MOOC 模拟电子技术-常州工学院 中国大学慕课答案.docx
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1、 MOOC 模拟电子技术-常州工学院 中国大学慕课答案绪论1、问题:在电子信息系统中,常用的模拟电路有()。选项:A、放大电路B、滤波电路C、运算电路D、直流电源正确答案:【放大电路#滤波电路#运算电路#直流电源】2、填空题:在电子电路中,通常将信号分为和数字信号。正确答案:【模拟信号】杂质半导体1、问题:杂质半导体中的载流子受温度影响较大的是()。选项:A、自由电子B、空穴C、多子D、少子正确答案:【少子】2、问题:在电子信息系统中,常用的模拟电路有()等。选项:A、放大电路B、滤波电路C、运算电路D、直流电源正确答案:【放大电路#滤波电路#运算电路#直流电源】3、问题:杂质半导体的导电性主
2、要由掺入杂质的量决定。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】4、填空题:在 N 型半导体中的多子是。正确答案:【自由电子】 结1、问题:当 PN 结施加正向偏压时,内电场会被外电场抵消,从而流过大的电流,即 PN 结导通选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】2、填空题:PN 结的重要特性是。正确答案:【单向导电性】半导体二极管1、问题:二极管的主要参数有()。选项:A、最大整流电流B、最高反向工作电压C、反向电流D、最高工作频率正确答案:【最大整流电流#最高反向工作电压#反向电流#最高工作频率】2、填空题:点接触型二极管和面接触型二极管中工作频率较高的是。正确答案:【点接触型二极管】晶体三
3、极管-11、问题:晶体管的发射区和集电区是同种类型的杂质半导体,所以发射区和集电区交换使用。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】第一单元测验1、问题:在本征半导体中加入 元素可形成 N 型半导体,加入元素可形成 P 型半导体。( )选项:A、五价,三价B、四价,五价 C、三价,五价D、四价,三价正确答案:【五价,三价】2、问题:在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。选项:A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷正确答案:【杂质浓度】3、问题:当温度升高时,二极管反向饱和电流将( )。选项:A、增大B、减小C、不变D、不能确定正确答案:【增大】4、问题:半导体中有( )种载流
4、子。选项:A、4B、2C、1D、不确定正确答案:【2】5、问题:Si 二极管的正向导通压降约为()。选项:A、0.5VB、0.2VC、0.3VD、0.7V正确答案:【0.7V】晶体三极管(2)1、问题:当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。选项:A、前者反偏,后者也反偏;B、前者正偏,后者反偏; C、前者正偏,后者也正偏;D、不能确定正确答案:【前者正偏,后者反偏;】2、问题:当晶体管工作在饱和区时,发射结电压和集电结电压应为( )。选项:A、前者反偏,后者也反偏;B、前者正偏,后者反偏;C、前者正偏,后者也正偏;D、不能确定正确答案:【前者正偏,后者也正偏;】3、问题:当
5、晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为( )。选项:A、前者反偏,后者也反偏;B、前者正偏,后者反偏;C、前者正偏,后者也正偏;D、不能确定正确答案:【前者反偏,后者也反偏;】4、问题:测得一放大电路中某晶体管三个极的直流电位为 12V、11.3V 和 0V,该晶体管的类型为( )。选项:A、NPN 型 Si 管;B、PNP 型 Si 管;C、NPN 型 Ge 管;D、PNP 型 Ge 管正确答案:【PNP 型 Si 管;】5、问题:测得一放大电路中某晶体管三个极的直流电位为 11.8V、15V 和 12V,该晶体管的类型为( )。选项:A、NPN 型 Si 管;B、PNP 型 Si
6、 管;C、NPN 型 Ge 管;D、PNP 型 Ge 管正确答案:【NPN 型 Ge 管;】6、问题:三极管的特征频率 fT 点对应的 为( )。选项:A、=0.5B、=1.414 C、=1D、=0.707正确答案:【=1】场效应管(1)1、问题:若用结型场效应管构造放大电路,应使其工作在( )。选项:A、可变电阻区、B、恒流区、C、夹断区、D、不确定正确答案:【恒流区、】2、问题:结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 RGS 大的特点。( )选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】场效应管(2)1、问题:增强型 N 沟道 MOSFET/MOS 场效应管在(
7、 )条件下,才会形成导电沟道。选项:A、UGS=0B、UGSUGS(th)C、UGS0D、UGS0正确答案:【UGSUGS(th) 】2、问题:耗尽型 MOS 管在栅源偏压为 0 时的导电能力是最强的。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题:场效应管的源极和漏极可以互换使用。选项:A、正确 B、错误正确答案:【正确】4、问题:MOS 场效应管结构上由金属、氧化物和半导体三部分組成。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】5、问题:MOS 场效应管是电流控制器件。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题:MOS 场效应管有增强型和耗尽型两类,每类又有 N 沟道和 P 沟道两种。
