SVF4N90D常用900v mos管-4n90应用电路图中文资料_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:2.1 http:/ 共 10 页 第 1 页 4A、900V N沟道增强型场效应管 描述 SVF4N90F/MJ/T/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。特点 4A,900V,RDS(on)(典型值)=2.7VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输
2、电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 TO-220F-3L1.栅极 2.漏极 3.源极231TO-251J-3L123123TO-220-3L123TO-252-2L13 命名规则 士兰F-Cell工艺VDMOS产品标识额定电流标识,采用1-2位数字;例如:4 代表 4A,20 代表 20A,08 代表 0.8A额定耐压值,采用2位数字例如:50表示500V,65表示650V封装外形标识例如:F:TO-220F;MJ:TO-251J;T:TO-220;D:TO-252S V F X N E X X X沟道极性标识,N代表N 沟道特殊功能、规格标识,通常省略例如:E 表示内置了ESD保护结
3、构 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF4N90F TO-220F-3L SVF4N90F 无铅 料管 SVF4N90MJ TO-251J-3L SVF4N90 无卤 料管 SVF4N90T TO-220-3L SVF4N90T 无铅 料管 SVF4N90DTR TO-252-2L SVF4N90D 无卤 编带 士兰微电子 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:2.1 http:/ 共 10 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TC=25C)参 数 名称 符号 参数范围 单位 SVF4N90F SVF4N90MJ/D
4、 SVF4N90T 漏源电压 VDS 900 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25C ID 4 A TC=100C 2.5 漏极脉冲电流 IDM 16 A 耗散功率(TC=25C)-大于 25C 每摄氏度减少 PD 44 132 150 W 0.35 1.06 1.20 W/C 单脉冲雪崩能量(注 1)L=30mH EAS 344 mJ L=10mH 84 mJ 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性 参 数 名 称 符号 参数范围 单位 SVF4N90F SVF4N9MJ/D SVF4N90T 芯片对管壳热阻 RJC 2.84
5、 0.95 0.83 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.5 62.0 62.0 C/W 士兰微电子 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:2.1 http:/ 共 10 页 第 3 页 电气参数(除非特殊说明,TC=25C)参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250A 900-V 漏源漏电流 IDSS VDS=900V,VGS=0V-1.0 A 栅源漏电流 IGSS VGS=30V,VDS=0V-100 nA 栅极开启电压 VGS(th)VGS=VDS,ID=250A 2
6、.0-4.0 V 导通电阻 RDS(on)VGS=10V,ID=2A-2.7 3.5 输入电容 Ciss VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz-707-pF 输出电容 Coss-68-反向传输电容 Crss-3.0-开启延迟时间 td(on)VDD=450V,RG=25,ID=4V (注 2,3)-15-ns 开启上升时间 tr-26-关断延迟时间 td(off)-39-关断下降时间 tf-28-栅极电荷量 Qg VDD=720V,ID=4A,VGS=10V (注 2,3)-17-nC 栅极-源极电荷量 Qgs-4.1-栅极-漏极电荷量 Qgd-7.6-栅极电阻 RG f=1MHz-
7、4.2-源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏P-N 结-4 A 源极脉冲电流 ISM-16 源-漏二极管压降 VSD IS=4A,VGS=0V-1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=4A,VGS=0V,dIF/dt=100A/s (注 2)-535-ns 反向恢复电荷 Qrr-2.5-C 注:注:1.VDD=50V,RG=25,开始温度 TJ=25C;2.脉冲测试:脉冲宽度300s,占空比2%;3.基本上不受工作温度的影响。士兰微电子 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 杭州士兰微电子股份有
8、限公司 版本号:2.1 http:/ 共 10 页 第 4 页 典型特性曲线 图1.输出特性图2.传输特性漏极电流 ID(A)0.11100.1110100漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)024681013579栅源电压 VGS(V)2.0027漏源导通电阻 RDS(ON)()漏极电流 ID(A)图3.导通电阻vs.漏极电流00.20.40.61.2反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4.体二极管正向压降vs.源极电流、温度5.040.1110050.11000.82.54.01.0-55 C25 C150 C110注:1.250S脉冲测试2.VGS=0V3.0VGS=
9、4.5VVGS=5VVGS=5.5VVGS=6V变量注:1.250S 脉冲测试2.TC=25 CVGS=7VVGS=8VVGS=10VVGS=15V63.513VGS=10VVGS=20V注:TJ=25 C4.5-55 C25 C150 C注:1.250S脉冲测试2.VDS=50V10图5.电容特性图6.电荷量特性电容(pF)0.1110100漏源电压 VDS(V)栅源电压 VGS(V)00318总栅极电荷 Qg(nC)0200400160024681012156008009注:1.VGS=0V2.f=1MHzCiss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=
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