MOOC 模拟电子技术基础-华中科技大学 中国大学慕课答案.docx
《MOOC 模拟电子技术基础-华中科技大学 中国大学慕课答案.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《MOOC 模拟电子技术基础-华中科技大学 中国大学慕课答案.docx(106页珍藏版)》请在文库网上搜索。
1、 MOOC 模拟电子技术基础-华中科技大学 中国大学慕课答案绪论测验题1、问题:当输入信号频率为 fL 或 fH 时,放大电路电压增益的幅值约下降为通带内水平增益的 。选项:A、0.5 倍B、0.7 倍C、0.9 倍D、1 倍正确答案:【0.7 倍】2、问题:某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入 3kW 的负载电阻后,输出电压为 3V。说明放大电路的输出电阻为 。选项:A、10 kWB、2 kWC、1kWD、0.5kW正确答案:【1kW】3、问题:已知某信号源内阻为 1kW,未接放大电路时测得信号源电压为 10mV,接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为 8mV,说明放大电路的输入
2、电阻为。选项:A、5 kWB、4 kWC、2kWD、1kW正确答案:【4 kW】4、问题:已知某放大电路的最大不失真输出电压范围是10V10V,若放大电路的通带电压增益是 40dB,则放大电路不失真放大时的输入电压范围是 。选项:A、0.1V0.1VB、0.25V0.25VC、0.5V0.5VD、1.0V1.0V正确答案:【0.1V0.1V】 5、问题:信号不失真的放大在时域中表现为任何一点的幅值放大的程度完全相同。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题:只要放大电路的传输特性曲线是线性的,就不会出现失真现象。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题:用放大电路放大正弦波信号
3、时,只有可能出现非线性失真,不可能出现频率失真。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题:放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题:放大电路中的符号“”表示接大地的“地”。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题:放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】11、问题:同一个放大电路对不同信号源或带不同负载时,实际的放大能力常常是不同的。选项:A、正确 B、错误正确答案:【正确】12、问题:放大电路只有电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益四种增益形式。选项:A、正确B、错
4、误正确答案:【错误】运算放大器测验题1、问题:理想运算放大器的参数是开环电压增益 Avo = ,输入电阻 ri = ,输出电阻 ro = 。选项:A、0,B、,0,C、,0,0D、,0正确答案:【,0】2、问题: 放大电路中,运算放大器的反相输入端为虚地,而 放大电路中,运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。选项:A、同相,反相B、反相,同相C、同相,同相D、反相,反相正确答案:【反相,同相】3、问题:欲将方波电压转换为三角波电压,应选用 。选项:A、反相输入式放大电路B、同相输入式放大电路C、积分运算电路D、微分运算电路E、加法运算电路正确答案:【积分运算电路】4、问题:欲将方波电压转换
5、为尖脉冲电压,应选用 。选项:A、反相输入式放大电路 B、同相输入式放大电路C、积分运算电路D、微分运算电路E、加法运算电路正确答案:【微分运算电路】5、问题:欲将输入电压信号放大-100 倍,应选用 。选项:A、反相输入式放大电路B、同相输入式放大电路C、积分运算电路D、微分运算电路E、同相加法运算电路正确答案:【反相输入式放大电路】6、问题:电路如图 8 所示,假设运算放大器是理想的,则图(a)Av = vO/vI = ,Ri = ;图(b)Av=vO/vI = ,Ri = 。选项:A、图(a)Av =11,Ri =1 k;图(b)Av1;Ri =1 kB、图(a)Av = -10,Ri
6、=1 k;图(b)Av1;Ri =1 kC、图(a)Av = 11,Ri =1 k;图(b)Av1;Ri =D、图(a)Av = -10,Ri =1 k;图(b)Av1;Ri =正确答案:【图(a)Av = -10,Ri =1 k;图(b)Av1;Ri =】 7、问题:电路如图 9 所示,假设运算放大器为理想的,那么 vO = f(vI) = 。选项:A、B、C、D、正确答案:【】8、问题:理想运算放大器构成的电路如图 10 所示,选项:A、B、C、D、正确答案:【】 9、问题:加减法运算电路如图 11 所示,设运算放大器是理想的,则输出电压和输入电压的关系式为 。选项:A、B、C、D、正确答
