SOT-23_LM-2N7002LT1G.pdf
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1、 Product Summary VDS 60V ID 340mA RDS(ON)(at VGS=10V)2.5ohm RDS(ON)(at VGS=4.5V)3.0ohm General Description Trench Power MV MOSFET technology Voltage controlled small signal switch Low input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Applications Battery operated systems Solid-state re
2、lays Direct logic-level interface:TTL/CMOS Absolute Maximum Ratings(TA=25unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS 20 V Drain Current TA=25 Steady State ID 340 mA TA=70 Steady State 272 Pulsed Drain Current A IDM 1.5 A Total Power Dissip
3、ation TA=25 PD 350 mW Thermal Resistance Junction-to-Ambient Steady State B RJA 357/W Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG-55+150 Ordering Information(Example)PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs)INNER BOX QUANTITY(pcs)OUTER CARTON QUANTITY(pcs)DELIVERY MODE F2 7002.3000 3
4、0000 120000 7“reel Enhancement Mode Field Effect TransistorN-Channel Rev: 03.12.20211/5LM-2N7002LT1GLM-2N7002LT1G Electrical Characteristics(TJ=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Units Static Parameter Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V,ID=250A 60 V Zero Gate
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