8、选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】常用半导体器件(续)1、问题:N 沟道增强型 MOS 场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。选项:A、UGS=0B、UGSUGS(th)C、UGS0D、UGS0正确答案:【UGSUGS(th)】2、问题:放大状态下的晶体管三个管脚 1、2、3 对地电位分别为 0V,-0.2V,-3V,则 1、2、3 脚对应的三个极是()。选项:A、e、b、cB、e、c、bC、c、b、eD、b、e、c正确答案:【e、b、c】 3、问题:测得一放大电路中某晶体管三个极的直流电位为 12V、11.3V 和 0V,该晶体管的类型为( )。选项:A、NPN 型 Si 管;B、
9、PNP 型 Si 管;C、NPN 型 Ge 管;D、PNP 型 Ge 管;正确答案:【PNP 型 Si 管;】4、问题:当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。选项:A、前者反偏,后者也反偏;B、前者正偏,后者反偏;C、前者正偏,后者也正偏;D、不能确定;正确答案:【前者正偏,后者反偏;】5、问题:晶体管各极电压为 VB=1.8V,VE=0V,VC=12V,则该管工作在( )状态。选项:A、截止B、饱和C、放大D、已损坏正确答案:【已损坏】6、问题:结型场效应管和 MOS 场效应管的工作区有( )。选项:A、可变电阻区、恒流区 和 夹断区B、饱和区、放大区 和截止区C、放大区
10、D、不确定正确答案:【可变电阻区、恒流区 和 夹断区】7、问题:MOS 场效应管结构上由金属、氧化物和半导体三部分組成。?选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题:结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 RGS 大的特点。 选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】9、填空题:三极管的特征频率 fT 点对应的 为 。正确答案:【1】10、填空题:若用结型场效应管构造放大电路,应使其工作在 区。正确答案:【恒流】基本共射放大电路的工作原理(1)1、问题:放大的基本要求是( )。选项:A、能量的控制B、不失真C、功率放大D、与电路有关正确答案:【不失真】2、
11、问题:放大电路的性能指标有( )。选项:A、放大倍数B、输入电阻和输出电阻C、通频带D、最大不失真输出电压正确答案:【放大倍数#输入电阻和输出电阻#通频带#最大不失真输出电压】基本共射放大电路的工作原理(2)1、问题:由 NPN 管组成的共射放大电路中,若 Q 点对应的 UCEQ 值偏小,容易出现()失真。选项:A、顶部B、截止C、底部D、饱和正确答案:【底部#饱和】2、问题:由 NPN 管组成的共射放大电路中,若 Q 点对应的 UCEQ 值偏大,容易出现( )失真。 选项:A、饱和B、底部C、截止D、顶部正确答案:【截止#顶部】3、问题:放大电路中输入信号和输出信号肯定是同相位的。选项:A、
12、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题:放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】基本放大电路-11、问题:放大的基本要求是( )。选项:A、不失真B、能量的控制C、功率放大D、与电路有关正确答案:【不失真】2、问题:在放大电路中放大的特征是( )。选项:A、功率放大B、能量的控制C、不失真D、变化量正确答案:【功率放大】3、问题:放大电路的性能指标有( )。选项:A、放大倍数B、输入电阻和输出电阻C、通频带 D、最大不失真输出电压正确答案:【放大倍数#输入电阻和输出电阻#通频带#最大不失真输出电压】4、问题:由 NPN 管组成的共射放大电路中,若 Q
13、 点对应的 UCEQ 值偏大,容易出现( )失真。选项:A、截止B、顶部C、底部D、饱和正确答案:【截止#顶部】5、问题:可以说任何放大电路都有功率放大作用。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题:放大电路中输入信号和输出信号肯定是同相位的。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】7、填空题:通频带或中频段是指下限截止频率和 之间的频率范围。正确答案:【上限截止频率】8、填空题:根据信号源与放大电路、放大电路与负载之间的连接方式可把放大电路分成 放大电路和阻容耦合放大电路。正确答案:【直接耦合】放大电路的分析方法1、问题:由 NPN 管组成的放大电路,中频时输出电压的波形出现了底部削
14、平,这种失真是( )。选项:A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、频率失真正确答案:【饱和失真】 2、问题:画直流通路时,信号源视为 ,电容 。( )选项:A、开路,短路B、短路,开路C、短路,短路D、开路,开路正确答案:【短路,开路】3、问题:画交流通路时,直流源视为 ,电容 。( )选项:A、短路,开路B、短路,短路C、开路,短路D、开路,开路正确答案:【短路,短路】4、问题:放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题:电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题:放大电路必须加上合适的直