7、案:【】10、问题:电路如图 12 所示,假设运算放大器均为理想的,则选项:A、B、C、D、正确答案:【】11、问题:电路如图 13 所示,开关 S 闭合时电路增益选项:A、B、C、 D、正确答案:【】12、问题:在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题:在线性运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】14、问题:集成运放在开环情况下一般都工作在非线性区。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】15、问题:放大电路中的运算放大器只要是理想的,就一定存在虚短和虚断。选项:A、正确B、错误正确答案:
8、【错误】16、问题:电压跟随器的电压增益为 1,所以其对信号放大没有贡献。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】二极管及其基本电路测验题1、问题:半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。选项:A、自由电子B、共价键中价电子C、正离子D、负离子正确答案:【共价键中价电子】 2、问题:N 型半导体中的多数载流子是 ,而 P 型半导体中的多数载流子是 。选项:A、自由电子,空穴B、空穴,自由电子C、自由电子,正离子D、空穴,负离子E、空穴,正离子F、自由电子,负离子正确答案:【自由电子,空穴】3、问题:PN 结内电场方向是由 。选项:A、N 区指向 P 区B、P 区指向 N 区C、不确定D
9、、与外加电压有关正确答案:【N 区指向 P 区】4、问题:PN 结正偏是指 。选项:A、N 区电位高于 P 区B、P 区电位高于 N 区C、P 区和 N 区电位相等D、与外加电压无关正确答案:【P 区电位高于 N 区】5、问题:二极管正偏时应重点关注 ,反偏时应重点关注 。选项:A、导通电流和耗散功率,最大反向电压B、最高工作频率,最大反向电压C、最高工作频率,导通电流和耗散功率D、结电容,最高工作频率E、最大反向电压,结电容正确答案:【导通电流和耗散功率,最大反向电压】6、问题:齐纳二极管正常稳压时,工作在 状态。选项:A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、放大正确答案:【反向击穿】 7、
10、问题:点亮发光二极管应加 ,光电二极管正常工作时应加 ,变容二极管正常工作时应加 。选项:A、正偏电压,反偏电压,反偏电压B、正偏电压,反偏电压,零偏压C、反偏电压,正偏电压,正偏电压D、反偏电压,正偏电压,反偏电压E、正偏电压,正偏电压,反偏电压正确答案:【正偏电压,反偏电压,反偏电压】8、问题:已知某二极管处于正向导通状态,其导通电流为 0.5 mA,那么,此时二极管在室温(300K)下的小信号模型参数 rd = 。选项:A、19.2 kB、1 kC、52 kD、52 正确答案:【52 】9、问题:设简单硅二极管基本电路如图所示,已知 R = 1kW。当 VDD =10V 时,分别应用理想
11、模型和恒压降模型,求得的电流 ID 分别为 和 ;当 VDD =1V 时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 ID 分别为 和 。选项:A、10mA,9.3mA; 1mA,0.3mAB、10mA,1mA;9.3mA,3mAC、1mA,0.93mA;0.1mA,0.03mAD、10mA,0.93mA;1mA,0.03mA正确答案:【10mA,9.3mA; 1mA,0.3mA】10、问题:12V 电池的充电电路如图所示,用二极管理想模型分析,若 vs 是振幅为 24V 的正弦波,则二极管流过的峰值电流为 ,二极管两端的最大反向电压为 。选项: A、240mA,24VB、120mA,12VC
12、、120mA,36VD、360mA,36V正确答案:【120mA,36V】11、问题:电路如图所示,若 vs 是有效值为 220V 的正弦波电压,RL = 100W,二极管采用理想模型分析,则二极管的最高反向工作电压为 ,整流电流应为 。选项:A、220V,0.99AB、220V,2.2AC、D、正确答案:【】12、问题:电路如图所示,D1,D2 为硅二极管,当 vs = 6sinwt V 时,用恒压降模型分析电路时,输出电压 vO 的波形是 。选项:A、 B、C、D、正确答案:【】13、问题:二极管电路如图所示。输入电压只有 0V 或 5V 两个取值。利用二极管理想模型分析,在 vI1 和
13、vI2 电压的不同组合情况下,输出电压 vO 的值是 。 选项:A、vO 的 a 列B、vO 的 b 列C、vO 的 c 列D、vO 的 d 列正确答案:【vO 的 b 列】14、问题:电路如图所示,D 为硅二极管,若 VDD = 2 V,R = 1 kW,正弦信号vs=50sin(2p50t) mV。则静态(即 vs= 0)时,二极管中的静态电流为 ,vO 的静态电压 ;动态时,vO 的交流电压振幅为 。选项:A、2mA,2V;0.05VB、1.3mA,1.3V;0.05VC、2mA,2V;0.049VD、1.3mA,1.3V;0.049V正确答案:【1.3mA,1.3V;0.049V】15
