200v增强型mos N沟道场效应管SVGP20110NT_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVGP20110NT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 8 页 第 1 页 88A、200V N沟道增强型场效应管 描述 SVGP20110NT N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。 特点 88A,200V,RDS(on)(典型值)=9.6mVGS=10V 低栅极电荷 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 100%雪崩测试 无铅管脚镀层 符合
2、RoHS 环保标准 关键特性参数 参数 参数值 单位 VDS 200 V VGS(th) 2.04.0 V RDS(on),max 10.7 m ID 88 A Qg.typ 64 nC 1.栅极 2.漏极 3.源极231TO-220-3L123 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVGP20110NT TO-220-3L P20110NT 无卤 料管 士兰微电子 SVGP20110NT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 8 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TA=25C) 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典
3、型值 最大值 漏源电压 VDS - 200 - - V 栅源电压 VGS - -20 - 20 V 漏极电流 ID TC=25C - - 88 A TC=100C - - 63 A 漏极脉冲电流(注 1) IDM TC=25C - - 352 A 耗散功率(注 2) PD TC=25C - - 278 W 单脉冲雪崩能量 EAS L=0.5mH,VDD=80V,RG=25, 开始温度TJ=25C - - 600 mJ 单脉冲电流 IAS - - - 49 A 工作结温范围 TJ - -55 - 150 C 贮存温度范围 Tstg - -55 - 150 C 热特性 参数 符号 测试条件 参数值
4、 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对表面热阻,底部 RJC - - 0.3 0.45 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - - 62.5 C/W 焊接温度(直插式) Tsold 20-15sec,1time - - 260 C 士兰微电子 SVGP20110NT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 8 页 第 3 页 电气参数(除非特殊说明,TJ=25C) 静态参数静态参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250A 200 220 - V 漏源漏电流 IDSS VDS=200V,
5、VGS=0V,TJ=25C - 0.1 1.0 A VDS=200V,VGS=0V,TJ=125C - 10 100 栅源漏电流 IGSS VGS= 20V,VDS=0V - 10 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS,ID=250A 2.0 3.0 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V,ID=88A - 9.6 10.7 m 栅极电阻 Rg f=1MHz - 4.9 10 动态参数动态参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 输入电容 Ciss f=1MHz,VGS=0V,VDS=100V 3746 4870 6331 pF 输出
6、电容 Coss 309 402 523 反向传输电容 Crss 8 12 18 开启延迟时间 td(on) VDD=100V,VGS=10V,RG=1.6, ID=44A (注 3,4) 17 22 29 ns 开启上升时间 tr 30 40 52 关断延迟时间 td(off) 51 66 86 关断下降时间 tf 12 18 27 栅极电荷量 Qg VDD=100V,VGS=10V,ID=44A (注 3,4) 49 64 83 nC 栅极-源极电荷量 Qgs 22 28 36 栅极-漏极电荷量 Qgd 6.1 7.9 10 栅极-平台电压 Vplateau - 5.3 - V 源源-漏二极
7、管特性参数漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续二极管正向电流 IS TC=25C,MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结 - - 88 A 二极管脉冲电流 IS,pulse - - 352 源-漏二极管压降 VSD IS=88A,VGS=0V 0.5 0.9 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=44A,VGS=0V, dIF/dt=100A/s (注 3) 96 125 163 ns 反向恢复电荷 Qrr 0.4 0.6 0.8 C 注:注: 1. 脉冲时间5s; 2. 耗散功率值会随着温度变化而变化,当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减
8、少2.22W/C; 3. 脉冲测试: 脉冲宽度300s,占空比2%; 4. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVGP20110NT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 8 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1. 输出特性漏极电流 - ID (A)漏极电流 - ID (A)图 2. 传输特性栅源电压 - VGS (V)漏极电流 - ID (A)漏极电流 - ID (A)漏源导通电阻 - RDSON (m)图 3. 导通电阻 vs. 漏极电流栅源电压 - VGS (V)漏源导通电阻 - RDSON (m)图 4. 导通电阻 vs. 栅源电压图 5. 开启
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