15、流电源才能正常工作。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】静态工作点的稳定1、问题:常用的稳定静态工作点的方法有 ( )。选项:A、温度补偿B、引入直流负反馈C、增大 VCC D、增大基极电阻正确答案:【温度补偿#引入直流负反馈】2、问题:因为稳定静态工作点电路中 Re 起直流负反馈作用,其值越大,反馈越强,Q 点越稳定,所以 Re 的阻值没有上限。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】晶体管放大电路的三种基本接法1、问题:下列电路中,输入电阻最小的电路是( )。选项:A、共集电路B、共基电路C、放大电路D、共射电路正确答案:【共基电路】2、问题:下列电路中,输出电压与输入电压反相的电路是
16、( )。选项:A、共集电路B、共射电路C、共基电路D、放大电路正确答案:【共射电路】3、问题:下列电路中,输出电阻最小的电路是( )。选项:A、共集电路B、共基电路C、共射电路D、放大电路正确答案:【共集电路】4、问题:在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是:( )。选项:A、共基极电路的 AV 最小、RI 最小、RO 最大B、共集电极电路的 AV 最小、RI 最大、RO 最小C、共发射极电路的 AV 最大、RI 最小、RO 最小 D、共发射极电路的 AV 最小、RI 最大、RO 最大正确答案:【共集电极电路的 AV 最小、RI 最大、RO 最小】5、问题:下列电路中,有电压
17、放大作用的电路是( )。选项:A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、放大电路正确答案:【共射电路#共基电路】6、问题:下列电路中,有电流放大作用的电路是( )。选项:A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、放大电路正确答案:【共射电路#共集电路】7、问题:只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题:可以说任何放大电路都有功率放大作用。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】基本放大电路-21、问题:下列电路中,高频特性最好的电路是( )。选项:A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、放大电路正确答案:【共基电路】 2、问题:在单级放大电路
18、的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是:( )。选项:A、共集电极电路的 AV 最小、RI 最大、RO 最小B、共发射极电路的 AV 最大、RI 最小、RO 最小C、共基极电路的 AV 最小、RI 最小、RO 最大D、共发射极电路的 AV 最小、RI 最大、RO 最大正确答案:【共集电极电路的 AV 最小、RI 最大、RO 最小】3、问题:下列电路中,有电压放大作用的电路是( )。选项:A、共射电路B、共集电路C、放大电路D、共基电路正确答案:【共射电路#共基电路】4、问题:下列电路中,有电流放大作用的电路是( )。选项:A、共射电路B、共基电路C、放大电路D、共集电路正确答案:【共射电路
19、#共集电路】5、问题:因为稳定静态工作点电路中 Re 起直流负反馈作用,其值越大,反馈越强,Q 点越稳定,所以 Re 的阻值没有上限。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题:放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】7、填空题:画直流通路时,信号源 ,电容开路。正确答案:【短路】8、填空题:画交流通路时,直流源 ,电容短路。正确答案:【短路】 频率响应概述与晶体管的高频等效电路1、问题:测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是( )。选项:A、输入电压幅值不变,改变频率B、输入电压频率不变,改变幅值C、输入电压的幅值
20、与频率同时变化D、无限制正确答案:【输入电压幅值不变,改变频率】2、问题:放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。选项:A、半导体管极间电容和分布电容的存在B、耦合电容和旁路电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适正确答案:【半导体管极间电容和分布电容的存在】3、问题:放大电路在低频信号作用时,放大倍数数值下降的原因是( )。选项:A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适正确答案:【耦合电容和旁路电容的存在】4、问题:放大电路的上限截止频率 fH 和下限截止频率 fL 决定于电
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