SOT-23_PMV50EPEA.pdf
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1、 Product Summary VDS -30V ID -4.1A RDS(ON)(at VGS=-10V)60 mohm RDS(ON)(at VGS=-4.5V)75 mohm General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON)High Speed switching Applications Battery protection Load switch Power management Absolute Maximum Ratings(TA=25un
2、less otherwise noted)Parameter Symbol Maximum Unit Drain-source Voltage VDS-30 V Gate-source Voltage VGS 20 V Drain Current TA=25 Steady State ID-4.1 A TA=70 Steady State-3.2 Pulsed Drain Current A IDM-15 A Total Power Dissipation TA=25 PD 1.5 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient Steady State B
3、RJA 82/W Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG-55+150 P-Channel Super Enhancement Mode MOSFET Rev: 01.06.20171/5 Ordering Information(Example)PREFERED P/N Marking MINIMUM PACKAGE(pcs)DELIVERY MODE 3407 3000 7“reel PMV50EPEAPMV50EPEA Electrical Characteristics(TJ=25 unless otherwise noted)Pa
4、rameter Symbol Conditions Min Typ Max Units Static Parameter Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V,ID=-250A-30 V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-30V,VGS=0V,TC=25 -1 A Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=20V,VDS=0V 100 nA Gate Threshold Voltage VGS(th)VDS=VGS,ID=-250A-1.0-1.5-2.4 V Sta
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