14、、问题:稳压电路如图所示。若 VI =10V,R =100W,齐纳二极管的 VZ =5V,IZ(min)=5mA,IZ(max)=50mA,那么负载 RL 的变化范围是 。选项:A、大于 111WB、小于 111W C、大于 111kWD、小于 111kW正确答案:【大于 111W】16、问题:半导体二极管温度升高时,将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度,因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】17、问题:对于实际的二极管,只要正偏电压大于零,二极管就导通。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】18、问题:二极管简化模型将二极管的 I-V 非线
15、性特性近似成了线性或分段线性的关系。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】19、问题:通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】20、问题:在使用齐纳二极管时,必须加限流电阻。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】场效应管及其放大电路测验题1、问题:场效应管利用外加电压产生的_来控制漏极电流的大小,因此它是_控制器件。选项: A、电流,电场B、电场,电压C、电流,电压D、电压,电流正确答案:【电场,电压】2、问题:N 沟道场效应管的漏极电流由_的漂移运动形成。选项:A、空穴B、电子C、电子和空穴D、正离
16、子E、负离子正确答案:【电子】3、问题:P 沟道增强型 MOS 管的阈值电压是_。选项:A、正值B、负值C、零值D、不确定的正确答案:【负值】4、问题:一个 MOS 场效应管的转移特性如图所示(其中漏极电流 iD 的方向是它的实际方向),它是_场效应管。选项:A、N 沟道耗尽型B、N 沟道增强型C、P 沟道增强型D、P 沟道耗尽型正确答案:【P 沟道增强型】5、问题:在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中,_放大电路电压增益小于 1 但接近于 1,输入输出电压同相,有电压跟随作用;_放大电路电压增 益较高,输入输出电压反相;_放大电路输入输出电压同相,有电流跟随作用;_放大电路输出电阻小;_放大
17、电路输入电阻小。选项:A、共漏,共源,共栅,共漏,共栅B、共源,共漏,共栅,共漏,共栅C、共漏,共栅,共源,共漏,共栅D、共漏,共栅,共漏,共源,共栅正确答案:【共漏,共源,共栅,共漏,共栅】6、问题:用两个放大电路 A 和 B 分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时,A 和 B 的输出电压相等;当都接入负载电阻 RL 时,测得 A 的输出电压小于B 的输出电压,由此说明,电路 A 的输出电阻比电路 B 的输出电阻_。选项:A、大B、小C、相等D、不能确定正确答案:【大】7、问题:在图示电路中,已知各 MOS 管的阈值电压?VT ?=0.5V,MOS 管处于截止状态的电路是_。选项:A、
18、图(a)B、图(b)C、图(c)D、图(a)和图(b)E、图(b)和图(c)F、图(a)和图(c)正确答案:【图(b)】8、问题:当栅源电压为 0V 时,_MOS 管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 选项:A、N 沟道耗尽型B、N 沟道增强型C、P 沟道耗尽型D、P 沟道增强型正确答案:【N 沟道耗尽型】9、问题:试分析图示各电路,能正常放大交流信号的电路是_(设各电容对交流信号的容抗可忽略)。选项:A、图(a)B、图(b)C、图(c)D、图(d)正确答案:【图(b)】 10、问题:设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路,则其小信号等效电路为_。选项:A、图
19、(b)B、图(c)C、图(d)D、图(b)和图(d)正确答案:【图(d)】11、问题:已知电路参数如图(a)所示,FET 工作点上的互导 gm1mA/V,设 rdsRd,则该电路的小信号等效电路是_,电压增益为_,输入电阻为_。 选项:A、图(c),-10,2075 kWB、图(b),-3.3,2075 kWC、图(b),-10,2075 kWD、图(c),-3.3,2075 kW正确答案:【图(b),-3.3,2075 kW】12、问题:电路如图所示。设电流源电流 I0.5mA、VDDVSS5V,Rd9k,CS 很大,对信号可视为短路。场效应管的 VT0.8V,Kn1 选项:A、1.42 m
20、A/V,12.78B、3.02 mA/V,-27.2C、1.42 mA/V,-12.78D、3.02 mA/V,-12.78正确答案:【1.42 mA/V,-12.78】13、问题:源极跟随器电路如图所示,场效应管参数为 Kn1,VTN1.2/V,l=0。电路参数为 VDDVSS5V,Rg500k,RL4k。若电流源I=1mA,则小信号电压增益约为_,输出电阻约为_。选项:A、8,0.5kWB、0.89,0.5kWC、0.89,2WD、1,2W正确答案:【0.89,0.5kW】14、问题:图示电路参数为 I0.5mA,VDDVSS5V,Rg100 k,Rd=10k, Rsi1k。场效应管参数为
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- MOOC MOOC答案 中国大学慕课答案