MOOC 电子技术基础—模拟电子技术-南京工程学院 中国大学慕课答案.docx
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1、 MOOC 电子技术基础模拟电子技术-南京工程学院中国大学慕课答案1.1.1 随堂测验1、问题:本征半导体中,若掺入的是 价元素,则形成 N 型半导体。选项:A、3B、4C、5D、6正确答案:【5】2、问题:在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题:在绝对零度且无光照射时,本征半导体中没有价电子能够摆脱共价键的束缚。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】1.1.2 随堂测验1、问题:杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于。选项:A、温度B、掺入杂质元素的多少C、掺杂工艺D、晶格缺陷正确答案:【掺入杂质元素的多少
2、】2、问题:在本片半导体中如果掺入的是三价微量元素,则形成 N 型半导体。选项:A、正确 B、错误正确答案:【错误】3、问题:少子是由本征激发所产生的,所以对光照和温度敏感。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】1.1.3 随堂测验1、问题:硅二极管正常工作时,反向电流很小,且其大小随反向电压的增大而。选项:A、增大B、减小C、基本不变D、击穿正确答案:【基本不变】2、问题:PN 结是由于漂移运动所形成的。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题:空间电荷区由不能移动的杂质离子所构成的。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】1.2.1 随堂测验1、问题:对于面接触型的二极管,下列说
3、法正确的是。选项:A、可以承受较大电流,适合低频使用。B、可以承受较大电流,适合高频使用。C、可以承受较小电流,适合低频使用。D、可以承受较小电流,适合高频使用。正确答案:【可以承受较大电流,适合低频使用。】 2、问题:点接触型二极管适合于低频、小电流情况下使用。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题:当二极管用于大电流工作时,要求 PN 结的结面积大。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】1.2.2 随堂测验1、问题:当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。选项:A、减小B、不变C、增大D、不能判断正确答案:【增大】2、问题:当温度升高时,二极管正反向特性曲线的特点是。选项:A、正
4、向特性曲线左移,反向特性曲线上移。B、正向特性曲线左移,反向特性曲线下移。C、正向特性曲线右移,反向特性曲线上移。D、正向特性曲线右移,反向特性曲线下移。正确答案:【正向特性曲线左移,反向特性曲线下移。】3、问题:锗管反向电流比硅管反向电流小得多。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】1.2.3 随堂测验1、问题:二极管的最高反向工作电压,通常规定为。选项:A、击穿电压B、击穿电压的一半 C、击穿电压的二倍D、死区电压正确答案:【击穿电压的一半】2、问题:当工作频率过高时,二极管将失去单向导电性。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题:二极管如果超过最大整流电流,就一定会烧坏。选项
5、:A、正确B、错误正确答案:【错误】1.3.1 随堂测验1、问题:二极管导通后对大信号所呈现的电阻,称为二极管的 。选项:A、直流电阻B、交流电阻C、导通电阻D、正向电阻正确答案:【导通电阻】2、问题:二极管的模型主要有理想模型、恒压降模型和小信号模型。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题:在同时含有直流电源和小信号交变源的电路中,电流或电压的总量约等于静态量与动态量的叠加。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】1.3.2 随堂测验 1、问题:当二极管回路电源电压较低时,采用 模型比较合理。选项:A、恒压降B、理想C、恒流源D、小信号正确答案:【恒压降】2、问题:二极管的直流电阻
6、、导通电阻和交流电阻是三个不同的概念。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题:用模拟指针式万用表的电阻挡测量二极管正向电阻时,不同量程挡测得的正向电阻值是相同的。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题:对于既有直流电源又有小信号源的电路,应先采用恒压降模型估算工作点,再用小信号模型进行动态分析。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】1.4.1 随堂测验1、问题:只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题:利用二极管的正向特性也可以实现稳压。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】 3、问题:正常情况下,稳压二极管工作在反向
