SVF4N150PF(P7)(F)(S) 4A、1500V N沟道增强型场效管-4n150开关管参数_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVF4N150PF(P7)(F)(S)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.5 http:/ 共 9 页 第 1 页 4A、1500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF4N150PF(P7)(F)(S)N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于开关电源。特点 4A,1500V,RDS(on)(典型值)=5.0VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 1.
2、栅极 2.漏极 3.源极123123231TO-3PFTO-220F-3L312TO-247-3LTO-263-2L13 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVF4N150PF TO-3PF 4N150 无铅 料管 SVF4N150P7 TO-247-3L 4N150P7 无铅 料管 SVF4N150F TO-220F-3L SVF4N150F 无铅 料管 SVF4N150S TO-263-2L SVF4N150S 无卤 料管 SVF4N150STR TO-263-2L SVF4N150S 无卤 编带 极限参数(除非特殊说明,TA=25C)参数 符号 参数值 单位
3、 SVF4N150PF SVF4N150P7 SVF4N150F SVF4N150S 漏源电压 VDS 1500 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25C ID 4.0 A TC=100C 2.5 漏极脉冲电流 IDM 16 A 耗散功率(TC=25C)-大于 25C 每摄氏度减少 PD 73 160 39 160 W 0.49 1.28 0.3 1.28 W/C 单脉冲雪崩能量(注 1)EAS 485 mJ 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 士兰微电子 SVF4N150PF(P7)(F)(S)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本
4、号:1.5 http:/ 共 9 页 第 2 页 热阻特性 参数 符号 参数值 单位 SVF4N150PF SVF4N150P7 SVF4N150F SVF4N150S 芯片对管壳热阻 RJC 1.7 0.78 3.17 0.78 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 50 50 62.5 62.5 C/W 关键特性参数(除非特殊说明,TJ=25C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250A 1500-V 漏源漏电流 IDSS VDS=1500V,VGS=0V-10.0 A 栅源漏电流 IGSS VGS=30V,VDS=0V-500
5、nA 栅极开启电压 VGS(th)VGS=VDS,ID=250A 3.0-5.0 V 导通电阻 RDS(on)VGS=10V,ID=1.3A-5.0 6.5 输入电容 Ciss VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz-1034-pF 输出电容 Coss-91-反向传输电容 Crss-12-开启延迟时间 td(on)VDD=750V,ID=4A,RG=25 (注 2,3)-25-ns 开启上升时间 tr-51-关断延迟时间 td(off)-86-关断下降时间 tf-46-栅极电荷量 Qg VDS=1200V,ID=4A,VGS=10V (注 2,3)-40-nC 栅极-源极电荷量 Qgs
6、-8.7-栅极-漏极电荷量 Qgd-23-源-漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏P-N 结-4.0 A 源极脉冲电流 ISM-16 源-漏二极管压降 VSD IS=4A,VGS=0V-1.6 V 反向恢复时间 Trr IS=4A,VGS=0V,dIF/dt=100A/s(注 2)-373-ns 反向恢复电荷 Qrr-2.4-C 注注:1.L=79mH,IAS=3.4A,VDD=100V,RG=25,开始温度 TJ=25C;2.脉冲测试:脉冲宽度300s,占空比2%;3.基本上不受工作温度的影响。士兰微电子 SV
7、F4N150PF(P7)(F)(S)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.5 http:/ 共 9 页 第 3 页 典型特性曲线 图 1.输出特性图3.导通电阻vs.漏电流漏极电流 ID(A)漏源电压 VDS(V)漏源导通电阻 RDS(ON)()漏极电流 ID(A)反向漏电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4.体二极管正向压降vs.源极电流、温度图2.传输特性漏极电流 ID(A)栅源电压 VGS(V)电容(pF)漏源电压 VDS(V)图5.电容特性栅源电压 VGS(V)总栅极电荷 Qg(nC)图6.电荷量特性0.111000.1110100246810123579114.05.
8、05.56.01450136.52VGS=5VVGS=5.5VVGS=6VVGS=10V变量注:1.250S 脉冲测试2.TC=25 CVGS=15V注:1.250S脉冲测试2.VDS=50V-55 C25 C150 C100.111001030.110024.5-55 C25 C150 C110注:1.250S脉冲测试2.VGS=0V注:TJ=25 CVGS=10VVGS=20V0.1110100001020VDS=1200VVDS=750VVDS=300V050010002500CissCossCrss注:1.VGS=0V2.f=1MHz246810125015002000Ciss=Cgs
9、+Cgd(Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd3040注:ID=4A 士兰微电子 SVF4N150PF(P7)(F)(S)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.5 http:/ 共 9 页 第 4 页 典型特性曲线(续)图7.击穿电压vs.温度特性图9-1.最大安全工作区域(SVF4N150PF)漏源击穿电压(标准化)BVDSS结温 TJ(C)漏极电流-ID(A)漏源电压-VDS(V)漏极电流-ID(A)漏源电压-VDS(V)图9-2.最大安全工作区域(SVF4N150P7/S)图8.导通电阻vs.温度特性漏源导通电阻(标准化)RDS(ON)结温 TJ(C
10、)漏极电流-ID(A)漏源电压-VDS(V)图9-3.最大安全工作区域(SVF4N150F)热阻抗(标准化)C/W脉冲宽度(Sec)图 10-1.瞬态热阻曲线(SVF4N150PF)0.60.81.21.0-100-500501002001.4150注:1.VGS=0V2.ID=250A0.61.0-100-500501002001.41500.81.2注:1.VGS=10V2.ID=1.3ADC10ms1ms100s10-210-1100101100101102104102此区域工作受限于RDS(ON)注:1.TC=25 C2.Tj=150 C3.单个脉冲1031.10.90.70.3010
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