SVSP14N65FJHE2超结mos耐压650V 14A_骊微电子.pdf
《SVSP14N65FJHE2超结mos耐压650V 14A_骊微电子.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《SVSP14N65FJHE2超结mos耐压650V 14A_骊微电子.pdf(8页珍藏版)》请在文库网上搜索。
1、士兰微电子 SVSP14N65FJHE2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 8 页 第 1 页 14A, 650V 超结 MOS功率管 描述 SVSP14N65FJHE2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。 此外,SVSP14N65FJHE2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。 特点 14A,650V, RDS(on)(典型值)=0.26VGS=10V 创新高压技术 低栅极电荷 定期额定雪崩 较强 dv/dt 能力 高电流峰值 1.
2、栅极 2.漏极 3.源极2311TO-220FJH-3L23 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVSP14N65FJHE2 TO-220FJH-3L P14N65FJHE 无卤 料管 士兰微电子 SVSP14N65FJHE2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 8 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TC=25C) 参数 符号 参数值 单 位 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25 C ID 14 A TC=100 C 8.8 漏极脉冲电流 IDM 56 A 耗散功率(TC=25C)
3、 -大于25C每摄氏度减少 PD 39 W 0.3 W/C 单脉冲雪崩能量 (注 1) EAS 593 mJ 反向二极管 dv/dt (注 2) dv/dt 15 V/ns MOS管 dv/dt 耐用性(注 3) dv/dt 50 V/ns 工作结温范围 TJ -55+150 C 贮存温度范围 Tstg -55+150 C 热阻特性 参数 符号 参数值 单位 芯片对管壳热阻 RJC 3.2 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.5 C/W 电气参数(除非特殊说明,TC=25C) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250A 65
4、0 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=650V, VGS=0V - - 1.0 A 栅源漏电流 IGSS VGS= 30V, VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS, ID=250A 2.0 - 4.0 V 静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=7.0A - 0.26 0.31 栅电阻 Rg f=1MHz - 7.1 - 输入电容 Ciss f=1MHz,VGS=0V, VDS=100V - 768 - pF 输出电容 Coss - 46 - 反向传输电容 Crss - 1.6 - 开启延迟时间 td(on) VDD=32
5、5V, VGS=10V, RG=24, ID=14A (注4, 5) - 14 - ns 开启上升时间 tr - 37 - 关断延迟时间 td(off) - 47 - 关断下降时间 tf - 34 - 栅极电荷量 Qg VDD=520V, VGS=10V, ID=14A (注 4, 5) - 19 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 5.9 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 7.7 - 士兰微电子 SVSP14N65FJHE2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 8 页 第 3 页 源-漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
6、 连续源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结 - - 14 A 源极脉冲电流 ISM - - 56 二极管压降 VSD IS=14A,VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=14A,VGS=0V dIF/dt=100A/s (注 4) - 365 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 4.4 - C 注: 1. L=79mH,IAS=3.6A,VDD=100V, RG=25, 开始温度 TJ=25C; 2. VDS=0400V,ISD=14A, TJ=25C; 3. VDS=0480V; 4. 脉冲测试: 脉冲宽度300s,占空比2%; 5. 基本上不
7、受工作温度的影响。 士兰微电子 SVSP14N65FJHE2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 8 页 第 4 页 典型特性曲线 图1. 输出特性图2. 传输特性漏极电流 ID(A)0103002410漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)046810栅源电压 VGS(V)150020漏源导通电阻 RDS(ON)(m)漏极电流 ID(A)图3. 导通电阻vs.漏极电流00.40.61.41.2反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度4500.11000.11000.81.011035020图5. 电
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- SVSP14N65FJHE2超结mos耐压650V 14A svsp14n65fjhe2 mos 耐压 14