半导体制造工艺.pdf
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1、VLSI CAD, CHP.31第八章 半导体制造工艺VLSI CAD, CHP.32第十章半导体制造工艺?10.0 集成电路制造工艺概述?10.1 几个基本工艺步骤?10.2半导体制造工艺VLSI CAD, CHP.3310.0 工艺概述1?版图预览MICROWIND?IC制造工艺分类VLSI CAD, CHP.34集成电路研制过程?用户需求?指标要求?系统设计?逻辑设计?电路设计?版图设计?数字化(版图图形文件)?转换成PG文件-设计方设计方-?掩膜版制造?硅片加工?芯片工艺制造?分割管芯?压焊封装?总测?成品- -制造方制造方-VLSI CAD, CHP.3510.0 工艺概述1分类?双
2、极工艺?基本的有源器件是双极晶体管。?生产的电路主要是TTL、ECL?功耗大,速度高,负载能力强。?MOS工艺?基本的有源器件是MOS晶体管?PMOS ?NMOS ?CMOS(主流工艺)功耗低、抗干扰能力强、输出电压范围宽?其它:Bi-CMOS工艺、SOI -CMOS工艺、厚膜工艺、薄膜工艺等?按材料分:硅工艺、锗工艺、砷化镓工艺VLSI CAD, CHP.3610.0 制造工艺概述2工序类型?前工序?过程:原始晶片(wafer)芯片加工中测?成果:管芯(chip) 图10-2-1?主要的芯片制造工艺有:?薄膜制备工艺(外延、氧化、化学气相淀积、蒸发、溅射)?掺杂工艺(离子注入、扩散)?图形转
3、换技术(制版、光刻)VLSI CAD, CHP.3710.0 工艺概述3工序类型?后工序?过程: 中间测试(wafer)划片(chip)贴片-键合-封装-筛选-成品测试。?成果:封装好的集成电路器件成品?辅助工序基本材料备制(单晶圆片制造),掩膜版的准备,高纯水、气体的制备、超净环境。VLSI CAD, CHP.38第十章半导体制造工艺?10.0 制造工艺概述?10.1 几个基本工艺步骤?10.2 工艺流程VLSI CAD, CHP.3910.1 几个基本工艺步骤?氧化:SiO2 用途?光刻:工序(图10-1-1)?掺杂:扩散和离子注入?淀积:CVD? ?录像片录像片: IC工艺步骤VLSI
4、CAD, CHP.310光刻VLSI CAD, CHP.311掩模版maskVLSI CAD, CHP.312第十章半导体制造工艺?10.0 集成电路制造工艺概述?10.1 集成电路制作中的几个基本工艺步骤?10.2 CMOS IC 工艺流程(选)VLSI CAD, CHP.31310.2 CMOS IC 工艺流程?传统的P阱CMOS工艺图10-2-2?PMOS管直接做在N衬底上。 NMOS管做在P阱中。?不利于NMOS管优化?N阱CMOS工艺图10-2-4?NMOS管直接做在P衬底上。 PMOS管做在N阱中。?双阱CMOS工艺图10-2-5? ?录像片录像片: IC工艺步骤- CMOS工艺?
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