7、击穿区。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】1.4.2 随堂测验1、问题:光电二极管工作时需要加 偏置电压,工作于状态。选项:A、正向;导通B、正向;截止C、反向;导通D、反向;截止正确答案:【反向;截止】2、问题:发光二极管导通时发光,工作电流的典型值为。选项:A、正偏;20mAB、正偏;10mAC、反偏;20mAD、反偏;10mA正确答案:【正偏;10mA】3、问题:光电二极管的光电流随光照强度的增大而上升。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】1.4.3 随堂测验1、问题:肖特基二极管的导通电压,大约为。选项:A、较高;0.7VB、较高;0.4VC、较低;0.7VD、较低;0.4V
8、正确答案:【较低;0.4V】2、问题:变容二极管在电路中的主要作用是。选项: A、稳压B、整流C、可变电容器D、发光正确答案:【可变电容器】3、问题:发光二极管是一种通以正向电流会发光的二极管,使用时应加正偏电压,且串接合适的限流电阻。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】第 1 章作业第 1 章单元测验1、问题:半导体本征激发会成对产生。选项:A、自由电子B、空穴C、自由电子和空穴D、杂质离子正确答案:【自由电子和空穴】2、问题:结外加正向电压时,扩散电流 。选项:A、增加B、减小C、不变D、为 0正确答案:【增加】3、问题:结外加正向电压时,耗尽层 。选项:A、增厚B、变薄C、厚度不变D
9、、厚度为 0正确答案:【变薄】 4、问题:在室温 27 度时,硅二极管的死区电压大约为 V。选项:A、0.3B、0.2C、0.5D、0.7正确答案:【0.5】5、问题:在室温 27 度时,锗二极管的死区电压大约为 V。选项:A、0.1B、0.2C、0.3D、0.5正确答案:【0.1】6、问题:二极管反向饱和电流随着温度的升高而 。选项:A、增加B、减小C、不变D、趋于 0正确答案:【增加】7、问题:发光二极管正常工作时需要施加 偏置电压。选项:A、正向B、反向C、正向或反向D、0正确答案:【正向】8、问题:杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。选项:A、温度B、掺杂浓度C、光照D、外加电
10、压正确答案:【掺杂浓度】9、问题:半导体器件对敏感,这会导致器件性能的不稳定。选项: A、温度B、光照C、温度和光照D、掺杂浓度正确答案:【温度和光照】10、问题:半导体二极管的重要特性之一是 。选项:A、单向导电性B、滤波特性C、放大作用D、温度稳定性正确答案:【单向导电性】11、问题:硅管的反向电流比锗管的反向电流,因此硅管的单向导电性和温度稳定性。选项:A、大得多;较差B、小得多;较好C、大得多;较好D、小得多;较差正确答案:【小得多;较好】12、问题:如果把一个二极管直接同一个电动势为 1.5V、内阻为 0 的电池正向连接,则该管 。选项:A、电流为 0B、电击穿C、电流过大使管子烧坏
11、D、正常导通正确答案:【电流过大使管子烧坏】13、问题:锗二极管的开启电压为 。选项:A、0.5V 左右B、0.4V 左右C、0.2V 左右D、0.1V 左右正确答案:【0.2V 左右】14、问题:当未加外部电压时, PN 结中的电流 。选项: A、为 0B、从 P 区流向 N 区C、从 N 区流向 P 区D、为最小正确答案:【为 0】15、问题:PN 结形成后,空间电荷区由 组成。选项:A、电子B、空穴C、杂质离子D、价电子正确答案:【杂质离子】16、问题:变容二极管在电路中的主要作用是 。选项:A、发光B、可变电容器C、整流D、稳压正确答案:【可变电容器】17、问题:流过二极管的正向电流增
12、大时,其直流电阻将 。选项:A、增加B、减小C、为 0D、不变正确答案:【减小】18、问题:在下列二极管中,需要正偏工作的是 。选项:A、发光二极管B、光电二极管C、稳压二极管D、变容二极管正确答案:【发光二极管】19、问题:二极管整流电路的作用,是将正弦电压变成 。选项:A、余弦电压B、单向脉动电压 C、双向脉动电压D、直流电压正确答案:【单向脉动电压】20、问题:半导体二极管正向偏置,处在正常工作状态,即使流过管子的电流变化很大, 管子两端的电压变化也很小。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】21、问题:光电二极管正常工作时需要施加反向偏置电压。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】
13、22、问题:在 P 型半导体中掺入足够量的五价元素,可将其改型为 N 型半导体。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】23、问题:杂质半导体中,存在自由电子和空穴两种带电粒子。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】24、问题:杂质离子不能移动,因此不是载流子。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】25、问题:N 型半导体因为其多子是自由电子,所以它带负电。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】26、问题:二极管稳压电路一般由稳压二极管(反向接法)和负载并联而得到,并应接有合适的降压电阻。 选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】27、问题:肖特基二极管导通电压比普通二极管低。选项:A、
