国产超结mos管600V20A SVS20N60P7D2_骊微电子.pdf
《国产超结mos管600V20A SVS20N60P7D2_骊微电子.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《国产超结mos管600V20A SVS20N60P7D2_骊微电子.pdf(11页珍藏版)》请在文库网上搜索。
1、士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.6 http: / 共 11 页 第 1 页 20A, 600V 超结 MOS功率管 描述 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 N 沟道增强型高压功率MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。 此外,SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。 特点 20A,600V,RDS(on)(典型值)=0.
2、16VGS=10V 创新高压技术 低栅极电荷 定期额定雪崩 较强 dv/dt 能力 高电流峰值 1231231231.栅极 2.漏极 3.源极231TO-262-3L123TO-263-2L13TO-220-3L123TO-247-3LTO-220FJ-3LTO-3PTO-220F-3L312 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVS20N60FJD2 TO-220FJ-3L 20N60FJD2 无卤 料管 SVS20N60KD2 TO-262-3L 20N60KD2 无卤 料管 SVS20N60TD2 TO-220-3L 20N60TD2 无卤 料管 SVS20
3、N60PND2 TO-3P 20N60PND2 无铅 料管 SVS20N60SD2 TO-263-2L 20N60SD2 无卤 料管 SVS20N60SD2TR TO-263-2L 20N60SD2 无卤 编带 SVS20N60P7D2 TO-247-3L 20N60P7D2 无卤 料管 SVS20N60FD2 TO-220F-3L 20N60FD2 无卤 料管 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.6 http: / 共 11 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TA=25C) 参数 符号 参数值 单位
4、 SVS20N60 FJD2/FD2 SVS20N60 KD2/TD2/SD2 SVS20N60 PN/P7D2 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25 C ID 20 A TC=100 C 12 漏极脉冲电流 IDM 80 A 耗散功率(TC=25C) -大于25C每摄氏度减少 PD 45 150 200 W 0.36 1.0 1.6 W/C 单脉冲雪崩能量(注1) EAS 967 mJ 体二极管(注 2) dv/dt 15 V/ns MOS 管 dv/dt 耐用性(注 3) dv/dt 50 V/ns 工作结温范围 TJ -55+150 C 贮存温度
5、范围 Tstg -55+150 C 热阻特性 参数 符号 参数值 单位 SVS20N60 FJD2/FD2 SVS20N60 KD2/TD2/SD2 SVS20N60 PN/P7D2 芯片对管壳热阻 RJC 2.78 0.83 0.63 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.5 62.5 50 C/W 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.6 http: / 共 11 页 第 3 页 电气参数(除非特殊说明,Tj=25C) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS
6、=0V,ID=250A 600 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V,VGS=0V - - 1.0 A 栅源漏电流 IGSS VGS= 30V,VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS,ID=250A 2.0 - 4.0 V 静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=10A Tj=25C - 0.16 0.19 Tj=125C - 0.30 - 栅极电阻 Rg f=1.0MHz - 2.6 - 输入电容 Ciss VDS=100V,VGS=0V, f=1.0MHz - 1174 - pF 输出电容 Coss - 67 - 反
7、向传输电容 Crss - 4.0 - 开启延迟时间 td(on) VDD=300V,VGS=10V, RG=25,ID=20A (注 4,5) - 20 - ns 开启上升时间 tr - 60 - 关断延迟时间 td(off) - 105 - 关断下降时间 tf - 42 - 栅极电荷量 Qg VDD=480V, VGS=10V, ID=20A (注 4,5) - 39 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 9.6 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 20 - 源-漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N
8、 结 - - 20 A 源极脉冲电流 ISM - - 80 二极管压降 VSD IS=20A,VGS=0V - - 1.2 V 反向恢复时间 Trr VDD=50V,IF=20A, dIF/dt=100A/s (注 4) - 426 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 6.2 - C 注:注: 1. L=79mH,IAS=4.6A,VDD=100V,RG=25,开始温度TJ=25C; 2. VDS=0400V,ISD=20A, TJ=25C; 3. VDS=0480V; 4. 脉冲测试:脉冲宽度300s,占空比2%; 5. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T
9、)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.6 http: / 共 11 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1. 输出特性漏极电流 ID(A)051020漏源电压 VDS(V)注:1.250S 脉冲测试2.TC=25 C1552025305010150354045VGS=5.5VVGS=6VVGS=7VVGS=8VVGS=10VVGS=15V 图 2. 传输特性漏极电流 ID(A)01046栅源电压 VGS(V)注:1.250S脉冲测试2.VDS=50V-55 C25 C150 C0.111001082漏源导通电阻 RDS(on)(m)漏极电流 ID(A)
10、图3. 导通电阻vs.漏极电流12022002026010180140200515注:TJ=25 CVGS=10V1602400.20.40.60.81.41.2反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度-55 C25 C150 C0.11100101.0注:1.250S脉冲测试2.VGS=0V图5. 电容特性漏源电压 VDS(V)电容(pF)020601001100001010001004080CissCossCrssCiss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd注:1. VGS=0V2. f=1
11、MHz图6. 电荷量特性总栅极电荷 Qg(nC)栅源电压 VGS(V)0051040VDS=480VVDS=300VVDS=120V2468101230202515注:ID=20A35 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.6 http: / 共 11 页 第 5 页 典型特性曲线(续) 0.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压 BVDSS(标准化)结温 TJ( C)图7. 击穿电压vs.温度特性1.2150注:1. VGS=0V2. ID=250A漏源导通电阻 RDS(ON)(标
12、准化)图8. 导通电阻vs.温度特性结温 TJ( C)0.01.02.0-100-500501002003.01501.5注:1. VGS=10V2. ID=10.0A0.52.510-210-1100101100101102103103漏极电流 - ID(A)图9-1. 最大安全工作区域(SVS20N60FJD2/FD2)漏源电压 - VDS(V)DC10ms1ms100s此区域工作受限于RDS(ON)102注:TC=25 C10-210-1100101100101102103103漏极电流 - ID(A)图9-2. 最大安全工作区域(SVS20N60KD2/TD2/SD2)漏源电压 - V
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 国产超结mos管600V20A SVS20N60P7D2 国产 mos v20a