件的尺寸,是是 IC 制造中的关键环节制造中的关键环节。作为芯片生产流程中最 复杂、 最关键的步骤, 光刻工艺难度最大, 耗时最长, 芯片在生产过程中一般需要进行 2030 次光刻, 耗费时间约占整个硅片工艺的 4060%, 成本极高, 约为整个硅片制造工艺的 1/3。 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底
9、、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显 影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 1.2 光刻机:光刻工艺的核心设备光刻机:光刻工艺的核心设备 光刻机是光刻工艺的核心设备,价值含量光刻机是光刻工艺的核心设备,价值含量大大、技术要求、技术要求高高。光刻是 IC 制造中的关键环 节,工艺难度最大,对技术和设备的要求也最高。光刻机作为光刻环节的核心设备,也是所 有半导体制造设备中技术含量最高的设备,涉及精密光学、精密运动、高精度环境控制等多 项先进技术,其设备投入相应最多,目前世界上最先进的 ASML EUV 光刻机单价达到近一 亿欧元。 光刻机工作原理:光刻机工作原理:光刻机是一种投影曝光系统,由紫外光源、光
10、学镜片、对准系统等部 件组装而成。 在半导体制作过程中, 光刻设备会投射光束, 穿过印着图案的掩模及光学镜片, 经物镜补偿各种光学误差,将线路图曝光在带有光感涂层的硅晶圆上,然后使用化学方法显 影,得到刻在硅片上的电路图。在光刻机内部结构中,激光器作为光源发射光线,物镜系统 补偿各种光学误差,是光刻机的核心设备,也是光刻机造价昂贵的重要原因,光刻机物镜系 统一般由 1520 个直径为 200300mm 的透镜组成。 图图 7:光刻机工作原理图光刻机工作原理图 图图 8:光刻机价格路线图光刻机价格路线图 数据来源:电子发烧友网,西南证券整理 数据来源:ASML公司官网,西南证券整理 - 半导体设
11、备行业报告半导体设备行业报告 请务必阅读正文后的重要声明部分 4 光刻机的演变光刻机的演变 按半导体制造工序分类,光刻设备有前道和后道之分。其中前道光刻机又可根据下游适 用产品分为面板光刻机和芯片光刻机,而后道光刻机则为封装光刻机。封装光刻机对于光刻 的精度要求远远低于前道光刻要求,因此价值量也较低,不属于本文探讨之列。而面板光刻 机与芯片光刻机工艺类似,只不过不再作用于晶圆而是作用于薄膜晶体管,对技术精度要求 也不如后者,只需要达到微米级即可。本文主要关注 IC 前道制造光刻技术的演变。 尺寸更小的芯片,在电子速度一定的情况下,信号传递的速度就会越快,在一定时间内 传输的信息就会越多。随着芯
12、片尺寸的变小,相同面积下可以承载更多的晶体管,高集成度 则意味着芯片的高性能。可见晶体管的尺寸对于芯片的性能具有重大意义,而光刻机决定了 晶体管的尺寸。随着半导体产业的向前发展,不断追求着尺寸更小、速度更快、性能更强的 芯片,摩尔定律提出:当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔 18-24 个 月便会增加一倍,性能也将提升一倍。正是半导体行业对于芯片的不断追求推动了光刻机产 品的不断升级与创新。 图图 9:光刻机曝光分类光刻机曝光分类 数据来源:中国产业信息网,西南证券整理 按曝光方式分类,光刻机可分为直写式光刻、接近接触式光刻和投影式光刻三种。直写 式由于曝光场太小, 通常用于
13、制作掩模板; 接近接触式是指光刻胶与掩模板接触或略有缝隙, 受气垫影响,成像精度较低;投影式是指在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝 光, 进一步提高分辨率。 芯片追求更快的处理速度, 则需要缩短晶体管内部导电沟道的长度, 而光刻设备的分辨率决定了 IC 的最小线宽。因而,光刻机产品的升级就势必要往更小分辨 率水平上发展,光刻机演进过程是随着光源改进和工艺创新光源改进和工艺创新而不断发展的。 - 半导体设备行业报告半导体设备行业报告 请务必阅读正文后的重要声明部分 5 图图 10:光刻机设备进阶历程光刻机设备进阶历程 数据来源:ASML,西南证券整理 根据所用光源改进和工艺创新,光刻机
14、经历了 5 代产品发展,每次改进和创新都显著提 升了光刻机所能实现的最小工艺节点。前两代均为接触接近式光刻机接触接近式光刻机,曝光方式为接触接近 式,使用光源分别为 g-line 和 i-line,接触式光刻机由于掩模与光刻胶直接接触,所以易受污 染,而接近式光刻机由于气垫影响,成像精度不高;第 高中语文干货之语文必记术语一、诗歌鉴赏相关专业术语1诗歌按题材来划分,可分为8种,分别是:咏史怀古诗:凭吊古迹古人来借古讽今;或感慨昔盛今衰,今不如昔;或渴望像古人一样建功立业。(写古迹古人,多用典故)托物言志诗:不直接表露思想情感,而是运用比喻象征拟人手法把自己的理想和人格融入一物象中。(常有松、竹
15、、梅等意象)边塞征战诗:或抒写报国立功壮志;或征夫思家的思念;或对开边拓土穷兵黩武的统治者的讽刺和规劝。羁旅思乡诗:写游子漂泊的羁旅愁苦;或所见所闻所感触发的思念故乡的乡愁。(常有月、柳、雁、书信及梦境幻觉的描写送别留念诗:或表达别时留恋;或表达别后思念;或表白理想信念;或表达彼此勉励。田园山水诗:借写山林田园的闲适美好,表达对世俗与现实的不满、向往宁静平和的归隐思想,或表达自己遗世独立,保持节操品性的情怀。即事感怀诗:或忧国忧民;或反映离乱;或渴望建功立业;或仕途失意闺中怀人;或讴歌河山。闺怨闺愁诗:或表达对戍边丈夫的思念,或写春光(青春)易逝,光阴不再的感伤,或表达对战争的厌恶。 2、表达
16、方式又五种,分别是 记叙,描写,议论,抒情,说明3第一种:描写景物的方法:()从直接与间接的角度看有: 描写 和 描写, (想象联想)与实写;()运用修辞手法(至少写八种)比喻,对比,夸张,比拟,(高考常考)借代双关、反问、设问、反问、互文;(3)运用表现手法来写(至少写八种):衬托 对 比 渲染 烘托 引用 典故(高考常考)象征、铺陈,白描。(4).从景物的动静角度来写:动景静景结合,或以动写静,以静写动;(高考常考)(5)从观察的层次来写:远看与近观结合,俯仰结合;上下结合,高低结合。(6).从调动感觉的角度来写:视觉(形和色),听觉(声),嗅觉(气味),味觉,触觉;或通感。第二种:描写人
17、物的方法()从直接与间接的角度看,方法有:正面和侧面描写,虚写(想象联想)与实写;(2)运用具体描写手段:语言描写、动作描写、神态描写、外貌描写、心理描写、细节描写()运用修辞手法来写人:比喻、对比、夸张、比拟、借代、双关、反问、设问、()运用表现手法来写:衬托、对比、渲染、烘托、象征、铺陈,白描。第三种:抒情方式(1)、直抒胸臆:直接运用抒情与议论的表达方式来抒发情感(2)、间接抒情:托物言志(寓理),借古讽今,用典抒情,借景抒情、寓情于景、换位思考景和情的关系(借景抒情、触景生情、情景交融、乐景写哀情)第四种:结构(构篇)方式对比,前后照应,问与答,卒章显志,总分,虚实结合,(高考常考)过
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