14、正确B、错误正确答案:【正确】28、问题:发光二极管反向击穿电压一般大于 5V,为安全起见,一般工作在 5V以下。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】29、问题:光电二极管反向电流随光照强度增加而上升。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】30、问题:稳压二极管工作在反向击穿区,但属于电击穿。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】31、问题:工程中分析包含有二极管的电路,多采用恒压降模型进行静态分析,再用小信号模型进行动态分析。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】32、问题:对包含多个二极管的电路进行分析时,要注意优先导通的管子会对其它管的工作状态产生影响。选项:A、正确B、错误正
15、确答案:【正确】 33、问题:理想二极管等效为一个理想压控开关,正偏时开关合上,反偏时开关断开。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】34、问题:二极管的伏安特性受温度影响较大,当温度升高时,正向特性曲线向右移,反向特性曲线向上移。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】35、问题:热击穿是可逆的,电击穿是不可逆的。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】36、问题:PN 结两侧的电位差称为内建电位差,也叫接触电位差。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】37、问题:对小信号而言,二极管的伏安关系呈线性,因此可以用一个电阻来等效。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】38、问题:只要稳压
16、二极管两端加反向电压就能起稳压作用选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】39、问题:本征激发会成对产生自由电子和空穴。选项:A、正确 B、错误正确答案:【正确】40、问题:纯净的半导体称为本征半导体。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】41、问题:N 型半导体的多数载流子是电子。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】42、问题:P 型半导体中的多数载流子是空穴。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】43、问题:当把 P 型半导体和 N 型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个 PN 结。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】44、填空题:纯净且无杂质的半导体称为 。正确答案:【
17、本征半导体】45、填空题:P 型半导体中的多数载流子是 。正确答案:【空穴】46、填空题:N 型半导体的多数载流子是 。正确答案:【电子#%_YZPRLFH_%#自由电子】47、填空题:当把 P 型半导体和 N 型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个 。正确答案:【PN 结#%_YZPRLFH_%#空间电荷区#%_YZPRLFH_%#耗尽层#%_YZPRLFH_%#阻挡层#%_YZPRLFH_%#势垒区】 48、填空题:半导体二极管的最重要的特点是具有 。正确答案:【单向导电性】49、填空题:变容二极管是一个非线性电容,电容量随反向电压增加而 。正确答案:【减小#%_YZPRLFH_%#
18、变小】50、填空题:用万用表电阻挡测试二极管时,若正向电阻远于反向电阻,说明二极管性能较好。正确答案:【小#%_YZPRLFH_%#低】51、填空题:用万用表电阻挡测试二极管,其正、反向电阻均为零,说明二极管内部已。正确答案:【短路#%_YZPRLFH_%#短接#%_YZPRLFH_%#热击穿】52、填空题:稳压二极管是利用二极管的特性实现稳压。正确答案:【反向击穿#%_YZPRLFH_%#稳压】53、填空题:光电二极管工作时需加偏置电压。正确答案:【反向】54、填空题:稳压管使用时应串接,以保证反向电流不超过最大允许电流,避免热击穿。正确答案:【限流电阻#%_YZPRLFH_%#降压电阻#%
19、_YZPRLFH_%#电阻】2.1.1 随堂测验1、问题:晶体管分为三个掺杂区,发射区的特点是掺杂浓度,基区的特点是区域很薄,掺杂浓度,集电区的特点是掺杂浓度较低,但面积大。选项:A、高;低B、高;高C、低;低D、低;高正确答案:【高;低】2、问题:在晶体管的图形符号中,NPN 管发射电流方向是的,PNP管的发射电流方向是的。选项:A、流入;流出B、流入;流入C、流出;流出D、流出;流入正确答案:【流出;流入】 3、问题:晶体管的图形符号中,箭头指示了发射极位置及发射结正偏时发射极电流的方向选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】2.1.2 随堂测验1、问题:晶体管具有电流大作用的外部条件是,
20、发射结,集电结 。选项:A、正偏;反偏B、正偏;正偏C、反偏;反偏D、反偏;正偏正确答案:【正偏;反偏】2、问题:晶体管截止的条件是,发射结,集电结。选项:A、正偏;正偏B、正偏;反偏C、0 偏或反偏;正偏D、零偏或反偏;反偏正确答案:【零偏或反偏;反偏】3、问题:晶体管工作于饱和状态时,集、射之间相当于开路。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】2.1.3 随堂测验1、问题:对于硅三极管,死区电压约为,对于锗三极管,死区电压约为。选项:A、0.1V;0.5VB、0.5V;0.1VC、0.7V;0.5VD、0.5V;0.2V正确答案:【0.5V;0.1V】 2、问题:硅三极管的导通电压通常取
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