低内阻mos管60v 71a士兰微mos管SVGP066R1NL5_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVGP066R1NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 8 页 第 1 页 71A、60V N沟道增强型场效应管 描述 SVGP066R1NL5 N沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。 特点 71A,60V,RDS(on)(典型值)=5.1mVGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 12348765SSSGDDDDPDF
2、N-8-5X6X0.95-1.273112348765248765 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVGP066R1NL5TR PDFN-8-5X6X0.95-1.27 P066R1NL5 无卤 编带 士兰微电子 SVGP066R1NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 8 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TA=25C) 参数 符号 参数值 单位 漏源电压 VDS 60 V 栅源电压 VGS 20 V 漏极电流 TC=25 C ID 71 A TC=100 C 45 漏极脉冲电流(注 1) IDM 284 A 耗
3、散功率(TC=25C) -大于 25C 每摄氏度减少 PD 53 W 0.42 W/C 单脉冲雪崩能量(注 2) EAS 161 mJ 工作结温范围 TJ -55+150 C 贮存温度范围 Tstg -55+150 C 热阻特性 参数 符号 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对管壳热阻 RJC - - 2.38 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - 50.0 C/W 士兰微电子 SVGP066R1NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 8 页 第 3 页 关键特性参数(除非特殊说明,TJ=25C) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值
4、 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250A 60 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=60V, VGS=0V,Tj=25 C - - 1.0 A VDS=60V, VGS=0V,Tj=125 C - 1.5 - A 栅源漏电流 IGSS VGS= 20V, VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS, ID=250A 1.2 - 2.2 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=35A - 5.1 6.1 m VGS=4.5V, ID=35A - 7.0 8.8 m 栅极电阻 RG f=1MHz - 2.3 - 输
5、入电容 Ciss f=1MHz,VGS=0V,VDS=30V - 1660 - pF 输出电容 Coss - 680 - 反向传输电容 Crss - 45 - 开启延迟时间 td(on) VDD=30V, VGS=4.5V, RG=2.5, ID=35A (注 3,4) - 16 - ns 开启上升时间 tr - 20 - 关断延迟时间 td(off) - 19 - 关断下降时间 tf - 24 - 栅极电荷量 Qg VDD=30V, VGS=10V, ID=35A (注 3,4) - 30 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 8.8 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 6.1 - 栅极-平
6、台电压 Vplateau - 4.7 - V 源-漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏P-N 结 - - 71 A 源极脉冲电流 ISM - - 284 源-漏二极管压降 VSD IS=35A,VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=35A,VGS=0V, dIF/dt=100A/s (注 3) - 33 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 0.03 - C 注:注: 1. 脉冲宽度=5s; 2. L=0.5mH,IAS=25.4A,VDD=48V,RG=25,开始温度 TJ=25C; 3.
7、 脉冲测试:脉冲宽度300s,占空比2%; 4. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVGP066R1NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 8 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1. 输出特性图 3. 导通电阻 vs. 漏极电流漏极电流 - ID (A)漏源电压 - VDS (V)漏源导通电阻 - RDSON (m)漏极电流 - ID (A)漏源导通电阻 - RDSON (m)栅源电压 - VGS (V)图 4. 导通电阻 vs. 栅源电压图 2. 传输特性漏极电流 - ID (A)栅源电压 - VGS (V)栅源开启电压- VGS(th) (V
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